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				2505g樣品擴(kuò)大一倍來算推算出:  反應(yīng)消耗AgNO3:n(AgNO3)＝0.1000mol·L-1x40.00mL=0.004000mol  即發(fā)生上述反應(yīng)的Cl-為:n(Cl-) =0.004000mol  則有 y:z=(0.006000mol-0.004000 mol): 0.004000mol=1:2  同時(shí)還有:1:x:(y+z)= 0.002000: 0.01000: 0.006000=1:5:3  解得:x=5  y=1 z=2  帶入［Co(NH3)xCly］Clz中.求得Co化合價(jià)為:+3 假設(shè)成立  該鈷化合物的化學(xué)式為:［Co(NH3)5Cl］Cl2  答:⑴［Co(NH3)xCly］Clz中氮元素的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為27.94%  ⑵該鈷化合物的化學(xué)式為:［Co(NH3)5Cl］Cl2			【查看更多】
			

		
           
          

		
          
				
          題目列表(包括答案和解析)
          
		
		
          

          


          
	
          				
          
									
          高純硅是當(dāng)今科技的核心材料．工業(yè)上，用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4（g）+2H2（g）
          高溫
          Si（s）+4HCl（g）．已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸．向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4（g）和H2（g），分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)．SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示：
          

          


          
時(shí)間/min
0
2
4
t1
t2
          

          
n（SiCl4）/mol
          

          
溫度/℃
          

          
T1
5.0
4.5
4.2
n1
n1
          

          
T2
5.0
4.2
3.6
n2
n2
          （1）T1時(shí)，反應(yīng)開始的2min內(nèi)，用HCl表示的反應(yīng)速率為
           
          ．
          （2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為：K=
           
          ．
          （3）保持其他條件不變，下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是
           
          ．
          a．充入更多的SiCl4（g）    b．充入更多的H2（g）         c．及時(shí)分離出Si（s）
          d．使用催化劑           e．將容器的體積擴(kuò)大一倍
          （4）據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析：T1
           
            T2（填“＞”或“＜”，下同），理由是
           
          ．
          已知n1＞n2，△H
           
          0．
          （5）有同學(xué)認(rèn)為，采用水淋法來吸收生成的HCl，可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率．該認(rèn)識
           
          （填“合理”或“不合理”），理由是
           
          ．
          （6）將平衡后的混合氣體溶于水，取少量上層清液，向其中滴加足量的AgNO3溶液，反應(yīng)后過濾，取沉淀向其中加入Na2S溶液，可觀察到
           
          ．
          

			
          
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          （14分）高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上，用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4（g）+2H2（g） Si（s）+4HCl（g） 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4（g）和H2（g），分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示：
          


          


          （1）T1時(shí)，反應(yīng)開始的2 min內(nèi)，
用HCl表示的反應(yīng)速率為             
 。
          


          （2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為：K＝                           。
          


          （3）保持其他條件不變，下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是      　　　    。
          


          a．充入更多的SiCl4（g）
          


          b．充入更多的H2（g） 
          


          c．及時(shí)分離出Si（s）
          


          d．使用催化劑
          


          e．將容器的體積擴(kuò)大一倍
          


          （4）據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析：T1         T2（填“＞”或“＜”，下同），理由是          
。已知n1>n2，ΔH        0。
          


          （5）有同學(xué)認(rèn)為，采用水淋法來吸收生成的HCl，可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識      （填“合理”或“不合理”），理由是                            
。 
          


          （6）將平衡后的混合氣體溶于水，取少量上層清液，向其中滴加足 量的AgNO3溶液，反應(yīng)后過濾，取沉淀向其中加入Na2S溶液，可觀察到                   
。
          


           
          

			
          
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          （14分）高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上，用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4（g）+2H2（g） Si（s）+4HCl（g）。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4（g）和H2（g），分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示：

          （1）T1時(shí)，反應(yīng)開始的2 min內(nèi)，用HCl表示的反應(yīng)速率為              。
          （2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為：K＝                          。
          （3）保持其他條件不變，下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是     　　　   。
          a．充入更多的SiCl4（g）
          b．充入更多的H2（g）
          c．及時(shí)分離出Si（s）
          d．使用催化劑
          e．將容器的體積擴(kuò)大一倍
          （4）據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析：T1        T2（填“＞”或“＜”，下同），理由是          。已知n1>n2，ΔH       0。
          （5）有同學(xué)認(rèn)為，采用水淋法來吸收生成的HCl，可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識     （填“合理”或“不合理”），理由是                            。
          （6）將平衡后的混合氣體溶于水，取少量上層清液，向其中滴加足量的AgNO3溶液，反應(yīng)后過濾，取沉淀向其中加入Na2S溶液，可觀察到                   。
          

			
          
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          （14分）高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上，用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4（g）+2H2（g） Si（s）+4HCl（g） 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4（g）和H2（g），分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示：
          


          


          （1）T1時(shí)，反應(yīng)開始的2 min內(nèi)，
用HCl表示的反應(yīng)速率為             
 。
          


          （2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為：K＝                           。
          


          （3）保持其他條件不變，下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是      　　　    。
          


          a．充入更多的SiCl4（g）
          


          b．充入更多的H2（g） 
          


          c．及時(shí)分離出Si（s）
          


          d．使用催化劑
          


          e．將容器的體積擴(kuò)大一倍
          


          （4）據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析：T1         T2（填“＞”或“＜”，下同），理由是          
。已知n1>n2，ΔH        0。
          


          （5）有同學(xué)認(rèn)為，采用水淋法來吸收生成的HCl，可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識      （填“合理”或“不合理”），理由是                            
。 
          


          （6）將平衡后的混合氣體溶于水，取少量上層清液，向其中滴加足 量的AgNO3溶液，反應(yīng)后過濾，取沉淀向其中加入Na2S溶液，可觀察到                   
。
          


           
          

			
          
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          （14分）高純硅是當(dāng)今科技的核心材料。工業(yè)上，用氫氣還原四氯化硅制得高純硅的反應(yīng)為SiCl4（g）+2H2（g） Si（s）+4HCl（g） 。已知SiCl4可完全水解生成硅酸和鹽酸。向容積為1L的密閉容器中充入一定量的SiCl4（g）和H2（g），分別在T1和T2溫度時(shí)進(jìn)行反應(yīng)。SiCl4的物質(zhì)的量隨時(shí)間變化情況如下表所示：
          （1）T1時(shí)，反應(yīng)開始的2 min內(nèi)，用HCl表示的反應(yīng)速率為              。
          （2）該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達(dá)式為：K＝                           。
          （3）保持其他條件不變，下列措施可提高SiCl4轉(zhuǎn)化率的是      　　　    。
          a．充入更多的SiCl4（g）
          b．充入更多的H2（g） 
          c．及時(shí)分離出Si（s）
          d．使用催化劑
          e．將容器的體積擴(kuò)大一倍
          （4）據(jù)上表中的數(shù)據(jù)分析：T1         T2（填“＞”或“＜”，下同），理由是          。已知n1>n2，ΔH        0。
          （5）有同學(xué)認(rèn)為，采用水淋法來吸收生成的HCl，可以提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率。該認(rèn)識      （填“合理”或“不合理”），理由是                            。 
          （6）將平衡后的混合氣體溶于水，取少量上層清液，向其中滴加足 量的AgNO3溶液，反應(yīng)后過濾，取沉淀向其中加入Na2S溶液，可觀察到                   。
           
          

			
          
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