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        1. 9.下列說(shuō)法中正確的是 ( ) A.水的熔點(diǎn)比硫化氫高,其原因與氫鍵有關(guān) B.含陽(yáng)離子的晶體一定同時(shí)含陰離子 C.以共價(jià)鍵構(gòu)成的晶體,其熔點(diǎn).硬度一般都比較低 D.氮化硅是一種耐高溫耐磨的新型材料,屬于分子晶體 查看更多

           

          題目列表(包括答案和解析)

          下列說(shuō)法中正確的是( 。
          ①干冰在升華時(shí)只破壞氫鍵
          ②極性分子中肯定含有極性鍵,則含有極性鍵的分子一定是極性分子
          ③離子化合物一定含有離子鍵,則共價(jià)化合物中一定不含有離子鍵
          ④VIIA族單質(zhì)從上到下,熔沸點(diǎn)越來(lái)越高,則IA族單質(zhì)的熔沸點(diǎn)也越來(lái)越高
          ⑤H2O分子間存在著氫鍵,故H2O分子比H2S分子穩(wěn)定
          ⑥在熔融狀態(tài)和水溶液中均不能導(dǎo)電的物質(zhì)稱為非電解質(zhì)
          ⑦HClO4酸性比H2SO4酸性強(qiáng),說(shuō)明氯的非金屬性比硫強(qiáng).
          A、①②③⑤B、②④⑥C、①③⑥D、③⑦

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          下列說(shuō)法中正確的是
          ①晶體中只要有陽(yáng)離子,就一定有陰離子
          ②極性分子中肯定含有極性鍵,則含有極性鍵的的分子一定是極性分子
          ③離子化合物一定含有離子鍵,則共價(jià)化合物中一定不含有離子鍵
          ④VIIA族單質(zhì)從上到下,熔沸點(diǎn)越來(lái)越高,則IA族單質(zhì)的熔沸點(diǎn)也越來(lái)越高
          ⑤H2O分子間存在著氫鍵,故H2O分子比H2S分子穩(wěn)定
          ⑥在熔融狀態(tài)和水溶液中均不能導(dǎo)電的物質(zhì)稱為非電解質(zhì)
          ⑦HClO4酸性比H2SO4酸性強(qiáng),說(shuō)明氯的非金屬性比硫強(qiáng)
          A.①②③⑤B.②④⑥C.③⑦D.①③⑥

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          下列說(shuō)法中正確的是
          ①晶體中只要有陽(yáng)離子,就一定有陰離子
          ②極性分子中肯定含有極性鍵,則含有極性鍵的的分子一定是極性分子
          ③離子化合物一定含有離子鍵,則共價(jià)化合物中一定不含有離子鍵
          ④VIIA族單質(zhì)從上到下,熔沸點(diǎn)越來(lái)越高,則IA族單質(zhì)的熔沸點(diǎn)也越來(lái)越高
          ⑤H2O分子間存在著氫鍵,故H2O分子比H2S分子穩(wěn)定
          ⑥在熔融狀態(tài)和水溶液中均不能導(dǎo)電的物質(zhì)稱為非電解質(zhì)
          ⑦HClO4酸性比H2SO4酸性強(qiáng),說(shuō)明氯的非金屬性比硫強(qiáng)

          A.①②③⑤B.②④⑥C.③⑦D.①③⑥

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          下列說(shuō)法正確的是( )
          A.水的沸點(diǎn)比硫化氫的高,是因?yàn)镠2O分子內(nèi)存在氫鍵,H2S分子內(nèi)不能形成氫鍵
          B.晶體中有陰離子則必然有陽(yáng)離子,而有陽(yáng)離子不一定有陰離子
          C.金剛石的熔點(diǎn)比晶體硅高,是因金剛石為原子晶體而晶體硅為分子晶體
          D.二氧化硅晶體的熔點(diǎn)較高,是因晶體中SiO2分子間的作用力較強(qiáng)

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          下列說(shuō)法,不正確的是
          ①將有二氧化氮?dú)怏w的試管倒立在水中,溶液會(huì)充滿試管
          ②酒精燈加熱鋁箔至熔化,鋁不滴落,因?yàn)殇X表面的一層致密氧化膜熔點(diǎn)比鋁高
          ③為測(cè)定熔融氫氧化鈉的導(dǎo)電性,可將氫氧化鈉固體放在石英坩堝中加熱熔化
          ④電解從海水中得到的氯化鎂溶液可獲得金屬鎂
          ⑤向蔗糖中加入濃硫酸后出現(xiàn)發(fā)黑現(xiàn)象,說(shuō)明濃硫酸具有吸水性.


          1. A.
            ①③④⑤
          2. B.
            ②③④
          3. C.
            ①③④
          4. D.
            ①②④⑤

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