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單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：    
① SiO₂ + 2C Si + 2CO     ② Si + 2Cl₂SiCl₄  ③ SiCl₄ + 2H₂Si + 4HCl。
回答下列問(wèn)題：
（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是           （填序號(hào)）。
（2）反應(yīng)①和③屬于           。
A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)
（3）下列描述正確的是         。
A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)
B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降
C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)         
D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2014年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成100億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為 ： 

①SiO₂ + 2CSi  + 2CO

②Si + 2Cl₂SiCl₄

③SiCl₄ + 2H₂  Si + 4HCl

其中，反應(yīng)①和③屬于

A．化合反應(yīng)       B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)       D．復(fù)分解反應(yīng)o

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：    

① SiO₂ + 2C Si + 2CO     ② Si + 2Cl₂SiCl₄  ③ SiCl₄ + 2H₂Si + 4HCl。

回答下列問(wèn)題：

（1）上述反應(yīng)中，屬于氧化還原反應(yīng)的是           （填序號(hào)）。

（2）反應(yīng)①和③屬于           。

A．化合反應(yīng)      B．分解反應(yīng)       C．置換反應(yīng)      D．復(fù)分解反應(yīng)

（3）下列描述正確的是         。

A．氧化還原反應(yīng)都是置換反應(yīng)

B．判斷一個(gè)反應(yīng)是否為氧化還原反應(yīng)的依據(jù)是是否有化合價(jià)的升降

C．化合反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)         

D．復(fù)分解反應(yīng)全部都是氧化還原反應(yīng)

單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料�？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大的多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為 ：

①SiO₂ + 2C  Si + 2CO②Si + 2Cl₂SiCl₄       ③SiCl₄ + 2H₂Si + 4HCl，

其中反應(yīng)①和③屬于（     ）

A. 化合反應(yīng)      B. 分解反應(yīng)        C. 置換反應(yīng)         D. 復(fù)分解反應(yīng)