Question

【題目】如圖所示，Ⅰ、Ⅱ兩條虛線之間存在勻強(qiáng)磁場，磁場方向與豎直紙面垂直。一個(gè)質(zhì)量為m、邊長為L的正方形導(dǎo)體框，在此平面內(nèi)沿豎直方向運(yùn)動，t=0時(shí)刻導(dǎo)體框的上半部分恰好進(jìn)入磁場，速度為v0。經(jīng)歷一段時(shí)間后，當(dāng)導(dǎo)體框上半部分恰好出磁場時(shí)，速度為零。此后導(dǎo)體框下落，再經(jīng)歷一段時(shí)間到達(dá)初始位置。則導(dǎo)體框（　　）

A.在上升過程中的加速度一直大于g

B.在上升過程中的時(shí)間比下落過程中的少

C.在上升過程中安培力做的功比下落過程中的多

D.在上升過程中電阻消耗的電能比下落過程中的大

Answer 1

【答案】BCD

【解析】

A．整個(gè)導(dǎo)體框在磁場內(nèi)上升過程中只受重力作用，則其加速度等于g，選項(xiàng)A錯(cuò)誤；

B．上升過程經(jīng)過磁場邊界時(shí)，受向下的安培力，則加速度大于g；下降過程經(jīng)過磁場邊界時(shí)，受向上的安培力，則加速度小于g；上升下降的位移大小相等，可知在上升過程中的時(shí)間比下落過程中的少，選項(xiàng)B正確；

C．根據(jù)能量守恒定律可知，線框經(jīng)過同一位置時(shí)：上升的速率大于下降的速率，上升過程的安培力大小較大，而位移大小相等，所以上升過程中比下降過程中克服安培力做的功多，故C正確。

D．因克服安培力做功等于產(chǎn)生的電能，可知在上升過程中電阻消耗的電能比下落過程中的大，選項(xiàng)D正確。

故選BCD。