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          如圖所示，一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電量為﹣q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)速度最小，最小值為v．已知靜電力常量為k 、點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ 及 AB間距離為L0，則
            
            
          A．OB間的距離為
            
          B．從A到B的過程中，電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為
            
          C．從A到B的過程中，電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為
            
          D．在點(diǎn)電荷甲形成的電場中，AB間電勢差
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          AB
            
          解析:
          由題意電荷從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)速度最小，說明庫侖力小于摩擦力可知運(yùn)動(dòng)電荷從A至B做加速度減小的減速運(yùn)動(dòng)。B點(diǎn)的加速度減為0，庫侖力等于摩擦力，所以O(shè)B間的距離為。根據(jù)此過程動(dòng)能定理得：電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          如圖所示，一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k，則（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2009?揚(yáng)州模擬）如圖所示，一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)，另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v．已知靜電力常量為k，點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L則（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2011?鷹潭一模）如圖所示，一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電學(xué)量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)時(shí)的速度為v，且為運(yùn)動(dòng)過程中速度最小值．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L0，靜電力常量為k，則下列說法正確的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2013?湖南模擬）如圖所示，一個(gè)電量為+Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)，另一個(gè)電量為-q、質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙從A點(diǎn)以初速度vo沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)時(shí)速度最小且為v．已知靜電力常量為k，點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，AB間距離為L，則以下說法不正確的是（　　）
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          精英家教網(wǎng)如圖所示，一個(gè)電量為-Q的點(diǎn)電荷甲，固定在絕緣水平面上的O點(diǎn)．另一個(gè)電量為+q及質(zhì)量為m的點(diǎn)電荷乙，從A點(diǎn)以初速度v0沿它們的連線向甲運(yùn)動(dòng)，到B點(diǎn)的速度最小為v．已知點(diǎn)電荷乙與水平面的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ、AB間距離為L0及靜電力常量為k，則（　　）
          A、OB間的距離大于
          kQq
          μmg
          B、點(diǎn)電荷乙能越過B點(diǎn)向左運(yùn)動(dòng)，其電勢能仍增多
          C、在點(diǎn)電荷甲形成的電場中，AB間電勢差UAB=
          μmgL+
          1
          2
          mv2-
          1
          2
          m
          v
          2
          0
          q
          D、從A到B的過程中，電場力對點(diǎn)電荷乙做的功為W=μmgL0+
          1
          2
          m
          v
          2
          0
          -
          1
          2
          mv2
          

			
          

			
          
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