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        1. 2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

          60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

           

          1)寫出釷核衰變方程;

           

          2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

           

          3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t

           

          答案:見詳解
          解析:

          (1)釷核衰變方程

          Th→He+Ra①

          (2)設(shè)粒子離開電場(chǎng)時(shí)速度為v,對(duì)加速過程有

          粒子在磁場(chǎng)中有

           ③

          由②、③得

           ④

          (3)粒子做圓周運(yùn)動(dòng)的回旋周期

           ⑤

          粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間

           ⑥

          由⑤、⑥得

           


          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2004?天津)釷230Th核發(fā)生衰變生成鐳核226Ra并放出一個(gè)粒子,設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它以速度v0進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1和S2間電場(chǎng),經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿OX方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),OX垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從點(diǎn)P離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與OX方向的夾角θ=60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中,
          (1)寫出釷核衰變方程;
          (2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;
          (3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用的時(shí)間t.

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          科目:高中物理 來源:物理教研室 題型:038

          2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

          60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

           

          1)寫出釷核衰變方程;

           

          2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

           

          3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t

           

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          科目:高中物理 來源: 題型:038

          2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

          60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

          1)寫出釷核衰變方程;

           

          2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

           

          3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t

           

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          科目:高中物理 來源:物理教研室 題型:038

          2004·天津)釷核Th發(fā)生衰變生成鐳核Ra并放出一個(gè)粒子.設(shè)該粒子的質(zhì)量為m、電荷量為q,它進(jìn)入電勢(shì)差為U的帶窄縫的平行平板電極S1S2間電場(chǎng)時(shí),其速度為v0,經(jīng)電場(chǎng)加速后,沿Ox方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B、方向垂直紙面向外的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),Ox垂直平板電極S2,當(dāng)粒子從P點(diǎn)離開磁場(chǎng)時(shí),其速度方向與Ox方位的夾角=

          60°,如圖所示,整個(gè)裝置處于真空中.

          1)寫出釷核衰變方程;

           

          2)求粒子在磁場(chǎng)中沿圓弧運(yùn)動(dòng)的軌道半徑R;

           

          3)求粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所用時(shí)間t

           

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