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        1. 如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挾葹?/span>L,一邊長(zhǎng)為d(d>L)的矩形線(xiàn)圈以恒定的速度v向右通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.在這個(gè)過(guò)程中,沒(méi)有感應(yīng)電流的時(shí)間為(。

          Ad/v             B2d/v              C(d-L)/v           D(d-2L)/v

           

          答案:C
          提示:

          對(duì)電磁感應(yīng)的基本考查

           


          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線(xiàn)和磁感線(xiàn)方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則( 。

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線(xiàn)和磁感線(xiàn)方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則( 。

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          (2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模)如圖所示,勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度 B=0.2T,磁場(chǎng)寬度 L=0.3m,一正方形金屬框邊長(zhǎng) ab=0.1m,每邊電阻R=0.2Ω,金屬框在拉力F作用下以v=10m/s的速度勻速穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū),其平面始終保持與磁感線(xiàn)方向垂直.求:
          (1)畫(huà)出金屬框穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)的過(guò)程中,金屬框內(nèi)感應(yīng)電流i和a、b兩端電壓Uab隨時(shí)間t的變化圖線(xiàn)(規(guī)定以adcba為正方向);
          (2)金屬框穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域的過(guò)程中,拉力F做的功;
          (3)金屬框穿過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域的過(guò)程中,導(dǎo)線(xiàn)ab上所產(chǎn)生的熱量.

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          精英家教網(wǎng)在如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)正交的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線(xiàn)和磁感線(xiàn)方向以速度v0射入場(chǎng)區(qū),則( 。
          A、若v0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0
          B、若v0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
          C、若υ0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度υ>υ0
          D、若υ0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度υ<υ0

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          精英家教網(wǎng)在方向如圖所示的勻強(qiáng)電場(chǎng)(場(chǎng)強(qiáng)為E)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(磁感應(yīng)強(qiáng)度為B)共存的場(chǎng)區(qū),一電子沿垂直電場(chǎng)線(xiàn)和磁感線(xiàn)方向以速度v0 射入場(chǎng)區(qū),則( 。
          A、若v0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v>v0
          B、若v0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
          C、若v0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅰ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0
          D、若v0
          E
          B
          ,電子沿軌跡Ⅱ運(yùn)動(dòng),射出場(chǎng)區(qū)時(shí),速度v<v0

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