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        1. 霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖丙所示,在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)電壓UH,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù)。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù)。

          ①若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖丙所示,該同學用電壓表測量UH時,應將電壓表的“+”接線柱與_________(填“M”或“N”)端通過導線相連。

          ②已知薄片厚度d=0.40mm,該同學保持磁感應強度B=0.10T不變,改變電流I的大小,測量

          I(×103 A)

          3.0

          6.0

          9.0

          12.0

          15.0

          18.0

          UH(×103 V)

          1.1

          1.9

          3.4

          4.5

          6.2

          6.8

          相應的UH值,記錄數(shù)據(jù)如下表所示。

          根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)(見答題卡)畫出UH—I圖線,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為_______________(保留2位有效數(shù)字)。

          ③該同學查閱資料發(fā)現(xiàn),使半導體薄片中的電流反向再次測量,取兩個方向測量的平均值,可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差,為此該同學設計了如圖丁所示的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關,虛線框內(nèi)為半導體薄片(未畫出)。為使電流從Q端流入,P端流出,應將S1擲向_______(填“a”或“b”), S2擲向_______(填“c”或“d”)。

          為了保證測量安全,該同學改進了測量電路,將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中。在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應串聯(lián)在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。

                       圖丁

          M

          如右圖所示,1.5(1.4或1.6)

          b,c;S1E

          【KS5U解析】(1)由游標卡尺的結構原理可知測內(nèi)經(jīng),應選游標卡尺的內(nèi)測量腳,故選填A;游標卡尺的主尺讀數(shù)為11mm,游標尺的讀數(shù)為50.05mm=0.25mm,故鋼筆帽的內(nèi)徑為11.25mm。

          (2)①由于導電空穴為帶正電的粒子,由電流方向和磁場方向結合左手定則可判斷出正粒子向M板偏轉(zhuǎn),故M板的電勢高,電壓表的“+”接線柱應與M端連接。

          ②根據(jù)表格數(shù)據(jù),在坐標紙上描點、連線,注意使圖線盡可能多的穿過坐標點,不在線上的點均勻分布在線的兩側(cè),誤差較大的點予以舍去。(作圖暫略)。

          由題意,即圖線的斜率表示,將已知數(shù)據(jù)代入可求得。

          ③外電路中,電流由電源正極流出,經(jīng)用電器流入電源負極,故接b,接c時,電流自Q端流入P端流出;為了避免開關接錯位置導致電源短路而被燒壞,應在開關和電源E之間串聯(lián)一保護電阻。

          練習冊系列答案
          相關習題

          科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

          霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展.如圖1所示,在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)電壓UH,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足UH=k
          IB
          d
          ,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù).某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù).精英家教網(wǎng)
          精英家教網(wǎng)
          ①若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖1所示,該同學用電壓表測量UH時,應將電壓表的“+”接線柱與
           
          (填“M”或“N”)端通過導線相連.
          ②已知薄片厚度d=0.40mm,該同學保持磁感應強度B=0.10T不變,改變電流I的大小,測量相應的UH值,記錄數(shù)據(jù)如下表所示.
          I(×10-3A) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
          UH(×10-3V) 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
          根據(jù)表中數(shù)據(jù)在表格中畫出UH-I圖線,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為
           
          ×10-3V?m?A-1?T-1(保留2位有效數(shù)字).
          ③該同學查閱資料發(fā)現(xiàn),使半導體薄片中的電流反向再次測量,取兩個方向測量的平均值,可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差,為此該同學設計了如圖2所示的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關,虛線框內(nèi)為半導體薄片(未畫出).為使電流從Q端流入,P端流出,應將S1擲向
           
          (填“a”或“b”),S2擲向
           
          (填“c”或“d”).
          為了保證測量安全,該同學改進了測量電路,將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中.在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應串聯(lián)在相鄰器件
           
           
          (填器件代號)之間.

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,在現(xiàn)代汽車上廣泛應用霍爾器件:ABS系統(tǒng) 中的速度傳感器、汽車速度表等.如圖1,在一矩形半導體薄片的P、Q間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)電壓UH,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足UH=k
          IB
          d
          ,式中k為霍爾系數(shù),由半導體材料的性質(zhì)決定,d為薄片的厚度.利用霍爾效應可以測出磁場中某處的磁感應強度B.
          精英家教網(wǎng)
          (1)為了便于改變電流方向作研究,設計如圖2的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關,虛線框內(nèi)為半導體薄片(未畫出).為使電流從P端流入,Q端流出,應將S1擲向
           
          (填“a”或“b”),S2擲向
           
          (填“c”或“d”).
          (2)已知某半導體薄片厚度d=0.40mm,霍爾系數(shù)為1.5×10-3V?m?A-1?T-1,保持待測磁場磁感應強度B不變,改變電流I的大小,測量相應的UH值,記錄數(shù)據(jù)如表.
          I(×10-3A) 3.0 6.0 9.0 12.0 15.0 18.0
          UH(×10-3V) 1.1 1.9 3.4 4.5 6.2 6.8
          根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)圖3中畫出UH-I圖線,利用圖線求出待測磁場B為
           
          T.
          (3)利用上述方法,可以粗略測出磁場的分布.為了更精細測出磁場的分布,可采取的措施有
           

          (A)選用厚度較薄的半導體薄片
          (B)選用厚度較厚的半導體薄
          (C)選用霍爾系數(shù)k大的半導體薄片
          (D)增大電流強度I.

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          科目:高中物理 來源:2013年全國普通高等學校招生統(tǒng)一考試理科綜合能力測試物理(山東卷帶解析) 題型:問答題

          (1)圖甲為一游標卡尺的結構示意圖,當測量一鋼筆帽的內(nèi)徑時,應該用游標卡尺的__________(填“A”“B”或“C”)進行測量;示數(shù)如圖乙所示,該鋼筆帽的內(nèi)徑為________mm。

          (2)霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖丙所示,在一矩形半導體薄片的PQ間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在MN間出現(xiàn)電壓UH,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù)。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù)。

          ①若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖丙所示,該同學用電壓表測量UH時,應將電壓表的“+”接線柱與_________(填“M”或“N”)端通過導線相連。
          ②已知薄片厚度d=0.40mm,該同學保持磁感應強度B=0.10T不變,改變電流I的大小,測量相應的UH值,記錄數(shù)據(jù)如下表所示。
           
          根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)(見答題卡)畫出UH—I圖線,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為_______________(保留2位有效數(shù)字)。
          ③該同學查閱資料發(fā)現(xiàn),使半導體薄片中的電流反向再次測量,取兩個方向測量的平均值,可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差,為此該同學設計了如圖丁所示的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關,虛線框內(nèi)為半導體薄片(未畫出)。為使電流從Q端流入,P端流出,應將S1擲向_______(填“a”或“b”),S2擲向_______(填“c”或“d”)。

          為了保證測量安全,該同學改進了測量電路,將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中。在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應串聯(lián)在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。

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          科目:高中物理 來源:2013年全國普通高等學校招生統(tǒng)一考試理科綜合能力測試物理(山東卷解析版) 題型:簡答題

          (1)圖甲為一游標卡尺的結構示意圖,當測量一鋼筆帽的內(nèi)徑時,應該用游標卡尺的__________(填“A”“B”或“C”)進行測量;示數(shù)如圖乙所示,該鋼筆帽的內(nèi)徑為________mm。

          (2)霍爾效應是電磁基本現(xiàn)象之一,近期我國科學家在該領域的實驗研究上取得了突破性進展。如圖丙所示,在一矩形半導體薄片的PQ間通入電流I,同時外加與薄片垂直的磁場B,在M、N間出現(xiàn)電壓UH,這個現(xiàn)象稱為霍爾效應,UH稱為霍爾電壓,且滿足,式中d為薄片的厚度,k為霍爾系數(shù)。某同學通過實驗來測定該半導體薄片的霍爾系數(shù)。

          ①若該半導體材料是空穴(可視為帶正電粒子)導電,電流與磁場方向如圖丙所示,該同學用電壓表測量UH時,應將電壓表的“+”接線柱與_________(填“M”或“N”)端通過導線相連。

          ②已知薄片厚度d=0.40mm,該同學保持磁感應強度B=0.10T不變,改變電流I的大小,測量相應的UH值,記錄數(shù)據(jù)如下表所示。

           

          根據(jù)表中數(shù)據(jù)在給定區(qū)域內(nèi)(見答題卡)畫出UH—I圖線,利用圖線求出該材料的霍爾系數(shù)為_______________(保留2位有效數(shù)字)。

          ③該同學查閱資料發(fā)現(xiàn),使半導體薄片中的電流反向再次測量,取兩個方向測量的平均值,可以減小霍爾系數(shù)的測量誤差,為此該同學設計了如圖丁所示的測量電路,S1、S2均為單刀雙擲開關,虛線框內(nèi)為半導體薄片(未畫出)。為使電流從Q端流入,P端流出,應將S1擲向_______(填“a”或“b”),S2擲向_______(填“c”或“d”)。

          為了保證測量安全,該同學改進了測量電路,將一合適的定值電阻串聯(lián)在電路中。在保持其它連接不變的情況下,該定值電阻應串聯(lián)在相鄰器件____________和__________(填器件代號)之間。

           

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