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        1. 如圖所示,一束電荷量為e的電子以垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B并垂直于磁場邊界的速度v射入寬度為d的勻強(qiáng)磁場中,穿出磁場時(shí)速度方向和原來射入方向的夾角為θ=600。求電子的質(zhì)量和穿越磁場的時(shí)間。

           

           

          【答案】

             

          【解析】

          試題分析:(1)電子垂直射入勻強(qiáng)磁場中,只受洛倫茲力作用做勻速圓周運(yùn)動(dòng),畫出軌跡,

          由幾何知識(shí)得到,軌跡的半徑為 r=

          由牛頓第二定律得:evB=m得:m=

          (2)由幾何知識(shí)得到,軌跡的圓心角為α=,t=

          考點(diǎn):本題考查帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)。

           

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2013?浙江)“電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RA和RB的同心金屬半球面A和B構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間.忽略電場的邊緣效應(yīng).
          (1)判斷球面A、B的電勢高低,并說明理由;
          (2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大;
          (3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φB和φC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量△Ek左和△Ek右分別為多少?
          (4)比較|△Ek左|和|△Ek右|的大小,并說明理由.

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          精英家教網(wǎng)如圖所示,一束電荷量為e的電子以垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B并垂直于磁場邊界的速度v射入寬度為d的勻強(qiáng)磁場中,穿出磁場時(shí)速度方向和原來射入方向的夾角為θ=60°,求電子的質(zhì)量和穿越磁場的時(shí)間.

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          科目:高中物理 來源: 題型:

           “電子能量分析器”主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成。偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示。一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M的正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間。忽略電場的邊緣效應(yīng)。

          (1)判斷半球面AB的電勢高低,并說明理由;

          (2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大;

          (3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φA、φBφC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量ΔEK和ΔEK分別為多少?

          (4)比較|ΔEK|和|ΔEK|的大小,并說明理由。

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          科目:高中物理 來源:2013-2014學(xué)年高考物理大二輪復(fù)習(xí)與測試強(qiáng)化練:功能關(guān)系在電學(xué)中的應(yīng)用(解析版) 題型:計(jì)算題

          電子能量分析器主要由處于真空中的電子偏轉(zhuǎn)器和探測板組成.偏轉(zhuǎn)器是由兩個(gè)相互絕緣、半徑分別為RARB的同心金屬半球面AB構(gòu)成,A、B為電勢值不等的等勢面,其過球心的截面如圖所示.一束電荷量為e、質(zhì)量為m的電子以不同的動(dòng)能從偏轉(zhuǎn)器左端M板正中間小孔垂直入射,進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場區(qū)域,最后到達(dá)偏轉(zhuǎn)器右端的探測板N,其中動(dòng)能為Ek0的電子沿等勢面C做勻速圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)N板的正中間.忽略電場的邊緣效應(yīng).

          (1)判斷半球面A、B的電勢高低,并說明理由;

          (2)求等勢面C所在處電場強(qiáng)度E的大。

          (3)若半球面A、B和等勢面C的電勢分別為φAφBφC,則到達(dá)N板左、右邊緣處的電子,經(jīng)過偏轉(zhuǎn)電場前、后的動(dòng)能改變量ΔEkΔEk分別為多少?

          (4)比較|ΔEk||ΔEk|的大小,并說明理由.

           

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          科目:高中物理 來源:2010年河北省邯鄲市高二上學(xué)期期末考試物理試卷 題型:計(jì)算題

          如圖所示,一束電荷量為e的電子以垂直于磁感應(yīng)強(qiáng)度B并垂直于磁場邊界的速度v射入寬度為d的勻強(qiáng)磁場中,穿出磁場時(shí)速度方向和原來射入方向的夾角為θ=600。求電子的質(zhì)量和穿越磁場的時(shí)間。

           

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