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          核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫，為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)（否則不可能發(fā)生核反應），通常采用磁約束的方法（托卡馬克裝置）。如圖所示，環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域，中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大，都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，磁場的磁感強度B=1.0T，若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏，中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
          求：（1）粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場，不能穿越磁場的最大速度。
          （2）所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          （1） 1.5х107m/s （2）1.0х107m/s
          

          解析
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
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				相關習題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫，為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)（否則不可能發(fā)生核反應），通常采用磁約束的方法（托卡馬克裝置）．如圖所示，環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域，中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大，都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)．設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1，外半徑為R2，磁場的磁感強度為B，若被束縛帶電粒子的比荷為q/m，中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度．求：
          （1）粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場，不能穿越磁場的最大速度．
          （2）所有粒子不能穿越磁場的最大速度．
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫，為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)（否則不可能發(fā)生核反應），通常采用磁約束的方法（托卡馬克裝置）．如圖5-6-18所示，環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域，中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大，都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)．設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，磁場的磁感強度B=1.0T，若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏，中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度．
          求：（1）粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場，不能穿越磁場的最大速度．
          （2）所有粒子不能穿越磁場的最大速度．
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫，為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)（否則不可能發(fā)生核反應），通常采用磁約束的方法（托卡馬克裝置）。如圖所示，環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域，中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大，都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，磁場的磁感強度B=1.0T，若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏，中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
          求：（1）粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場，不能穿越磁場的最大速度。
          （2）所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
           
           
           
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：2012年滬科版高中物理選修3-1 5.6洛倫茲力與現(xiàn)代科技練習卷（解析版）
				題型：計算題
			
          

						
          核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫，為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)（否則不可能發(fā)生核反應），通常采用磁約束的方法（托卡馬克裝置）。如圖所示，環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域，中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大，都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，磁場的磁感強度B=1.0T，若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏，中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
          


          


          求：（1）粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場，不能穿越磁場的最大速度。
          


          （2）所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
          


           
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：2011-2012蚌埠二中高三12月月考物理試卷
				題型：計算題
			
          

						
          核聚變反應需要幾百萬度以上的高溫，為把高溫條件下高速運動的離子約束在小范圍內(nèi)（否則不可能發(fā)生核反應），通常采用磁約束的方法（托卡馬克裝置）。如圖所示，環(huán)狀勻強磁場圍成中空區(qū)域，中空區(qū)域中的帶電粒子只要速度不是很大，都不會穿出磁場的外邊緣而被約束在該區(qū)域內(nèi)。設環(huán)狀磁場的內(nèi)半徑為R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，磁場的磁感強度B=1.0T，若被束縛帶電粒子的荷質比為q/m=4×107C/㎏，中空區(qū)域內(nèi)帶電粒子具有各個方向的速度。
          


          求：（1）粒子沿環(huán)狀的半徑方向射入磁場，不能穿越磁場的最大速度。
          


          （2）所有粒子不能穿越磁場的最大速度。
          


           
          


          


           
          


           
          

			
          

			
          
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