質(zhì)量為m、帶電荷量為q的小物塊，從傾角為
的光滑絕緣斜面上由靜止下滑，整個(gè)斜面置于方向水平向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，如圖所示．若帶電小物塊下滑后某時(shí)刻對(duì)斜面的作用力恰好為零，下面說(shuō)法中正確的是
| A．小物塊一定帶正電荷 |
| B．小物塊在斜面上運(yùn)動(dòng)時(shí)做勻加速直線運(yùn)動(dòng) |
| C．小物塊在斜面上運(yùn)動(dòng)時(shí)做加速度增大，而速度也增大的變加速直線運(yùn)動(dòng) |
D．小物塊在斜面上下滑過(guò)程中，當(dāng)小物塊對(duì)斜面壓力為零時(shí)的速率為 |
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小學(xué)生10分鐘應(yīng)用題系列答案
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：實(shí)驗(yàn)題
（16分）某同學(xué)要測(cè)量一均勻新材料制成的圓柱體的電阻率步驟如下：
（1）用螺旋測(cè)微器測(cè)量其直徑如右下圖，可知其直徑為 mm；
（2）用多用電表的電阻“×10”擋，按正確的操作步驟測(cè)此圓柱體的電阻，表盤(pán)的示數(shù)如圖，則該電阻的阻值約為 Ω。
（3）該同學(xué)想用伏安法更精確地測(cè)量其電阻R，現(xiàn)有的器材及其代號(hào)和規(guī)格如下：
待測(cè)圓柱體電阻R
電流表A1（量程0～3mA，內(nèi)阻約50Ω）
電流表A2（量程0～10mA，內(nèi)阻約30Ω）
電壓表V1（量程0～3V，內(nèi)阻約10kΩ）
電壓表V2（量程0～15V，內(nèi)阻約25kΩ）
直流電源E（電動(dòng)勢(shì)3V，內(nèi)阻不計(jì)）
滑動(dòng)變阻器R1（阻值范圍0～15Ω，允許通過(guò)的最大電流2.0A）
滑動(dòng)變阻器R2（阻值范圍0～2kΩ，允許通過(guò)的最大電流0.5A）， 開(kāi)關(guān)S、導(dǎo)線若干。
為使實(shí)驗(yàn)誤差較小，要求便于調(diào)節(jié)且測(cè)得多組數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，所選電流表 ；電壓表 ；滑動(dòng)變阻器 （填所選器材的符號(hào)），并在右上框中畫(huà)出測(cè)量的電路圖。
（4）如果實(shí)驗(yàn)中電流表示數(shù)為I，電壓表示數(shù)為U，并測(cè)出該棒的長(zhǎng)度為L(zhǎng)、直徑為d，則該材料的電阻率ρ= （用測(cè)出的物理量的符號(hào)表示）.
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
如圖甲所示，長(zhǎng)直導(dǎo)線與閉合金屬線框位于同一平面內(nèi)，長(zhǎng)直導(dǎo)線中的電流i隨時(shí)間t的變化關(guān)系如圖乙所示.在0-T/2時(shí)間內(nèi)，直導(dǎo)線中電流向上，則在T/2-T時(shí)間內(nèi)，線框中感應(yīng)電流的方向與所受安培力情況是（ ）
| A．感應(yīng)電流方向?yàn)轫槙r(shí)針，線框受安培力的合力方向向左 |
| B．感應(yīng)電流方向?yàn)槟鏁r(shí)針，線框受安培力的合力方向向右 |
| C．感應(yīng)電流方向?yàn)轫槙r(shí)針，線框受安培力的合力方向向右 |
| D．感應(yīng)電流方向?yàn)槟鏁r(shí)針，線框受安培力的合力方向向左 |
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
如圖為某磁譜儀部分構(gòu)件的示意圖。圖中，永磁鐵提供勻強(qiáng)磁場(chǎng)，硅微條徑跡探測(cè)器可以探測(cè)粒子在其中運(yùn)動(dòng)的軌跡。宇宙射線中有大量的電子、正電子和質(zhì)子。當(dāng)這些粒子從上部垂直進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)，下列說(shuō)法正確的是
| A．電子與正電子的偏轉(zhuǎn)方向一定不同 |
| B．電子和正電子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡一定相同 |
| C．僅依據(jù)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡無(wú)法判斷此粒子是質(zhì)子還是正電子 |
| D．粒子的動(dòng)能越大，它在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌跡的半徑越小 |
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
如圖所示，圓形區(qū)域內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，一個(gè)質(zhì)量為m的帶電量為q的粒子以速度v從A點(diǎn)沿直徑AOB方向射入磁場(chǎng)，經(jīng)過(guò)一段時(shí)間從C點(diǎn)射出磁場(chǎng)，OC與OB成60°角．求：
（1）該帶電粒子的電性；
（2）該帶電粒子圓周運(yùn)動(dòng)的半徑；
（3）該帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間。
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
如圖所示，在平面直角坐標(biāo)系中有一個(gè)垂直紙面向里的圓形勻強(qiáng)磁場(chǎng)，其邊界過(guò)原點(diǎn)O和y軸上的點(diǎn)a（0，L）。一質(zhì)量為m、電荷量為e的電子從a點(diǎn)以初速度v0平行于x軸正方向射入磁場(chǎng)，并從x軸上的b點(diǎn)射出磁場(chǎng)，此時(shí)速度的方向與x軸正方向的夾角為60°．下列說(shuō)法正確的是
A．電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為 |
B．電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為 |
C．磁場(chǎng)區(qū)域的圓心坐標(biāo)為（ ， ） |
| D．電子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的圓心坐標(biāo)為（0，－2L） |
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
如圖，在矩形區(qū)域abcd區(qū)域中，分布有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，ab長(zhǎng)為L(zhǎng),在ab的中點(diǎn)P處有一電子發(fā)射源，出射電子速率取一切可能值，所有電子出射的速度方向均與ab成30°，下列說(shuō)法正確的是( )
| A．只要初速度大小取合適的值，電子可以在磁場(chǎng)中做完整的圓周運(yùn)動(dòng) |
| B．電子入射速度越大，在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間一定越短 |
| C．從ad邊出射的電子一定比從bc出射的粒子時(shí)間長(zhǎng) |
D．當(dāng) 時(shí)，cd邊無(wú)電子射出 |
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
回旋加速器是用來(lái)加速帶電粒子的裝置，如圖所示．它的核心部分是兩個(gè)D形金屬盒，兩盒相距很近，分別和高頻交流電源相連接，兩盒間的窄縫中形成勻強(qiáng)電場(chǎng)，使帶電粒子每次通過(guò)窄縫都得到加速．兩盒放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于盒底面，帶電粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)，通過(guò)兩盒間的窄縫時(shí)反復(fù)被加速，直到達(dá)到最大圓周半徑時(shí)通過(guò)特殊裝置被引出．如果用同一回旋加速器分別加速氚核（
）和α粒子（
）比較它們所加的高頻交流電源的周期和獲得的最大動(dòng)能的大小，有
| A．加速氚核的交流電源的周期較大，氚核獲得的最大動(dòng)能也較大 |
| B．加速氚核的交流電源的周期較大，氚核獲得的最大動(dòng)能較小 |
| C．加速氚核的交流電源的周期較小，氚核獲得的最大動(dòng)能也較小 |
| D．加速氚核的交流電源的周期較小，氚核獲得的最大動(dòng)能較大 |
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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：單選題
在半導(dǎo)體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P＋和P3＋，經(jīng)電壓為U的電場(chǎng)加速后，垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，如圖所示．已知離子P＋在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)動(dòng)θ＝30°后從磁場(chǎng)右邊界射出．在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，離子P＋和P3＋
A．在電場(chǎng)中的加速度之比為1∶1
B．在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑之比為∶1
C．在磁場(chǎng)中轉(zhuǎn)過(guò)的角度之比為1∶2
D．離開(kāi)電場(chǎng)區(qū)域時(shí)的動(dòng)能之比為1∶3
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物塊向下加速v增大，F(xiàn)洛也在增大，
