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        1. 一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電離子,從圖示質(zhì)譜儀的容器A下方的小孔S1飄入電勢差為U的勻強(qiáng)電場,被加速后經(jīng)孔S2、S3垂直于磁場方向(磁場方向垂直于紙面)進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場.在磁場中離子沿虛線所示軌跡運(yùn)動(dòng),最后打在照相底片上的D處.

          (1)請分別指出勻強(qiáng)電場和勻強(qiáng)磁場的方向;

          (2)求出離子經(jīng)孔S3進(jìn)入磁場時(shí)的速率;

          (3)求出D位置到孔S3的距離.

          解:(1)電場方向豎直向下,磁場方向垂直紙面向外

          (2)離子在電場中被加速,設(shè)離子到達(dá)孔S3時(shí)的速率為v

          由動(dòng)能定理有qU=mv2

          解得v=

          (3)離子在磁場中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),設(shè)軌道半徑為R

          由牛頓定律有qvB=

          解得R=

          所以DS3=2R=

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2008?武漢一模)如圖所示,在平面直角坐標(biāo)系中有一個(gè)垂直紙面向里的圓形勻強(qiáng)磁場,其邊界過原點(diǎn)O和y軸上的點(diǎn)a(0,L)、一質(zhì)量為m、電荷量為e的電子從a點(diǎn)以初速度v0平行于x軸正方向射入磁場,并從x軸上的b點(diǎn)射出磁場,此時(shí)速度方向與x軸正方向的夾角為60°.下列說法中正確的是( 。

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2013?廈門模擬)如圖所示,四分之一光滑絕緣圓弧軌道AP和水平絕緣傳送帶PC固定在同一豎直平面內(nèi),圓弧軌道的圓心為O,半徑為R;P點(diǎn)離地高度也為R,傳送帶PC之間的距離為L,沿逆時(shí)針方向的傳動(dòng),傳送帶速度v=
          2gR
          ,在PO的左側(cè)空間存在方向豎直向下的勻強(qiáng)電場.一質(zhì)量為m、電荷量為+q的小物體從圓弧頂點(diǎn)A由靜止開始沿軌道下滑,恰好運(yùn)動(dòng)到C端后返回.物體與傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,不計(jì)物體經(jīng)過軌道與傳送帶連接處P時(shí)的機(jī)械能損失,重力加速度為g.求:

          (1)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)E為多大;
          (2)物體返回到圓弧軌道P點(diǎn),物體對圓弧軌道的壓力大;
          (3)若在直線PC上方空間再加上磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(圖中未畫出),物體從圓弧頂點(diǎn)A靜止釋放,運(yùn)動(dòng)到C端后做平拋運(yùn)動(dòng),落地點(diǎn)離C點(diǎn)的水平距離為R,試求物體在傳送帶上運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t.

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          (2011?四川模擬)如圖所示,一質(zhì)量為m、電荷量為q的小球在電場強(qiáng)度為E的勻強(qiáng)電場中,以初速度υ0沿直線ON做勻變速運(yùn)動(dòng),直線ON與水平面的夾角為30°.若小球在初始位置的電勢能為零,重力加速度為g,且mg=Eq,則( 。

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          精英家教網(wǎng)如圖所示,足夠大的絕緣水平面上有一質(zhì)量為m、電荷量為-q的小物塊(視為質(zhì)點(diǎn)),從A點(diǎn)以初速度v0水平向右運(yùn)動(dòng),物塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.在距離A點(diǎn)L處有一寬度為L的勻強(qiáng)電場區(qū),電場強(qiáng)度方向水平向右,已知重力加速度為g,場強(qiáng)大小為E=
          2μmg
          q
          .則下列說法正確的是( 。
          A、適當(dāng)選取初速度v0,小物塊有可能靜止在電場區(qū)內(nèi)
          B、無論怎樣選擇初速度v0,小物塊都不可能靜止在電場區(qū)內(nèi)
          C、要使小物塊穿過電場區(qū)域,初速度v0的大小應(yīng)大于2
          2
          μgL
          D、若小物塊能穿過電場區(qū)域,小物塊在穿過電場區(qū)的過程中,機(jī)械能減少3μmgL

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          科目:高中物理 來源: 題型:

          絕緣水平面上固定一正點(diǎn)電荷Q,另一質(zhì)量為m、電荷量為—qq >0)的滑塊(可看作點(diǎn)電荷)從a點(diǎn)以初速皮沿水平面向Q運(yùn)動(dòng),到達(dá)b點(diǎn)時(shí)速度為 零.已知a、b間距離為s,滑塊與水平面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為,重力加速度為g.以下判斷正確的是               (  )

            A.滑塊在運(yùn)動(dòng)過程中所受Q的庫侖力有可能大于滑動(dòng)摩擦力

            B.滑塊在運(yùn)動(dòng)過程的中間時(shí)刻, 速度的大小小于

            C.此過程中產(chǎn)生的內(nèi)能為

            D.Q產(chǎn)生的電場中,a、b兩點(diǎn)間的電勢差為

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          同步練習(xí)冊答案