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科目:高中物理 來源: 題型:
如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉(zhuǎn)磁場及熒光屏組成。在加速電場右側(cè)有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進(jìn)入加速電場前的速度。
(1)求電子進(jìn)入磁場時的速度大;
(2)求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;
(3)若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
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科目:高中物理 來源:2012屆山東省菏澤學(xué)院附中高三5月高考沖刺理綜物理卷(帶解析) 題型:計算題
(19分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉(zhuǎn)磁場及熒光屏組成。在加速電場右側(cè)有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進(jìn)入加速電場前的速度。
(1)求電子進(jìn)入磁場時的速度大小;
(2)求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(3)若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
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科目:高中物理 來源:2012-2013學(xué)年浙江省高考模擬考試?yán)砭C物理卷(解析版) 題型:計算題
(22分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉(zhuǎn)磁場及熒光屏組成。在加速電場右側(cè)有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進(jìn)入加速電場前的速度。
(1) 求電子進(jìn)入磁場時的速度大;
(2) 調(diào)整勻強(qiáng)磁場的強(qiáng)弱重復(fù)實(shí)驗(yàn),電子可打在熒光屏上的不同位置。求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和此時磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小;
(3) 若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年山東省高三5月高考沖刺理綜物理卷(解析版) 題型:計算題
(19分)如圖所示,電子顯像管由電子槍、加速電場、偏轉(zhuǎn)磁場及熒光屏組成。在加速電場右側(cè)有相距為d、長為l的兩平板,兩平板構(gòu)成的矩形區(qū)域內(nèi)存在方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場,磁場的右邊界與熒光屏之間的距離也為d。熒光屏中點(diǎn)O與加速電極上兩小孔S1、S2位于兩板的中線上。從電子槍發(fā)射質(zhì)量為m、電荷量為 –e的電子,經(jīng)電壓為U0的加速電場后從小孔S2射出,經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)后,最后打到熒光屏上。若,不計電子在進(jìn)入加速電場前的速度。
(1)求電子進(jìn)入磁場時的速度大。
(2)求電子到達(dá)熒光屏的位置與O點(diǎn)距離的最大值和磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大;
(3)若撤去磁場,在原磁場區(qū)域加上間距仍為d的上、下極板構(gòu)成的偏轉(zhuǎn)電極,加速電極右側(cè)與偏轉(zhuǎn)電極緊靠。為了使電子經(jīng)電場偏轉(zhuǎn)后到達(dá)熒光屏上的位置與經(jīng)磁場偏轉(zhuǎn)的最大值相同。在保持O與S2距離不變,允許改變板長的前提下,求所加偏轉(zhuǎn)電壓的最小值。
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