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        1. 圖中abcd是一邊長(zhǎng)為l,具有質(zhì)量的剛性導(dǎo)線(xiàn)框,位于水平面內(nèi),bc邊中串接有電阻R,導(dǎo)線(xiàn)的電阻不計(jì),虛線(xiàn)表示一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的邊界,它與線(xiàn)框的ab邊平行,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為2l,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向豎直向下,線(xiàn)框在一垂直于ab邊的水平恒定拉力作用下,沿光滑水平面運(yùn)動(dòng),直到通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.已知ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框便變?yōu)閯蛩龠\(yùn)動(dòng),此時(shí)通過(guò)電阻R的電流的大小為i,求:
          (1)請(qǐng)說(shuō)明導(dǎo)線(xiàn)框剛進(jìn)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)的受力與運(yùn)動(dòng)情況.
          (2)試在圖中的i-x坐標(biāo)上定性畫(huà)出:從導(dǎo)線(xiàn)框剛進(jìn)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流i的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線(xiàn).

          【答案】分析:(1)正確分析線(xiàn)框所受安培力和拉力的大小關(guān)系,從而明確其運(yùn)動(dòng)情況,在分析安培力時(shí)注意,當(dāng)線(xiàn)框完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框磁通量不發(fā)生變化,沒(méi)有感應(yīng)電流,因此不受安培力作用.
          (2)根據(jù)感應(yīng)電流產(chǎn)生的條件結(jié)合運(yùn)動(dòng)情況可正確分析電阻R的電流i的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x的變化關(guān)系.
          解答:解:(1)根據(jù)線(xiàn)框所受安培力特點(diǎn),可知:
          ①?gòu)腶b邊進(jìn)入磁場(chǎng)到cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)期間,線(xiàn)框是勻速運(yùn)動(dòng)(這時(shí)線(xiàn)框受磁場(chǎng)力和拉力平衡).
          ②線(xiàn)框全部進(jìn)入磁場(chǎng)后到ab邊離開(kāi)磁場(chǎng)前的這段時(shí)間(即ab邊的位置在l與2l之間),線(xiàn)框的磁通不變,線(xiàn)框中無(wú)感應(yīng)電流,i=0,這期間線(xiàn)框不受磁場(chǎng)力,線(xiàn)框在恒定拉力F的作用下加速,使ab邊在離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度大于ab邊在進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度.
          ③當(dāng)ab邊離開(kāi)磁場(chǎng)右邊界時(shí)線(xiàn)框中的感應(yīng)電流i>i,其時(shí)線(xiàn)框(cd邊)受到的磁場(chǎng)力大于恒定拉力(方向和恒定拉力相反),線(xiàn)框獲得與運(yùn)動(dòng)方向相反的加速度.a(chǎn)b邊離開(kāi)磁場(chǎng)后(cd邊還在磁場(chǎng)里),線(xiàn)圈做減速運(yùn)動(dòng),使通過(guò)電阻R的電流i減小.這段時(shí)間使線(xiàn)框減速的反向加速度為:,這段時(shí)間發(fā)生的物理過(guò)程是:速度逐漸減小,安培力逐漸減小,從而導(dǎo)致加速度逐漸減小,說(shuō)明這段時(shí)間線(xiàn)框做加速度減小的減速運(yùn)動(dòng).
          (2)通過(guò)電阻R的電流i的大小隨ab邊位置坐標(biāo)x變化的曲線(xiàn)如圖:

          點(diǎn)評(píng):解答本題的關(guān)鍵是明確感應(yīng)電流產(chǎn)生條件,如當(dāng)線(xiàn)框完全進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),磁通量不發(fā)生變化,此時(shí)感應(yīng)電流為零,不受安培力作用,同時(shí)注意當(dāng)線(xiàn)框的速度發(fā)生變化時(shí),感應(yīng)電流發(fā)生變化,安培力同時(shí)發(fā)生變化.
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          圖中abcd是一邊長(zhǎng)為l,具有質(zhì)量的剛性導(dǎo)線(xiàn)框,位于水平面內(nèi),bc邊中串接有電阻R,導(dǎo)線(xiàn)的電阻不計(jì),虛線(xiàn)表示一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的邊界,它與線(xiàn)框的ab邊平行,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為2l,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向豎直向下,線(xiàn)框在一垂直于ab邊的水平恒定拉力作用下,沿光滑水平面運(yùn)動(dòng),直到通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.已知ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框便變?yōu)閯蛩龠\(yùn)動(dòng),此時(shí)通過(guò)電阻R的電流的大小為i0,求:
          (1)請(qǐng)說(shuō)明導(dǎo)線(xiàn)框剛進(jìn)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)的受力與運(yùn)動(dòng)情況.
          (2)試在圖中的i-x坐標(biāo)上定性畫(huà)出:從導(dǎo)線(xiàn)框剛進(jìn)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流i的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線(xiàn).

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          如圖11所示,abcd是一邊長(zhǎng)為l的勻質(zhì)正方形導(dǎo)線(xiàn)框,總電阻為R,今使線(xiàn)框以恒定速度v水平向右穿過(guò)方向垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.已知磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,磁場(chǎng)寬度為3l,求線(xiàn)框在進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)和穿出磁場(chǎng)區(qū)兩個(gè)過(guò)程中a b兩點(diǎn)間電勢(shì)差的大小.

                 圖11

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          科目:高中物理 來(lái)源:2011-2012學(xué)年廣東省高二下學(xué)期期中考試?yán)砜凭C合物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

          如圖為俯視圖,abcd是一邊長(zhǎng)為l的勻質(zhì)正方形導(dǎo)線(xiàn)框,總電阻為R,放在光滑的水平面上,今使線(xiàn)框在外力作用下以恒定速度v水平向右穿過(guò)方向垂直于水平面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域.已知磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,磁場(chǎng)寬度為3l,求

          (1)線(xiàn)框在進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)和穿出磁場(chǎng)區(qū)的兩個(gè)過(guò)程中的感應(yīng)電流方向和感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小

          (2)線(xiàn)框在進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)和穿出磁場(chǎng)區(qū)的兩個(gè)過(guò)程中a、b兩點(diǎn)間電勢(shì)差的大小.

           

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          科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題

          圖中abcd是一邊長(zhǎng)為l,具有質(zhì)量的剛性導(dǎo)線(xiàn)框,位于水平面內(nèi),bc邊中串接有電阻R,導(dǎo)線(xiàn)的電阻不計(jì),虛線(xiàn)表示一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的邊界,它與線(xiàn)框的ab邊平行,磁場(chǎng)區(qū)域的寬度為2l,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,方向豎直向下,線(xiàn)框在一垂直于ab邊的水平恒定拉力作用下,沿光滑水平面運(yùn)動(dòng),直到通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域.已知ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線(xiàn)框便變?yōu)閯蛩龠\(yùn)動(dòng),此時(shí)通過(guò)電阻R的電流的大小為i0,求:
          (1)請(qǐng)說(shuō)明導(dǎo)線(xiàn)框剛進(jìn)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)的受力與運(yùn)動(dòng)情況.
          (2)試在圖中的i-x坐標(biāo)上定性畫(huà)出:從導(dǎo)線(xiàn)框剛進(jìn)磁場(chǎng)到完全離開(kāi)磁場(chǎng)的過(guò)程中,流過(guò)電阻R的電流i的大小隨ab邊的位置坐標(biāo)x變化的曲線(xiàn).
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