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				如圖所示，由同種材料、粗細(xì)均勻的電阻絲制成邊長為的正方形線框，其總電阻為.現(xiàn)使線框以水平向右的速度勻速穿過一寬度為2、磁感應(yīng)強(qiáng)度為的勻強(qiáng)磁場區(qū)域，整個(gè)過程中、兩邊始終保持與磁場邊界平行.令線框的邊剛好與磁場左邊界重合時(shí)為零時(shí)刻，設(shè)，那么下圖中畫出的線框中、兩點(diǎn)間電勢差隨線框邊的位移變化的圖象正確的是?
            
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          C??
          解析：當(dāng)邊切割磁感線時(shí)，是外電路的一部分，故其電壓，持續(xù)的距離為.當(dāng)邊也進(jìn)入磁場后，雖然閉合電路中無電流，但仍有感應(yīng)電動(dòng)勢，故此時(shí)，持續(xù)時(shí)間為；當(dāng)穿出磁場后的過程中，為電源，此時(shí)為閉合電路的外電壓，即，且整個(gè)過程中，端電勢一直為正值，即＞0，故C項(xiàng)正確.
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          如圖所示，用同種材料制成一軌道，AB段為
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          圓弧，半徑為R，水平段BC長也為R，一個(gè)質(zhì)量為m的物體與軌道間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ，當(dāng)它從軌道的A點(diǎn)由靜止滑下運(yùn)動(dòng)至C恰好靜止，那么物體在AB段克服摩擦阻力做的功為（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          精英家教網(wǎng)如圖所示，由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi)，其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域，該區(qū)域的上邊界水平，并與線框的ab邊平行，磁場方向與線框平面垂直．已知磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，線框邊長為L，線框質(zhì)量為m，電阻為R．線框從磁場上方某高度處，由靜止開始下落，恰能勻速進(jìn)入磁場區(qū)域．求：
          （1）當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，線框的速度大��；
          （2）線框在進(jìn)入磁場的過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電荷量；
          （3）分析線框進(jìn)入磁場過程中的能量轉(zhuǎn)化情況．
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：2014屆北京市東城區(qū)（南片）高二下學(xué)期期末考試物理試卷（解析版）
				題型：計(jì)算題
			
          

						
          如圖所示，由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi)，其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域，該區(qū)域的上邊界水平，并與線框的ab邊平行，磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，線框邊長為L，線框質(zhì)量為m，電阻為R。線框從磁場上方某高度處，由靜止開始下落，恰能勻速進(jìn)入磁場區(qū)域。求：
          


          


          （1）當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，線框的速度大��；
          


          （2）線框在進(jìn)入磁場的過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電荷量；
          


          （3）分析線框進(jìn)入磁場過程中的能量轉(zhuǎn)化情況。
          


           
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：
			
          

						
          如圖所示，由同種材料制成的單匝正方形閉合導(dǎo)線框abcd位于豎直平面內(nèi)，其下方有一勻強(qiáng)磁場區(qū)域，該區(qū)域的上邊界水平，并與線框的ab邊平行，磁場方向與線框平面垂直。已知磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，線框邊長為L，線框質(zhì)量為m，電阻為R。線框從磁場上方某高度處，由靜止開始下落，恰能勻速進(jìn)入磁場區(qū)域。求：
              
              
          （1）當(dāng)ab邊剛進(jìn)入磁場時(shí)，線框的速度大��；
              
          （2）線框在進(jìn)入磁場的過程中，通過導(dǎo)線橫截面的電荷量；
              
          （3）分析線框進(jìn)入磁場過程中的能量轉(zhuǎn)化情況。
              
          

			
          

			
          
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