日韩亚洲一区中文字幕,日韩欧美三级中文字幕在线,国产伦精品一区二区三区,免费在线欧美性爱链接

      1. <sub id="o5kww"></sub>
        <legend id="o5kww"></legend>
        <style id="o5kww"><abbr id="o5kww"></abbr></style>

        <strong id="o5kww"><u id="o5kww"></u></strong>
        1. 一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I,則在此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面就會(huì)出現(xiàn)電壓,這種現(xiàn)象叫霍爾效應(yīng).

          (1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢(shì)高?

          (2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面的電壓與其中的電流成正比.(提示:先求出電流的微觀表達(dá)式)

          (3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器.其測(cè)量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,用毫安表測(cè)量通以電流I,用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U,就可測(cè)得B.若已知其霍爾系數(shù)k==10 mV/mA·T.并測(cè)得U=0.6 mV,I=3 mA.試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大。

          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          (2007?蘇州模擬)一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
          (1)此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢(shì)高?
          (2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
          (3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器.其測(cè)量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,用毫安表測(cè)量通以電流I,用毫伏表測(cè)量C、C,間的電壓U CC′,就可測(cè)得B.若已知其霍爾系數(shù)k=
          1ned
          =10mV/mA?T
          .并測(cè)得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小.

          查看答案和解析>>

          科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省沭陽(yáng)縣高二下學(xué)期期中調(diào)研測(cè)試物理試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題

          一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I

          (1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢(shì)高?
          (2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比;
          (3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測(cè)量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,用毫安表測(cè)量通以電流I,用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U, 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù),并測(cè)得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

          查看答案和解析>>

          科目:高中物理 來(lái)源:2014屆江蘇省沭陽(yáng)縣高二下學(xué)期期中調(diào)研測(cè)試物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

          一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e,將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。

          (1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢(shì)高?

          (2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比;

          (3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B的儀器。其測(cè)量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,用毫安表測(cè)量通以電流I,用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U, 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù),并測(cè)得U =0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

           

          查看答案和解析>>

          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示。已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I。
          (1)此元件的CC/兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢(shì)高?
          (2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC/ 兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
          (3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器。其測(cè)量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,用毫安表測(cè)量通以電流I,用毫伏表測(cè)量C、C/間的電壓U CC’, 就可測(cè)得B。若已知其霍爾系數(shù)。并測(cè)得U CC’=0.6mV,I=3mA。試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小。

          查看答案和解析>>

          科目:高中物理 來(lái)源:2007-2008學(xué)年江蘇省蘇州市五市三區(qū)高三(上)教學(xué)調(diào)研物理試卷(解析版) 題型:解答題

          一塊N型半導(dǎo)體薄片(稱霍爾元件),其橫載面為矩形,體積為b×c×d,如圖所示.已知其單位體積內(nèi)的電子數(shù)為n、電阻率為ρ、電子電荷量e.將此元件放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿Z軸方向,并通有沿x軸方向的電流I.
          (1)此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面中,哪個(gè)面電勢(shì)高?
          (2)試證明在磁感應(yīng)強(qiáng)度一定時(shí),此元件的CC′兩個(gè)側(cè)面的電勢(shì)差與其中的電流成正比
          (3)磁強(qiáng)計(jì)是利用霍爾效應(yīng)來(lái)測(cè)量磁感應(yīng)強(qiáng)度B 的儀器.其測(cè)量方法為:將導(dǎo)體放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)之中,用毫安表測(cè)量通以電流I,用毫伏表測(cè)量C、C,間的電壓U CC′,就可測(cè)得B.若已知其霍爾系數(shù).并測(cè)得UCC′=0.6mV,I=3mA.試求該元件所在處的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小.

          查看答案和解析>>

          同步練習(xí)冊(cè)答案