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          A、B兩個(gè)點(diǎn)電荷在真空中所產(chǎn)生電場的電場線（方向未標(biāo)出） 如圖所示。圖中C點(diǎn)為兩點(diǎn)電荷連線的中點(diǎn)，MN為兩點(diǎn)電荷連線的中垂線，D為中垂線上的一點(diǎn)，電場線的分布關(guān)于MN左右對稱。則下列說法中正確的是 

          A．這兩點(diǎn)電荷一定是等量異種電荷
          B．這兩點(diǎn)電荷一定等量同種電荷
          C．D、C兩點(diǎn)的電勢一定相等
          D．C點(diǎn)的電場強(qiáng)度比D點(diǎn)的電場強(qiáng)度大 
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          ACD
          

          解析試題分析：由電場線的形狀可以判斷出，這是兩個(gè)等量的異種電荷形成的電場，故A是正確的，B是不對的；又由于DC的連線與電場線是垂直的，故DC是等勢面上的一條直線，D、C兩點(diǎn)的電勢一定相等，C是正確的；從電場線的疏密程度可知，C點(diǎn)處在比較密的電場線中，D點(diǎn)處在比較稀疏的電場線中，故C點(diǎn)的電場強(qiáng)度比D點(diǎn)的電場強(qiáng)度大，D是正確的。
          考點(diǎn)：電場線，電勢，電場強(qiáng)度。
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          如圖所示，實(shí)線為一組方向未知的電場線，虛線為某帶電粒子經(jīng)過該區(qū)域時(shí)的運(yùn)動(dòng)軌跡，a、b為其軌跡上的兩點(diǎn)。若該粒子運(yùn)動(dòng)過程中只受電場力作用，根據(jù)以上敘述和圖示，對下列問題可以作出判斷的是 (     )
          A．粒子的帶電性質(zhì) 
          B．該粒子經(jīng)過a、b點(diǎn)時(shí)受到電場力的方向 
          C．比較該粒子經(jīng)過a、b點(diǎn)時(shí)的加速度大小 
          D．比較該粒子在a、b點(diǎn)時(shí)電勢能的大小 
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          如圖所示，原來不帶電的金屬導(dǎo)體MN，在其兩端下面都懸掛著金屬驗(yàn)電箔；若使帶負(fù)電的金屬球A靠近導(dǎo)體的M端，可能看到的現(xiàn)象是（   ）
          A．只有M端驗(yàn)電箔張開，且M端帶正電
          B．只有N端驗(yàn)電箔張開，且N端帶正電
          C．兩端的驗(yàn)電箔都張開，且左端帶負(fù)電，右端帶正電
          D．兩端的驗(yàn)電箔都張開，且兩端都帶正電或負(fù)電
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          用控制變量法，可以研究影響平行板電容器電容的因素(如圖所示)．設(shè)兩極板正對面積為S，極板間的距離為d，靜電計(jì)指針偏角為θ.實(shí)驗(yàn)中，極板所帶電荷量不變，若
          A．保持S不變，增大d，則θ變大 
          B．保持S不變，增大d，則θ變小 
          C．保持d不變，減小S，則θ變小 
          D．保持d不變，減小S，則θ不變 
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          如圖所示，a，b，c，d是某勻強(qiáng)電場中的四個(gè)點(diǎn)，它們正好是一個(gè)矩形的四個(gè)頂點(diǎn)，ab=cd=L，ad=bc=2L，電場線與矩形所在平面平行。已知a點(diǎn)電勢為20V，b點(diǎn)電勢為24V。d點(diǎn)電勢為12V。一個(gè)質(zhì)子從b點(diǎn)以v0的速度射入電場，入射方向與bc成45°，一段時(shí)間后經(jīng)過C點(diǎn)。不計(jì)質(zhì)子的重力，下列判斷正確的是
          A．c點(diǎn)的電勢低于a點(diǎn)的電勢 
          B．電場強(qiáng)度方向由b指向d 
          C．質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c所用的時(shí)間為 
          D．質(zhì)子從b運(yùn)動(dòng)到c，電場力做功為4 eV 
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          如圖所示，在x軸上固定放置等量異種點(diǎn)電荷+Q和-Q， x軸上的A、B兩點(diǎn)與負(fù)點(diǎn)電荷距離相等，其中A點(diǎn)位于兩點(diǎn)電荷之間，B點(diǎn)位于負(fù)電荷右側(cè)。下列判斷正確的是（    ）

          A．A、B兩點(diǎn)的場強(qiáng)方向相同
          B．A、B兩點(diǎn)的場強(qiáng)方向相反
          C．A點(diǎn)的場強(qiáng)一定大于B點(diǎn)的場強(qiáng)
          D．將一電荷量為+q的試探電荷從A點(diǎn)移動(dòng)到B點(diǎn)，電場力一定做正功
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          如圖所示，空心導(dǎo)體上方有一靠近的帶正電的帶電體。當(dāng)一個(gè)重力不計(jì)的正電荷以速度v水平飛入空心導(dǎo)體內(nèi)時(shí)，電荷將做（  ）
          A．向上偏轉(zhuǎn)的類平拋運(yùn)動(dòng)
          B．向下偏轉(zhuǎn)的類平拋運(yùn)動(dòng)
          C．勻速直線運(yùn)動(dòng)
          D．變速直線運(yùn)動(dòng)
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          超高壓帶電作業(yè)的電工穿戴的工作服是用包含銅絲的織物制成的，下列說法正確的是（  ）
          A．銅絲電阻小，能對人體起到保護(hù)作用 
          B．電工被銅絲紡織的衣服所包裹，使體內(nèi)電勢保持為零，對人體起保護(hù)作用 
          C．電工被銅絲紡織的衣服所包裹，使體內(nèi)電場強(qiáng)度保持為零，對人體起保護(hù)作用 
          D．銅絲必須達(dá)到一定的厚度，才能對人體起到保護(hù)作用 
          

			
          

			
          
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				科目：高中物理
				來源：
				題型：單選題
			
          

						
          細(xì)胞膜也稱生物膜或質(zhì)膜．是由類脂、蛋白質(zhì)和糖類組成．質(zhì)膜中的類脂也稱膜脂，是質(zhì)膜的基本骨架，膜蛋白質(zhì)是膜功能的主要體現(xiàn)者．如果細(xì)胞膜的厚度約等于800 nm(1 nm＝10－9 m)，當(dāng)膜的內(nèi)外層間的電壓達(dá)到0.4 V時(shí)，即可讓一價(jià)鈉離子滲透．設(shè)細(xì)胞膜內(nèi)的電場為勻強(qiáng)電場，則鈉離子在滲透時(shí)(　　)
          A．膜內(nèi)電場強(qiáng)度約為5×105 V/m 
          B．膜內(nèi)電場強(qiáng)度約為2×105 V/m 
          C．每個(gè)鈉離子沿電場方向透過膜時(shí)電場力做功約為6.4×10－20 J 
          D．每個(gè)鈉離子沿電場方向透過膜時(shí)電場力做功約為1.6×10－19 J 
          

			
          

			
          
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