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        1. 如圖所示,一塊半導(dǎo)體樣品板放在垂直于平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,當(dāng)有穩(wěn)恒電流I垂直于磁場(chǎng)方向通過(guò)樣品板時(shí),在板的兩側(cè)面1和2之間會(huì)產(chǎn)生一恒定的電勢(shì)差U1-U2
          (1)若測(cè)得U1-U2>0,則這塊樣品板的載流子是帶正電,還是帶負(fù)電的?試說(shuō)明理由.
          (2)設(shè)磁感強(qiáng)度為B,樣品板的厚度為d,每個(gè)載流子帶電量的絕對(duì)值為e,試證明樣品板的單位體積內(nèi)參加導(dǎo)電的載流子數(shù)目為

          【答案】分析:(1)帶電粒子在進(jìn)入磁場(chǎng)以后,受到洛侖茲力的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn),在樣品板的上下兩側(cè)面積累一定量的帶電粒子,根據(jù)左手定則判斷載流子的電性.
          (2)定向移動(dòng)的載流子在磁場(chǎng)中受洛倫茲力發(fā)生偏轉(zhuǎn),在上下表面間形成電勢(shì)差,最終在電場(chǎng)力和洛倫茲力作用下處于平衡,根據(jù)平衡求出單位體積內(nèi)導(dǎo)電的自由電子數(shù)目.
          解答:解:帶電粒子在進(jìn)入磁場(chǎng)以后,受到洛侖茲力的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn),在樣品板的兩側(cè)面積累一定量的帶電粒子,以形成電場(chǎng),且隨帶電粒子的增加,電場(chǎng)強(qiáng)度也逐漸增強(qiáng),當(dāng)載流子受到的電場(chǎng)力和洛侖磁力相等時(shí),達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài).
          (1)當(dāng)U1-U2>0,載流子是帶正電
          正電荷的定向運(yùn)動(dòng)方向與電流方向一致,根據(jù)左手定則可知,洛侖茲力的作用使載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),即向上(側(cè)面1)偏轉(zhuǎn),故所以U1-U2>0;若載流子是負(fù)電荷,洛侖茲力使載流子向下(側(cè)面2)偏轉(zhuǎn),即U1-U2<0.
          此方法可用來(lái)判斷半導(dǎo)體材料是P型的還是N型.  
          (2)認(rèn)為載流子在樣品板中均以平均定向速度運(yùn)動(dòng),則每個(gè)載流子在磁場(chǎng)中所受的洛侖茲力為  
          當(dāng)板的兩側(cè)面間產(chǎn)生恒定的電勢(shì)差U1-U2后,載流子還會(huì)受到一個(gè)反方向的電場(chǎng)力,如果設(shè)E 為電場(chǎng)強(qiáng)度,則電場(chǎng)力為 FE=eE
          又設(shè)樣品板的寬度為b,即    
          則電場(chǎng)力為
          當(dāng)回路處于穩(wěn)定狀態(tài)時(shí),F(xiàn)E和FB兩力平衡,即
          同時(shí),載流子形成的電流強(qiáng)度I與載流子的單位體積數(shù)目及平均定向移動(dòng)速度的關(guān)系為  ,
          即     
          故所以,
          答:
          (1)當(dāng)U1-U2>0,載流子是帶正電.
          (2)證明略.
          點(diǎn)評(píng):這是一道關(guān)于霍爾效應(yīng)的題目,帶電粒子在進(jìn)入磁場(chǎng)以后,受到洛侖茲力的作用而發(fā)生偏轉(zhuǎn),在樣品板的兩側(cè)面積累一定量的帶電粒子,以形成電場(chǎng),且隨帶電粒子的增加,電場(chǎng)強(qiáng)度也逐漸增強(qiáng),當(dāng)載流子受到的電場(chǎng)力和洛侖磁力相等時(shí),達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài).分析載流子的受力情況是分析的關(guān)鍵.
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          精英家教網(wǎng)如圖所示,一塊半導(dǎo)體樣品板放在垂直于平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,當(dāng)有穩(wěn)恒電流I垂直于磁場(chǎng)方向通過(guò)樣品板時(shí),在板的兩側(cè)面1和2之間會(huì)產(chǎn)生一恒定的電勢(shì)差U1-U2
          (1)若測(cè)得U1-U2>0,則這塊樣品板的載流子是帶正電,還是帶負(fù)電的?試說(shuō)明理由.
          (2)設(shè)磁感強(qiáng)度為B,樣品板的厚度為d,每個(gè)載流子帶電量的絕對(duì)值為e,試證明樣品板的單位體積內(nèi)參加導(dǎo)電的載流子數(shù)目為n=
          IB
          ed
          ?
          1
          U1-U2

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          (2006?東城區(qū)一模)半導(dǎo)體材料硅中摻砷后成為N型半導(dǎo)體,它的自由電子的濃度大大增加,導(dǎo)電能力也大大增加.一塊N型半導(dǎo)體的樣品的體積為a×b×c,A’、C、A、C’為其四個(gè)側(cè)面,如圖所示.已知半導(dǎo)體樣品單位體積中的電子數(shù)為n,電阻率為ρ,電子的電荷量為e.將半導(dǎo)體樣品放在勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,磁場(chǎng)方向沿Z軸正方向,并沿x方向通有電流I.求:
          (1)加在半導(dǎo)體A’A兩個(gè)側(cè)面的電壓是多少?
          (2)半導(dǎo)體中的自由電子定向移動(dòng)的平均速率是多少?
          (3)C、C’兩個(gè)側(cè)面哪個(gè)面電勢(shì)較高?
          (4)若測(cè)得C、C’兩面的電勢(shì)差為U,勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度是多少?

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          科目:高中物理 來(lái)源: 題型:

          精英家教網(wǎng)半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的電流載體稱為載流子.N型半導(dǎo)體的載流子是帶負(fù)電的電子,P型半導(dǎo)體的載流子是帶正電的“空穴”,如圖所示,一塊厚度為d、寬度為L(zhǎng)的長(zhǎng)方形半導(dǎo)體樣品,置于方向如圖所示、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,當(dāng)半導(dǎo)體樣品中通以向右的電流強(qiáng)度為I的恒定電流時(shí),樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢(shì)差U,且上表面帶正電、下表面帶負(fù)電.設(shè)半導(dǎo)體樣品中每個(gè)載流子帶電荷量為q,半導(dǎo)體樣品中載流子的密度(單位體積內(nèi)載流子的個(gè)數(shù))用n表示(已知電流I=nqvS,其中v為載流子定向移動(dòng)的速度,S為導(dǎo)體橫截面積),則下列關(guān)于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達(dá)式正確的是
          ( 。
          A、是N型半導(dǎo)體,n=
          BI
          qdU
          B、是P型半導(dǎo)體,n=
          BI
          qdU
          C、是N型半導(dǎo)體,n=
          BI
          qLU
          D、是P型半導(dǎo)體,n=
          BI
          qLU

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          科目:高中物理 來(lái)源:2015屆重慶八中高二上期中考試物理試卷(解析版) 題型:選擇題

          半導(dǎo)體中參與導(dǎo)電的電流載體稱為載流子。N型半導(dǎo)體的載流子是帶負(fù)電的電子,P型半導(dǎo)體的載流子是帶正電的“空穴”,如圖所示,一塊厚度為d、寬度為L(zhǎng)的長(zhǎng)方形半導(dǎo)體樣品,置于方向如圖所示、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,當(dāng)半導(dǎo)體樣品中通以向右的電流強(qiáng)度為I的恒定電流時(shí),樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢(shì)差U,且上表面帶正電、下表面帶負(fù)電。設(shè)半導(dǎo)體樣品中每個(gè)載流子帶電荷量為q,半導(dǎo)體樣品中載流子的密度(單位體積內(nèi)載流子的個(gè)數(shù))用n表示(已知電流I=nqvS,其中v為載流子定向移動(dòng)的速度,S為導(dǎo)體橫截面積),則下列關(guān)于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達(dá)式正確的是(    )

          A.是N型半導(dǎo)體,

          B.是P型半導(dǎo)體 ,

          C.是N型半導(dǎo)體 ,

          D.是P型半導(dǎo)體 ,

           

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