Question

(2010年高考福建理綜卷)如圖8－3－19所示的裝置，左半部為速度選擇器，右半部為勻強(qiáng)的偏轉(zhuǎn)電場．一束同位素離子流從狹縫S₁射入速度選擇器，能夠沿直線通過速度選擇器并從狹縫S₂射出的離子，又沿著與電場垂直的方向，立即進(jìn)入場強(qiáng)大小為E的偏轉(zhuǎn)電場，最后打在照相底片D上．已知同位素離子的電荷量為q(q＞0)，速度選擇器內(nèi)部存在著相互垂直的場強(qiáng)大小為E₀的勻強(qiáng)電場和磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B₀的勻強(qiáng)磁場，照相底片D與狹縫S₁、S₂的連線平行且距離為L，忽略重力的影響．

圖8－3－19

(1)求從狹縫S₂射出的離子速度v₀的大小；

(2)若打在照相底片上的離子在偏轉(zhuǎn)電場中沿速度v₀方向飛行的距離為x，求出x與離子質(zhì)量m之間的關(guān)系式(用E₀、B₀、E、q、m、L表示)．

 

Answer 1

【答案】

(1) 　(2)  

【解析】(1)能從速度選擇器射出的離子滿足

qE₀＝qv₀B₀①

則v₀＝.②

(2)離子進(jìn)入勻強(qiáng)偏轉(zhuǎn)電場E后做類平拋運(yùn)動，則

x＝v₀t③

L＝at²④

由牛頓第二定律得qE＝ma⑤

聯(lián)立②③④⑤解得x＝ .

答案：(1) 　(2)