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        1. 如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示,則

          A. t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0

          B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2F t0/m

          C.線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大

          D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

           

          【答案】

          BD

          【解析】略

           

          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中物理 來源: 題型:

          精英家教網(wǎng)如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為
           
          .在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為
           

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          科目:高中物理 來源:河南五校2010屆高三模擬聯(lián)考理綜試題(物理) 題型:單選題

          如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,邊長(zhǎng)為a,在1位置以速度v0進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)并開始計(jì)時(shí)t=0,若磁場(chǎng)的寬度為b(b>3a),在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置速度又為v0并開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng)。此過程中v-t圖象如圖b所示,則

          A. t=0時(shí),線框右側(cè)邊MN的兩端電壓為Bav0
          B. 在t0時(shí)刻線框的速度為v0-2F t0/m
          線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度一定比t0時(shí)刻線框的速度大
          D. 線框從1位置進(jìn)入磁場(chǎng)到完全離開磁場(chǎng)位置3過程中,線框中產(chǎn)生的電熱為2Fb

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          科目:高中物理 來源:不詳 題型:填空題

          如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v0進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為______.在3t0時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為______.
          精英家教網(wǎng)

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          科目:高中物理 來源:2009年上海市虹口區(qū)高考物理二模試卷(解析版) 題型:填空題

          如圖a所示在光滑水平面上用恒力F拉質(zhì)量m的單匝均勻正方形銅線框,在1位置以速度v進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)時(shí)開始計(jì)時(shí)t=0,此時(shí)線框中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)為E,則線框右側(cè)邊的兩端MN間電壓為    .在3t時(shí)刻線框到達(dá)2位置開始離開勻強(qiáng)磁場(chǎng).此過程中v-t圖象如圖b所示,線框完全離開磁場(chǎng)的瞬間位置3速度為   

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