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        1. 下列關(guān)于硅的說法不正確的是
          A.硅是非金屬元素,它的單質(zhì)是灰黑色有金屬光澤的固體
          B.硅的導(dǎo)電性能介于金屬和絕緣體之間,是良好的半導(dǎo)體材料
          C.硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下不與任何物質(zhì)起反應(yīng)
          D.加熱到一定溫度時,硅能與氫氣、氧氣等非金屬反應(yīng)
          C

          試題分析:硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑,常溫下能與氫氧化鈉溶液、氫氟酸等起反應(yīng),選項C不正確,其余選項都是正確的,答案選C。
          點(diǎn)評:該題是常識性知識的考查,主要是考查學(xué)生對硅及其化合物性質(zhì)和用途的熟悉了解程度,旨在鞏固學(xué)生的基礎(chǔ),通過學(xué)生的應(yīng)試能力,難度不大,記住即可。
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          以色列科學(xué)家Danici Shcchtman因發(fā)現(xiàn)準(zhǔn)晶體獲得2011年諾貝爾化學(xué)獎。人們在自然界中也找到了組成為Al63Cu24Fe13的天然準(zhǔn)晶體。將相同質(zhì)量的此準(zhǔn)晶體分別與足量的鹽酸、燒堿和稀硝酸反應(yīng),產(chǎn)生氣體的物質(zhì)的量關(guān)系為
          A.n(燒堿)<n(稀硝酸)<n(鹽酸)
          B.n(燒堿)<n(鹽酸)<n(稀硝酸)
          C.n(稀硝酸)<n(燒堿)<n(鹽酸)
          D.n(鹽酸)<n(稀硝酸)<n(燒堿)

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          將過量的CO2分別通入①CaC12溶液;②Na2SiO3溶液;③Ca(C1O)2溶液;④飽和Na2CO3溶液。最終溶液中有白色沉淀析出的是
          A.①②③④B.②④C.①②③D.②③

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料。鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法,該制備過程示意如下:          

          (1)焦炭在過程Ⅰ中作______劑。
          (2)過程Ⅱ中的Cl2用電解飽和食鹽水制備,制備Cl2的化學(xué)方程式是    。
          (3)整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水。
          ①SiCl4遇水劇烈水解生成SiO2和一種酸,反應(yīng)的化學(xué)方程式是     
          ②干燥Cl2時,從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮,需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃,然后再通入到濃H2SO4中。冷卻的作用是    。
          (4)Zn還原SiCl4的反應(yīng)如下:
          反應(yīng)1: 400℃~756℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(l)   ΔH1 <0 
          反應(yīng)2:  756℃~907℃ ,SiCl4(g) + 2Zn(l)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH2 <0 
          反應(yīng)3:  907℃~1410℃,SiCl4(g) + 2Zn(g)  Si(s) + 2ZnCl2(g)  ΔH3 <0 
          ① 對于上述三個反應(yīng),下列說法合理的是_____。
          a.升高溫度會提高SiCl4的轉(zhuǎn)化率      b.還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
          c.增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d.Na、Mg可以代替Zn還原SiCl4
          ② 實際制備過程選擇“反應(yīng)3”,選擇的理由是    
          ③ 已知Zn(l)=Zn(g)  ΔH =" +116" KJ/mol 。若SiCl4的轉(zhuǎn)化率均為90%,每投入1mol SiCl4,“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出_____kJ的熱量。
          (5)用硅制作太陽能電池時,為減弱光在硅表面的反射,采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層。腐蝕劑常用稀HNO3和HF的混合液。硅表面首先形成SiO2,最后轉(zhuǎn)化為H2SiF6。用化學(xué)方程式表示SiO2轉(zhuǎn)化為H2SiF6的過程     。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          近來查明,二氧化三碳(C3O2)是金星大氣層的一個組成部分。下列關(guān)于二氧化三碳說法錯誤的是
          A.二氧化三碳的電子式為 :O::C::C::C::O:
          B.C3O2、CO、CO2都是碳的氧化物
          C.C3O2和CO2中原子不全為sp雜化
          D.C3O2不是碳酸的酸酐

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列敘述中正確的是(  )
          A.石英沙、水晶的主要成分都是SiO2
          B.SiO2是制光導(dǎo)纖維的主要原料
          C.石灰石是制普通玻璃、水泥的原料之一
          D.SiO2與水反應(yīng)直接制得硅酸

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          硅在無機(jī)非金屬材料中一直扮演著重要角色,被譽(yù)為無機(jī)非金屬材料的主角。下列物品用到硅單質(zhì)的是(     )
          A.玻璃制品B.石英鐘表C.計算機(jī)芯片D.光導(dǎo)纖維

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          現(xiàn)有一種粗鋁含F(xiàn)e、Si兩種雜質(zhì)。取等質(zhì)量的樣品,分別投入足量的稀鹽酸和氫氧化鈉中,充分反應(yīng)后都放出等量的氫氣,則粗鋁中得鐵和硅的關(guān)系是
          A.物質(zhì)的量之比為1∶1B.物質(zhì)的量之比為2∶1
          C.質(zhì)量之比為1∶1D.質(zhì)量之比為2∶1

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列說法正確的是
          A.光導(dǎo)纖維的主要成份是硅
          B.常用氫氟酸(HF)來刻蝕玻璃
          C.制普通玻璃的主要原料是燒堿、石灰石、石英
          D.實驗室用帶玻璃塞的試劑瓶保存氫氧化鈉溶液

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