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          砷（As）為第4周期ⅤA族元素，根據(jù)元素周期表和元素周期律的知識(shí)，下列有關(guān)推測(cè)不正確的是（　�。�
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：砷（As）為第4周期ⅤA族元素，最外層電子數(shù)為5，最低價(jià)為-3價(jià)，最高價(jià)為+5價(jià)，結(jié)合非金屬性越強(qiáng)最高價(jià)含氧酸酸性越強(qiáng)，氣態(tài)氫化物越穩(wěn)定來解答．
          解答：解：A．ⅤA族元素，則砷可以有-3、+3、+5等多種化合價(jià)，故A正確；
          B．砷的電子排布中各層的電子數(shù)為2、8、18、5，則砷原子的第3電子層含有18個(gè)電子，故B正確；
          C．同主族從上到下非金屬性減弱，非金屬性P＞As，則H3AsO4的酸性比H3PO4弱，故C正確；
          D．非金屬性P＞As，則砷的氫化物的穩(wěn)定性比磷化氫的弱，故D錯(cuò)誤；
          故選D．
          點(diǎn)評(píng)：本題考查元素周期律和元素周期表，明確同主族元素的性質(zhì)變化規(guī)律及非金屬性比較的方法即可解答，題目難度不大．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：閱讀理解
			
          

						
          （2013?青島一模）[化學(xué)-物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
          太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代．第三代就是銅銦鎵硒CIGS等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池．完成下列填空：
          （1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時(shí)的電子排布式為
          [Ar]3d10
          [Ar]3d10
          ；
          （2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則3種元素的第一電離能從大到小順序?yàn)?!--BA-->
          Br＞As＞Se
          Br＞As＞Se
           （用元素符號(hào)表示），用原子結(jié)構(gòu)觀點(diǎn)加以解釋
          As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
          As、Se、Br原子半徑依次減小，原子核對(duì)外層電子的吸引力依次增強(qiáng)，元素的第一電離能依次增大；Se原子最外層電子排布為4s24p4，而As原子最外層電子排布為4s24p3，p電子排布處于半充滿狀態(tài)，根據(jù)洪特規(guī)則特例可知，半充滿狀態(tài)更穩(wěn)定，所以As元素的第一電離能比Se大
          ；
          （3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性（價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)），其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成加合物，如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3?NH3． BF3?NH3中B原子的雜化軌道類型為
          sp3
          sp3
          ，B與N之間形成
          配位
          配位
          鍵；
          （4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；在SiC中，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
          12
          12
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2013?無錫一模）[物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
          鎵（Ga）、鍺（Ge）、砷（As）、硒（Se）均為第4周期的元素，它們?cè)诟呖萍技舛丝茖W(xué)特別是信息領(lǐng)域有著廣泛的用途．已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答下列問題：
          （1）下列說法不正確的是
          AB
          AB
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
          B．第一電離能：Se＞As＞Ge＞Ga
          C．鎵、鍺、砷、硒都屬于p區(qū)元素
          D．半導(dǎo)體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
          （2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3反應(yīng)制備得到，該反應(yīng)在700℃進(jìn)行，反應(yīng)的方程式為
          （CH3）3Ga+AsH3
          700℃
          GaAs+3CH4
          （CH3）3Ga+AsH3
          700℃
          GaAs+3CH4
          ，AsH3空間形狀為
          三角錐型
          三角錐型
          ．
          （3）Ge的核外電子排布式為
          1s22s22p63s23p63d104s24p2
          1s22s22p63s23p63d104s24p2
          ，H2Se中硒原子的雜化方式為
          sp3
          sp3
          ．
          （4）AsH3沸點(diǎn)比NH3低，其原因是
          NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵
          NH3分子間能形成氫鍵，而As電負(fù)性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2013?樂山三模）太陽(yáng)能電池的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了第三代．第一代為單晶硅太陽(yáng)能電池，第二代為多晶硅、非晶硅等太陽(yáng)能電池，第三代就是銅銦鎵硒CIGS（CIS中摻入Ga）等化合物薄膜太陽(yáng)能電池以及薄膜Si系太陽(yáng)能電池．
          （1）亞銅離子（Cu+）基態(tài)時(shí)的價(jià)電子排布式表示為
          3d10
          3d10
          ．
          （2）硒為第4周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則這3種元素的第一電離能從大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          Br＞As＞Se
          Br＞As＞Se
          （用元素符號(hào)表示）．
          （3）與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H3BO3）在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B（OH）4]-而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)．
          ①[B（OH）4]-中B的原子雜化類型為
          sp3
          sp3
          ．
          ②不考慮空間構(gòu)型，[B（OH）4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為
          ．
          （4）單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似，若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵，則得如圖所示的金剛砂（SiC）結(jié)構(gòu)；若在晶體硅所有Si-Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體．
          ①在SiC中，每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為
          12
          12
          ．
          ②判斷a．SiO2，b．干冰，c．冰三種晶體的熔點(diǎn)從小到大的順序是
          b＜c＜a
          b＜c＜a
          （填序號(hào)）．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2008-2009學(xué)年北京師大附中高一（下）期末化學(xué)試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          砷（As）為第4周期ⅤA族元素，根據(jù)元素周期表和元素周期律的知識(shí)，下列有關(guān)推測(cè)不正確的是（ ）
          A．砷可以有-3、+3、+5等多種化合價(jià)
          B．砷原子的第3電子層含有18個(gè)電子
          C．H3AsO4的酸性比H3PO4弱
          D．砷的氫化物的穩(wěn)定性比磷化氫的強(qiáng)
          

			
          

			
          
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