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        1. (14分)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。

          (1)題26圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是     ;NaOH溶液的出口為       (填字母);精制飽和食鹽水的進口為       (填字母);干燥塔中應使用的液體是      。

          (2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關注。

          ①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應,產(chǎn)物有兩種,化學方程式為                                     。

          ②SiCl4可轉化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應:

             3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

          達平衡后,H2與SiHCl3物質的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質量為   kg。

          (3)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣      (標準狀況)。

          (1)①氯氣;a;d;濃硫酸

          (2)①SiCl4+2H2+O2SiO2+4HCl②0.35(3)134.4

          解析:

          (1)電解飽和食鹽時陽極陰離子Cl、OH放電,Cl的放電能力強于OH,陽極發(fā)生的方程式為:2Cl―2e===Cl2↑;陰極:2H++2e===H2↑;總反應為:2NaCl+2H2OCl2↑+H2↑+2NaOH。H2、2NaOH在陰極,NaOH溶液的出口為a,Cl2在陽極,精制飽和食鹽水從陽極進入,選d;要干燥Cl2需要用酸性干燥劑H2SO4或P2O5等,中性干燥劑無水CaCl2。(2)①SiCl4與H2和O2反應,產(chǎn)物有兩種,光導纖維的主要成分是SiO2,H、Cl元素必在另一產(chǎn)物中,H、Cl元素結合成HCl,然后配平即可。發(fā)生的化學方程式為:SiCl4+2H2+O2SiO2+4HCl。②

          由3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

          起始量(mol)                n                    0

          變化量(mol)     3x         2x       x           4x

          平衡量(mol)                n―2x                4x

          4x=0.020mol/L×20L=0.4mol,n―2x=0.140mol/L20L=2.8mol,n=3.0mol,由2NaCl+2H2OCl2↑+H2↑+2NaOH,(2×58.5)g:1mol=m(NaCl)g:3mol;m(NaCl)=351g=0.351kg。

          (3)由NaCl轉化為NaClO3,失去電子數(shù)為6,H2O轉化為H2,得到的電子數(shù)為2,設產(chǎn)生的H2體積為V,由得失電子守恒有:6×;V=134.4m3。

          練習冊系列答案
          相關習題

          科目:高中化學 來源: 題型:

          (2009?重慶)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.
          (1)圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是
          氯氣
          氯氣
          ;NaOH溶液的出口為
          a
          a
          (填字母);精制飽和食鹽水的進口為
          d
          d
          (填字母);干燥塔中應使用的液體是
          濃硫酸
          濃硫酸


          (2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用收到廣泛關注.
          ①SiCl4可制氣相白炭黑(與光導纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應,產(chǎn)物有兩種,化學方程式為
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl

          ②SiCl4可轉化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應:3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(g)4SiHCl3(g)達平衡后,H2與SiHCl3物質的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質量為
          0.351
          0.351
          kg.
          (3)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
          134.4
          134.4
          M3(標準狀況).

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          科目:高中化學 來源: 題型:閱讀理解

          (2012?長寧區(qū)一模)Ⅰ.工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.
          (1)原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質,必須精制后才能供電解使用.精制時,粗鹽溶于水過濾后,還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是
          ③①②
          ③①②
          (填序號)洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl,選用的試劑為
          .(填序號)(①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇、芩穆然迹
          (2)如圖是離子交換膜(允許鈉離子通過,不允許氫氧根與氯離子通過)法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是
          氯氣
          氯氣
          ;NaOH溶液的出口為
          a
          a
          (填字母);精制飽和食鹽水的進口為
          d
          d
          (填字母);干燥塔中應使用的液體是
          濃硫酸
          濃硫酸


          Ⅱ.多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關注.
          (1)SiCl4可制氣相白炭黑(與光導纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應,產(chǎn)物有兩種,化學方程式為
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl

          (2)SiCl4可轉化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應:
          3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)?4SiHCl3(g)
          達平衡后,H2與SiHCl3物質的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質量為
          0.351
          0.351
          kg.
          (3)實驗室制備H2和Cl2通常采用下列反應:
          Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑;MnO2+4HCl(濃)
          MnCl2+Cl2↑+2H2O
          據(jù)此,從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
          e
          e
          (填代號)和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
          d
          d
          (填代號).
          可選用制備氣體的裝置:

          (4)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
          134.4
          134.4
          m3(標準狀況).(忽略可能存在的其他反應)
          某工廠生產(chǎn)硼砂過程中產(chǎn)生的固體廢料,主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg(CO32、Al2O3和Fe2O3等,回收其中鎂的工藝流程如下:

          沉淀物 Fe(OH)3 Al(OH)3 Mg(OH)2
          PH 3.2 5.2 12.4
          Ⅲ.部分陽離子以氫氧化物形式完全沉淀時溶液的pH見上表,請回答下列問題:
          (1)“浸出”步驟中,為提高鎂的浸出率,可采取的措施有
          適當提高反應溫度、增加浸出時間
          適當提高反應溫度、增加浸出時間
          (要求寫出兩條).
          (2)濾渣I的主要成分是
          Fe(OH)3、Al(OH)3
          Fe(OH)3、Al(OH)3

          Mg(ClO32在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑,可采用復分解反應制備:
          MgCl2+2NaClO3→Mg(ClO32+2NaCl
          已知四種化合物的溶解度(S)隨溫度(T)變化曲線如圖所示:

          (3)將反應物按化學反應方程式計量數(shù)比混合制備Mg(ClO32.簡述可制備Mg(ClO32的原因:
          在某一溫度時,NaCl最先達到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質的溶解度有一定的差別;
          在某一溫度時,NaCl最先達到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質的溶解度有一定的差別;

          (4)按題(3)中條件進行制備實驗.在冷卻降溫析出Mg(ClO32過程中,常伴有NaCl析出,原因是:
          降溫前,溶液中NaCl已達飽和,降低過程中,NaCl溶解度會降低,會少量析出;
          降溫前,溶液中NaCl已達飽和,降低過程中,NaCl溶解度會降低,會少量析出;
          .除去產(chǎn)品中該雜質的方法是:
          重結晶
          重結晶

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          (2012?大興區(qū)一模)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,如圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,下列說法中不正確的是( 。

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          科目:高中化學 來源:2013屆湖北省高二上學期期末考試化學試卷 題型:填空題

          (12分)工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅。

          (1)下圖是離子交換膜法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽極產(chǎn)生的氣體是     ;NaOH溶液的出口為       (填字母);精制飽和食鹽水的進口為       (填字母);干燥塔中應使用的液體是      。

          (2)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關注。

          ① SiCl4可制氣相白炭黑(與光導纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應,產(chǎn)物有兩種,化學方程式為                        。

          ② SiCl4可轉化為SiHCl3而循環(huán)使用。一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應:

             3 SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)4SiHCl3(g)

          達平衡后,H2與SiHCl3物質的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質量為   ______kg。

          (3)采用無膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣      (標準狀況)。

           

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