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          下列說法中錯(cuò)誤的是（　�。�
          A．手性催化劑主要催化一種手性分子的合成
          B．原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高
          C．元素電負(fù)性越大的原子，吸引電子的能力越強(qiáng)
          D．原子晶體中原子以共價(jià)鍵結(jié)合，具有鍵能大、熔點(diǎn)高、硬度大的特性
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          B

          試題分析：B項(xiàng)：鎢的熔點(diǎn)(3410℃)比硅(1410℃)高，因此，原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高的說法也是錯(cuò)誤的，故錯(cuò)。故選B。
          點(diǎn)評(píng)：本題考查的是手性、原子晶體和金屬晶體的相關(guān)知識(shí)，題目難度不大，注意對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的學(xué)習(xí)、掌握及應(yīng)用。
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          氮化鋁(AlN)常用做砂輪及高溫爐襯材料，熔化狀態(tài)下不導(dǎo)電，可知它屬于(  )
          A．離子晶體B．原子晶體C．分子晶體D．無(wú)法判斷
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列對(duì)一些實(shí)驗(yàn)事實(shí)的理論解釋正確的是
          選項(xiàng)
          		實(shí)驗(yàn)事實(shí)
          		理論解釋
          A
          		N原子的第一電離能大于O原子
          		N原子2p能級(jí)半充滿
          B
          		CO2為直線形分子
          		CO2分子中C＝O之間的夾角為120°
          C
          		金剛石的熔點(diǎn)低于石墨
          		金剛石是原子晶體，石墨是原子晶體
          D
          		HF的沸點(diǎn)高于HCl
          		HF的相對(duì)分子質(zhì)量小于HCl
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列化學(xué)式能真實(shí)表示物質(zhì)分子組成的是
          A．NaOHB．SO3C．CsClD．SiO2
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的溶沸點(diǎn)數(shù)據(jù)，判斷下列說法中錯(cuò)誤的是         （   ）   
           
          		NaCl
          		MgCl2
          		AlCl3
          		SiCl4
          		單質(zhì)B
          熔點(diǎn)/℃
          		810
          		710
          		180
          		-68
          		2300
          沸點(diǎn)/℃
          		1465
          		1418
          		160
          		57
          		2500
          A、SiCl4是分子晶體；           B、單質(zhì)B可能是原子晶體；
          C、AlCl3加熱能升華；           D、NaCl 比MgCl2更易熔化
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列說法不正確的是(　　) 
          A．HCl、HBr、HI的熔、沸點(diǎn)依次升高與分子間作用力大小有關(guān)
          B．H2O的熔、沸點(diǎn)高于H2S是由于H2O分子之間存在氫鍵
          C．甲烷可與水形成氫鍵 
          D．I2易溶于CCl4可以用相似相溶原理解釋
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列離子晶體中,熔點(diǎn)最低的是（   ）
          A．NaClB．KClC．CaOD．MgO
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          金屬晶體的下列性質(zhì)中，不能用金屬晶體結(jié)構(gòu)加以解釋的是 
          A．易導(dǎo)電B．易導(dǎo)熱C．有延展性D．易銹蝕
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          某金屬（A）在TK以下晶體的基本結(jié)構(gòu)單元如左下圖所示，T K以上轉(zhuǎn)變?yōu)橛蚁聢D所示結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)單元，在兩種晶體中最鄰近的A原子間距離相同
          　　　　
          （1）在T K以下的純A晶體中，與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為______個(gè)；在T K以上的純A晶體中，與A原子等距離且最近的A原子數(shù)為___________；
          （2）純A晶體在晶型轉(zhuǎn)變前后，二者基本結(jié)構(gòu)單元的邊長(zhǎng)之比為（TK以上與TK以下之比）___________。
          （3）右上圖的的堆積方式為　　　　　　　　，經(jīng)測(cè)定其結(jié)構(gòu)和性質(zhì)參數(shù)如下表所示
          金屬
          		相對(duì)原子質(zhì)量
          		分區(qū)
          		密度/g·㎝-3
          		原子化熱/kJ·mol-1
          Na
          		22.99
          		s區(qū)
          		0.960
          		108.4
          A
          		60.20
          		d區(qū)
          		7.407
          		7735
          則A原子的原子半徑為　　　　　pm，試解釋該晶體原子化熱很高的原因　　　　　　　　　
          　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　。
          （已知，7.407≈,1pm=10m）
          

			
          

			
          
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