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        1. 某離子晶體的晶體結(jié)構(gòu)中最小重復(fù)單元如圖所示:A為陰離子,在正方體內(nèi),B為陽(yáng)離子,分別在頂角和面心,則該晶體的化學(xué)式為(  )。
          A.B2AB.BA2C.B7A4D.B4A7
          B
          本題考查的是均攤法確定晶胞的化學(xué)式,考查學(xué)生綜合運(yùn)用能力,中等難度題。解題思路:8個(gè)A在晶胞的內(nèi)部,全部屬于這個(gè)晶胞;B位于頂角和面心,個(gè)數(shù)=×8+6×=4,故答案為B。
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列離子中不存在配位鍵的是( 。
          A.H3O+B.OH-C.NH4+D.[Zn(NH34]2+

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          元素之間通過(guò)不同的化學(xué)鍵可以組成不同的晶體和化合物。有關(guān)化學(xué)鍵與晶體的說(shuō)法正確的是
          A.兩種元素組成的分子中一定只有極性鍵
          B.熔融狀態(tài)時(shí)能導(dǎo)電的化合物一定是離子晶體
          C.非金屬元素組成的化合物一定是共價(jià)化合物
          D.分子晶體的熔沸點(diǎn)隨著共價(jià)鍵的增強(qiáng)而升高

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          現(xiàn)有四種晶體的晶胞,其離子排列方式如圖所示,其中化學(xué)式不屬AB型的是(  )

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          關(guān)于金屬性質(zhì)和原因的描述不正確的是   (  )。
          A.金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇?yáng)離子吸收了某些波長(zhǎng)的可見(jiàn)光造成的
          B.金屬具有良好的導(dǎo)電性,是因?yàn)樵诮饘倬w中共享了金屬原子的價(jià)電子,
          在外電場(chǎng)的作用下自由電子定向移動(dòng)便形成了電流,所以金屬易導(dǎo)電
          C.金屬具有良好的導(dǎo)熱性,是因?yàn)樽杂呻娮釉谑軣岷螅涌炝诉\(yùn)動(dòng)速率,自
          由電子通過(guò)與金屬離子發(fā)生碰撞,傳遞了能量
          D.金屬晶體具有良好的延展性,是因?yàn)榻饘倬w中的原子層可以滑動(dòng)而不破
          壞金屬鍵

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列各類物質(zhì)中,固態(tài)時(shí)只能形成離子晶體的是(  )。
          A.非金屬氧化物B.非金屬單質(zhì)C.強(qiáng)酸D.強(qiáng)堿

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列關(guān)于物質(zhì)的聚集狀態(tài)的敘述中,錯(cuò)誤的是(  )。
          A.物質(zhì)只有氣、液、固三種聚集狀態(tài)
          B.氣態(tài)是高度無(wú)序的體系存在狀態(tài)
          C.固態(tài)中的原子或者分子間結(jié)合較緊湊,相對(duì)運(yùn)動(dòng)較弱
          D.液態(tài)物質(zhì)的微粒間距離和作用力的強(qiáng)弱介于固、氣兩態(tài)之間,表現(xiàn)出明顯的流動(dòng)性

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          關(guān)于金屬晶體的體心立方密堆積的結(jié)構(gòu)型式的敘述中,正確的是(  )。
          A.晶胞是六棱柱
          B.屬于A2型密堆積
          C.每個(gè)晶胞中含有4個(gè)原子
          D.每個(gè)晶胞中含有5個(gè)原子

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列對(duì)各組物質(zhì)性質(zhì)的比較中,正確的是
          A.第一電離能:Na<Mg<Al
          B.熔點(diǎn):金剛石>晶體硅>碳化硅
          C.硬度:Li>Na>K
          D.空間利用率:六方密堆<面心立方<體心立方

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