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				GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。下列說法不正確的是
          A.Ga和As的最外層電子數(shù)分別是3和5
          B.GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別為+3和-3
          C.N、P、As氫化物的沸點(diǎn)依次升高
          D.Ga的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物堿性較Al(OH)3強(qiáng)
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          C  A項(xiàng)正確，Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族，所以Ga和As的最外層電子數(shù)分別是3和5；B項(xiàng)正確，GaAs中Ga是金屬元素，體現(xiàn)正化合價(jià)，為+3價(jià)，而As是-3價(jià)；C項(xiàng)錯(cuò)誤，第ⅤA族中N元素的氫化物分子之間可以形成氫鍵，其沸點(diǎn)反常得高；D項(xiàng)正確，Ga的金屬性強(qiáng)于Al，所以Ga的最高價(jià)氧化物對應(yīng)水化物堿性較Al(OH)3強(qiáng).
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2012?許昌三模）[化學(xué)--選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]砷（As）是一種重要的化學(xué)元素，其可形成多種用途廣泛的化合物．
          （1）寫出基態(tài)砷原子的電子排布式
          [Ar]3d104s24p3
          [Ar]3d104s24p3
          ；砷與溴的電負(fù)性相比，較大的是
          Br（或溴）
          Br（或溴）
          ．
          （2）砷（As）的氫化物與同族第二、三周期元素所形成的氫化物的穩(wěn)定性由大到小的順
          序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示）
          NH3＞PH3＞AsH3
          NH3＞PH3＞AsH3
          ；氫化物的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)椋ㄓ没瘜W(xué)式表示）
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ．
          （3）Na3AsO4可作殺蟲劑．AsO
           
          3-
          4
          的空間構(gòu)型為
          正四面體形
          正四面體形
          ．As原子采取
          sp3
          sp3
          雜化．
          （4）某砷的氧化物俗稱“砒霜”，其分子結(jié)構(gòu)如右圖所示．該化合物的分子式為
          As4O6
          As4O6
          ．
          （5）GaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)與金剛石相似．GaAs晶胞中含有
          4
          4
          個(gè)砷原子．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機(jī)鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
          （1）Ga在元素周期表的位置是
          第四周期第IIIA族
          第四周期第IIIA族
          ，As的原子結(jié)構(gòu)示意圖
          ．
          （2）Ga的原子核外電子排布式為：
          1s22s22p63s23p63d104s24p1
          1s22s22p63s23p63d104s24p1
          ．
          （3）GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是：GaCl3
          平面三角形
          平面三角形
          ，AsF3
          三角錐形
          三角錐形
          ．
          （4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC，其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，則SiC屬于
          原子
          原子
          晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)
          硬度大、熔點(diǎn)高
          硬度大、熔點(diǎn)高
            （任2種）．
          （5）第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
          （6）硫化鋅的晶胞中（結(jié)構(gòu)如圖所示），硫離子的配位數(shù)是
          4
          4
          ．
          （7）二氧化硒分子的空間構(gòu)型為
          V形
          V形
          ，寫出它的1個(gè)等電子體的分子式
          O3（或SO2）
          O3（或SO2）
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
          （1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是：Ga________、As________。
          （2）GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是：Ga________價(jià)、As________價(jià)。
          （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          GaAs(砷化鎵)是僅次于硅的一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第ⅤA族。
            
          （1）Ga和As的最外層電子數(shù)分別是：Ga________、As________。
            
          （2）GaAs中Ga和As的化合價(jià)分別是：Ga________價(jià)、As________價(jià)。
            
          （3）第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料，該化合物半導(dǎo)體材料的化學(xué)式可表示為________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          Ga和As在一定條件下可以合成GaAs，GaAs是一種新型化合物半導(dǎo)體材料，其性能比硅更優(yōu)越．多元化合物薄膜太陽能電池材料為無機(jī)鹽，其主要包括砷化鎵、硫化鎘、硫化鋅及銅錮硒薄膜電池等．
          （1）Ga在元素周期表的位置是______，As的原子結(jié)構(gòu)示意圖______．
          （2）Ga的原子核外電子排布式為：______．
          （3）GaCl3和AsF3的空間構(gòu)型分別是：GaCl3______，AsF3______．
          （4）第IV A族的C和Si也可以形成類似的化合物半導(dǎo)體材料SiC，其結(jié)構(gòu)跟金剛石相似，則SiC屬于______晶體，并寫出其主要的物理性質(zhì)______  （任2種）．
          （5）第一電離能：As______Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
          （6）硫化鋅的晶胞中（結(jié)構(gòu)如圖所示），硫離子的配位數(shù)是______．
          （7）二氧化硒分子的空間構(gòu)型為______，寫出它的1個(gè)等電子體的分子式______．
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