Question

（12分）（1）Cu位于元素周期表第I B族，Cu^2＋的核外電子排布式為               。

（2）右圖是銅的某種氧化物的晶胞結構示意圖，可確定該晶胞中陰離子的個數(shù)為       。

（3）膽礬CuSO₄·5H₂O可寫成[Cu(H₂O)₄]SO₄ H₂O，其結構示意圖如下：

下列說法正確的是     （填字母）。

A．在上述結構示意圖中，所有氧原子都采用sp³雜化

B．在上述結構示意圖中，存在配位鍵、共價鍵和離子鍵

C．膽礬是分子晶體，分子間存在氫鍵

D．膽礬中的水在不同溫度下會分步失去

（4）Cu₂O的熔點比Cu₂S的           （填“高”或“低”），請解釋原因           。

（5）配合物Ni(CO)₄常溫下為液態(tài)，易溶于CCl₄、苯等有機溶劑。固態(tài)Ni(CO)₄屬于     晶體；基態(tài)Ni原子的電子占有    種能量不同的原子軌道

（6）很多不飽和有機物在Ni催化下可以與H₂發(fā)生加成反應。如

①CH₂=CH₂、②CH≡CH、③、④等，其中分子中C原子為SP²雜化的

有                 （填物質(zhì)序號），預測HCHO分子的立體結構為            形。

 

Answer 1

【答案】

（1） 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹或 [Ar]3d⁹ (1分)        （2） 4   (2分)   

（3）  ABD (1分) 

（4） 高 (1分)， 它們都是離子晶體，由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以Cu₂O的熔點比Cu₂S的高(2分) 

（5）分子 (1分)，   7 (1分)

（6）①③④  (2分)，平面三角形(1分)。 

【解析】

試題分析：（1）Cu（電子排布式為：[Ar]3d¹⁰4s¹）到Cu²⁺的過程中，參與反應的電子是最外層的4s及3d上各一個電子，故Cu²⁺離子的電子排布式是為：[Ar]3d⁹或1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；

（2）從圖中可以看出陰離子在晶胞有四類：頂點（8個）、棱上（4個）、面上（2個）、體心（1個），根據(jù)立方體的分攤法，可知該晶胞中陰離子數(shù)目為：8×1/8+4×1/4+2×1/2+1=4；

（3）A項在上述結構示意圖中，所有氧原子都是飽和氧原子，所以都采用sp³雜化，故A正確；B項在上述結構示意圖中，存在O→Cu配位鍵，H-O、S-O共價鍵和Cu、O離子鍵，故B正確；C項膽礬是五水硫酸銅，膽礬是由水合銅離子及硫酸根離子構成的，屬于離子晶體，故C錯誤；D項由于膽礬晶體中水兩類，一類是形成配體的水分子，一類是形成氫鍵的水分子，結合上不同，因此受熱時也會因溫度不同而得到不同的產(chǎn)物，故D正確。

（4）由于氧離子的離子半徑小于硫離子的離子半徑，所以亞銅離子與氧離子形成的離子鍵強于亞銅離子與硫離子形成的離子鍵，所以Cu₂O的熔點比Cu₂S的高。

（5）易溶于CCl₄、苯等有機溶劑，說明是分子晶體；基態(tài)Ni原子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁸4s²，電子占有7種能量不同的原子軌道；

（6）SP²雜化的是平面型，有①③④，CH≡CH是直線型，是SP雜化；HCHO分子中碳是SP²，是平面型。

考點：晶胞的計算；配合物的成鍵情況；晶體的構型與雜化的關系。

點評：本題考查常見元素核外電子排布、電負性概念、常見軌道雜化類型、以及離子晶體的晶胞結構、化學鍵、物質(zhì)性質(zhì)、配合物成鍵狀況的了解，題目難度中等，學習中注意加強對晶胞以及晶體結構的分析。