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        2. 


          
	
          
		
	
          
	
          
		
          
			
		
          
		
          
	
          

          



          

          

          


          


          
	
          
			
          

			
          
				
          二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是

          1. A.
            二氧化硅中，硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
          2. B.
            二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
          3. C.
            二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大
          4. D.
            二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				BC
          此題難度不大，但涉及二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)的重點(diǎn)知識(shí)。二氧化硅熔沸點(diǎn)較高的原因，是由于其晶體里SI-O鍵的鍵能很高，并形成了一種立體網(wǎng)狀的原子晶體，熔融它需消耗較多的能量。所以，本題應(yīng)選B、C兩個(gè)選項(xiàng)。				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          元素及其化合物的知識(shí)是“化學(xué)1”的重點(diǎn)內(nèi)容．下列敘述中不正確的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：活題巧解巧練·高一化學(xué)（下）
				題型：021
			
          

						
          

          二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是
          

          [　　]
          

          A．二氧化硅中，硅、氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
          

          B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
          

          C．二氧化硅晶體中，硅氧鍵的鍵能大
          

          D．二氧化硅晶體中，原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
          

          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 [ ]
            
          　　A．二氧化硅中，硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
            
          　　B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
            
          　　C．二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大
            
          　　D．二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          二氧化硅的熔沸點(diǎn)較高的原因是 （    ）
            
          A．二氧化硅中，硅氧原子個(gè)數(shù)之比為1∶2
            
          B．二氧化硅晶體是立體網(wǎng)狀的原子晶體
            
          C．二氧化硅中，SI-O鍵的鍵能大
            
          D．二氧化硅晶體中原子以共價(jià)鍵相結(jié)合
          

			
          

			
          
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          同步練習(xí)冊答案