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        1. 主族元素原子失去最外層電子形成陽(yáng)離子,主族元素的原子得到電子填充在最外層形成陰離子。下列各原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是(    )

          A.Ca2+  1s22s22p63s23p6                      

          B.O  1s22s23p4

          C.Cl-  1s22s22p63s23p6                       

          D.Ar  1s22s22p63s23p6

          B


          解析:

          核外電子的排布要遵循能量最低原理泡利不相容原理和洪特規(guī)則。對(duì)于各電子層原子軌道的數(shù)目和可容納的電子數(shù)為 :

          電子層

          原子軌道類型

          原子軌道數(shù)目

          可容納電子數(shù)

          1

          1s

          1

          2

          2

          2s,2p

          4

          8

          3

          3s,3p,3d

          9

          18

          4

          3s,4p,4d,4f

          16

          32

          n

          -

          n2

          2n2

              題目中O的電子排布式應(yīng)為1s22s22p4。

          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          依據(jù)元素周期表及元素周期律,下列推斷正確的是( 。
          A、同一周期元素的原子,半徑越小越容易失去電子B、ⅠA族元素的金屬性比ⅡA族元素的金屬性強(qiáng)C、若M+和R2-的核外電子層結(jié)構(gòu)相同,則原子序數(shù):R>MD、主族元素的最高正化合價(jià)等于該元素原子的最外層電子數(shù)

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素.已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高;E原子M能層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè).請(qǐng)回答下列問題:
          (1)B在周期表中的位置是:
           
          ,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最低的是
           
          (填化學(xué)式).
          (2)根據(jù)等電子原理分析,BC2 +中B原子的軌道雜化類型是
           

          (3)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類型是
           

          (4)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第
           
          電離能.
          (5)A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為
           
          ;A能形成多種常見單質(zhì),在熔點(diǎn)最低的單質(zhì)中,每個(gè)分子周圍緊鄰的分子數(shù)目為
           
          ; 
          (6)E的基態(tài)原子有
           
          種形狀不同的原子軌道;E2+的價(jià)電子排布式為
           
          ;下圖(填甲、乙或丙)
           
          表示的是E晶體中微粒的堆積方式.
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          科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年高考化學(xué)三輪復(fù)習(xí)排查 專題14物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)選修3練習(xí)卷(解析版) 題型:填空題

          圖示法和圖像法都是常用的科學(xué)研究方法。

          (1)科學(xué)家通過X射線推測(cè)膽礬中既含有配位鍵又含有氫鍵,其結(jié)構(gòu)示意圖可簡(jiǎn)單表示如下,其中配位鍵和氫鍵均采用虛線表示。

          寫出基態(tài)Cu原子的核外電子排布式________________________________。

          寫出膽礬晶體中水合銅離子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式(必須將配位鍵表示出來)________

          (2)下圖是研究部分元素氫化物的沸點(diǎn)變化規(guī)律的圖像,折線c可以表達(dá)出第________族元素氫化物的沸點(diǎn)變化規(guī)律。兩位同學(xué)對(duì)某主族元素氫化物的沸點(diǎn)的變化趨勢(shì)畫出了兩條折線——折線a和折線b,你認(rèn)為正確的是________(ab),理由是______________________________________________________________。

          (3)第三周期元素的氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去最外層一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需的最低能量叫做第一電離能(設(shè)為E)。如圖所示:

          同周期內(nèi)隨著原子序數(shù)的增大,E值變化的總趨勢(shì)是________

          根據(jù)圖中提供的信息,試推斷E________E(“>”、“<”,下同);

          根據(jù)第一電離能的含義和元素周期律,試推斷E________E。

           

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          科目:高中化學(xué) 來源:2013-2014學(xué)年山東省泰安市高三上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:選擇題

          依據(jù)元素周期表及元素周期律,下列推斷正確的是

          A.同一周期元素的原子,半徑越小越容易失去電子

          B.ⅠA族元素的金屬性比ⅡA族元素的金屬性強(qiáng)

          C.若M+和R2-的核外電子層結(jié)構(gòu)相同,則原子序數(shù)R>M

          D.主族元素的最高正化合價(jià)等于該元素原子的最外層電子數(shù)

           

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          科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年山西省高三10月月考化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題

          (15分)原子序數(shù)依次遞增的A、B、C、D、E是周期表中前30號(hào)元素。已知A的最外層電子數(shù)是其內(nèi)層電子數(shù)的2倍;A與C形成的常見化合物之一是主要的溫室氣體;D與A同主族,其單質(zhì)在同周期元素所形成的單質(zhì)中熔點(diǎn)最高;E原子M能層為全充滿狀態(tài),且核外的未成對(duì)電子只有一個(gè)。請(qǐng)回答下列問題:

          (1)B在周期表中的位置是:                      ,該主族元素的氣態(tài)氫化物中,沸點(diǎn)最低的是             (填化學(xué)式)。

          (2)根據(jù)等電子原理分析,BC2 + 中B原子的軌道雜化類型是           。

          (3)五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的化合物在常溫下是晶體,其晶體類型是          

          (4)+1價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子再失去一個(gè)電子形成+2價(jià)氣態(tài)基態(tài)陽(yáng)離子所需要的能量稱為第二電離能I2,依次還有I3、I4、I5…,推測(cè)D元素的電離能突增應(yīng)出現(xiàn)在第      電離能。

          (5)A的一種相對(duì)分子質(zhì)量為28的氫化物,其分子中σ鍵與π鍵的個(gè)數(shù)之比為      ;;

          (6)E的基態(tài)原子有    種形狀不同的原子軌道;E2+ 的價(jià)電子排布式為     ;下

          圖(填甲、乙或丙)           表示的是E晶體中微粒的堆積方式。

                    

          甲                 乙                 丙

           

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