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        1. 物質(zhì)有多種多樣的聚集狀態(tài),下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是


          1. A.
            組成納米材料的結(jié)構(gòu)粒子是納米量級(jí)的原子團(tuán)
          2. B.
            二氧化硅晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵,故晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶4
          3. C.
            NaI與NaCl晶體比較,NaI的離子間距更大,晶格能的絕對(duì)值更小,熔點(diǎn)更低
          4. D.
            等離子體中的微粒帶有電荷且能自由運(yùn)動(dòng),使等離子體具有很好的導(dǎo)電性
          B
          在SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成共價(jià)鍵,而1個(gè)O原子與2個(gè)Si原子形成共價(jià)鍵,故晶體中Si、O原子個(gè)數(shù)比為1∶2,所以B錯(cuò)誤。
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

          物質(zhì)有多種多樣的聚集狀態(tài),下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是(    )

          A.組成納米材料的結(jié)構(gòu)粒子是納米量級(jí)的原子團(tuán)

          B.二氧化硅晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵,故晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶4

          C.NaI與NaCl晶體比較,NaI的離子間距更大,晶格能的絕對(duì)值更小,熔點(diǎn)更低

          D.等離子體中的微粒帶有電荷且能自由運(yùn)動(dòng),使等離子體具有很好的導(dǎo)電性

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

          物質(zhì)有多種多樣的聚集狀態(tài),下列有關(guān)說(shuō)法錯(cuò)誤的是(    )

          A.組成納米材料的結(jié)構(gòu)粒子是納米量級(jí)的原子團(tuán)

          B.二氧化硅晶體中,每個(gè)Si原子與4個(gè)氧原子形成共價(jià)鍵,故晶體中硅、氧原子個(gè)數(shù)比為1∶4

          C.NaI與NaCl晶體比較,NaI的離子間距更大,晶格能的絕對(duì)值更小,熔點(diǎn)更低

          D.等離子體中的微粒帶有電荷且能自由運(yùn)動(dòng),使等離子體具有很好的導(dǎo)電性

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