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          下列關于晶體的敘述中，錯誤的是（     ）
          A．每摩爾Si晶體中，含有2摩爾Si-Si共價鍵
          B．在CO2晶體中，與每個CO2分子周圍緊鄰的有12個CO2分子
          C．在CsCl晶體中，與每個Cs+周圍緊鄰的有8個Cl-，而與每個Cs+等距離緊鄰的也有8個Cs+
          D．在簡單立方堆積的金屬晶體中，每個金屬原子周圍緊鄰的有6個金屬原子
          			
          


			
		
          
		
				
          
				練習冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關習題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          【化學—選修3 物質結構與性質】（15分）
          A、B、C、D、E是原子序數(shù)逐漸增大的1-36號元素。A原子核外有4個原子軌道填充了電子；B的第一電離能比同周期相鄰元素的第一電離能大，其氣態(tài)氫化物在水中的溶解度在同族元素氫化物中最大；C的最高化合價和最低化合價的代數(shù)和為4；D原子的M層和N層電子數(shù)均比E原子少4個，E是人體必須的微量元素。
          試根據(jù)以上信息，回答下列問題：
          （1）A原子的電子排布圖              ，E原子的外圍電子排布式為          。
          （2）AC2分子中含有                個π鍵。
          （3）含C50%的C的氧化物的空間構型為_________，C的原子軌道采用______雜化。
          （4）寫出A的常見氧化物與B的氧化物中互為等電子體的一組                     。
          （5）已知D的晶體在不同溫度下有A、B兩種堆積方式，則A、B兩晶胞中D原子的配位數(shù)之比       ; 晶體的密度之比為             。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          （15分）[物質結構與性質] 現(xiàn)有前四周期A、B、C、D、E、X六種元素，已知B、C、D、E、A五種非金屬元素原子半徑依次減小，其中B的s能級上電子總數(shù)等于p能級上電子總數(shù)的2倍。X原子的M能層上有4個未成對電子。請回答下列問題：
          （1）寫出C、D、E三種原子第一電離能由大到小的順序為_______________。
          （2）A原子與B、C、D原子形成最簡單化合物的穩(wěn)定性由強到弱的順序為_____________，根據(jù)價層電子對互斥理論預測BA2D的分子構型為____________。
          （3）某藍色晶體，其結構特點是X2+、X3+離子分別占據(jù)立方體互不相鄰的頂點，而立方體的每條棱上均有一個BC-。與A同族且相差兩個周期的元素R的離子位于立方體的恰當位置上。根據(jù)其結構特點可知該晶體的化學式為（用最簡正整數(shù)表示）________ 
          （4）科學家通過X射線探明，KCl、MgO、CaO、TiN的晶體結構與NaCl的晶體
          結構相似（如右圖所示），其中3種離子晶體的晶格能數(shù)據(jù)如下表：

          離子晶體
          		NaCl
          		KCl
          		CaO
          晶格能/kJ·mol－1
          		786
          		715
          		3401
          根據(jù)表格中的數(shù)據(jù)：判斷KCl、MgO、TiN 三種離子晶體熔點從高到低的順序是______________。MgO晶體中一個Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的O2-有__________________個。
          （5）研究物質磁性表明：金屬陽離子含未成對電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和Cr2O3中，適合作錄音帶磁粉原料的是__________________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          離子鍵的強弱主要決定于離子的半徑和離子電荷值。一般規(guī)律是：離子半徑越小，離子電荷值越大，則離子鍵越強。K2O、MgO、CaO三種物質中離子鍵由強到弱的順序是                               （   ）
          A．K2O、MgO、CaOB．MgO、K2O、CaO
          C．MgO、CaO、K2OD．CaO、MgO、K2O
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列有關物質的熔沸點說法錯誤的是
          A．Li＞Na＞K＞Rb
          B．F2＜Cl2＜Br2＜I2
          C．金剛石＞晶體Si＞NaCl＞干冰
          D．HF＞HCl＞HBr＞HI
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          (6分) 有下列物質①鐵 ②干冰 ③金剛石 ④水晶 ⑤氯化鈉 ⑥碘 ⑦氫氧化鈉，用編號填寫下列空格。
          （1）離子晶體有       ，分子晶體有        ，原子晶體有         ；
          （2）已知微粒間作用力包括化學鍵及分子間作用力。上述物質所含的微粒間作用力中，僅有共價鍵的有      ，僅有離子鍵的有      ，既含共價鍵又含離子鍵的有       ；
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          一種離子晶體的晶胞如右圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。

          （1）每個晶胞種含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。
          （2）若A的核外電子排布與Ar相同，B的電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學式是___________________；
          （3）陽離子的配位數(shù)為_________，陰離子的配位數(shù)為________。
          （4）已知A的離子半徑為0.99×10－10m，則該晶胞的體積是_______________m3。
          （每空2分，共12分）
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          實現(xiàn)下列變化時，需要克服相同類型作用力的是
          A．水晶和干冰的熔化B．食鹽和醋酸鈉的熔化
          C．液溴和液汞的汽化D．HCl和NaCl溶于水
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          通常情況下，氯化鈉、氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結構分別如下圖所示：

          下列關于這些晶體結構和性質的敘述不正確的是
          A．在氯化鈉晶體中每個Cl周圍同時吸引6個Na，在氯化銫晶體中每個Cl周圍同時吸引8個Cs
          B．氯化鈉、氯化銫和二氧化碳的晶體都有立方的晶胞結構，它們具有相似的物理性質
          C．二氧化碳晶體是分子晶體，其中不僅存在分子間作用力，而且也存在共價鍵
          D．在二氧化硅晶體中，平均每個Si原子形成4個Si一O共價單鍵
          

			
          

			
          
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