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        1. 實(shí)驗(yàn)室分別制備H2、NO2、CH4、NO、NH3氣體時(shí),只能用排水法收集的氣體是_______________,只能用排空氣法收集的氣體是__________________,既能用排水法又能用排空氣法收集的氣體是__________________。

          NO  NO2、NH3  H2、CH4


          解析:

          排空氣法根據(jù)氣體是否與空氣反應(yīng);排水法根據(jù)氣體是否易溶于水或與水發(fā)生反應(yīng)。

          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

          (2013?濰坊模擬)工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.下圖1是離子交換膜法(允許鈉離子通過(guò),不允許氫氧根與氯離子通過(guò))電解飽和食鹽水,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
          氯氣
          氯氣
          ,NaOH溶液的出口為
          a
          a
          (填字母),精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
          d
          d
          (填字母),干燥塔中應(yīng)使用的液體是
          濃硫酸
          濃硫酸


          (1)多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注.SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4、H2、O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl
          .SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中反應(yīng)3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)═4SiHCl3(g)達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗NaCl的質(zhì)量為
          0.35
          0.35
          kg.
          (2)如圖2,實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng):
          Zn+H2SO4?ZnSO4+H2↑,MnO2+4HCl(濃)
          .
          .
          MnCl2+Cl2↑+2H2O

          據(jù)此,從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
          e
          e
          (填代號(hào))和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
          d
          d
          (填代號(hào)).
          可選用制備氣體的裝置:
          (3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣.現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
          134.4
          134.4
          m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況).(忽略可能存在的其他反應(yīng))

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:閱讀理解

          (2012?長(zhǎng)寧區(qū)一模)Ⅰ.工業(yè)上電解飽和食鹽能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.
          (1)原料粗鹽中常含有泥沙和Ca2+、Mg2+、Fe3+、SO42-等雜質(zhì),必須精制后才能供電解使用.精制時(shí),粗鹽溶于水過(guò)濾后,還要加入的試劑分別為①Na2CO3、②HCl(鹽酸)③BaCl2,這3種試劑添加的合理順序是
          ③①②
          ③①②
          (填序號(hào))洗滌除去NaCl晶體表面附帶的少量KCl,選用的試劑為
          .(填序號(hào))(①飽和Na2CO3溶液  ②飽和K2CO3溶液  ③75%乙醇、芩穆然迹
          (2)如圖是離子交換膜(允許鈉離子通過(guò),不允許氫氧根與氯離子通過(guò))法電解飽和食鹽水示意圖,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是
          氯氣
          氯氣
          ;NaOH溶液的出口為
          a
          a
          (填字母);精制飽和食鹽水的進(jìn)口為
          d
          d
          (填字母);干燥塔中應(yīng)使用的液體是
          濃硫酸
          濃硫酸


          Ⅱ.多晶硅主要采用SiHCl3還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiCl4的綜合利用受到廣泛關(guān)注.
          (1)SiCl4可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiCl4與H2和O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl
          SiCl4+2H2+O2
           高溫 
          .
           
          SiO2+4HCl

          (2)SiCl4可轉(zhuǎn)化為SiHCl3而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中的反應(yīng):
          3SiCl4(g)+2H2(g)+Si(s)?4SiHCl3(g)
          達(dá)平衡后,H2與SiHCl3物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗純NaCl的質(zhì)量為
          0.351
          0.351
          kg.
          (3)實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng):
          Zn+H2SO4→ZnSO4+H2↑;MnO2+4HCl(濃)
          MnCl2+Cl2↑+2H2O
          據(jù)此,從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置
          e
          e
          (填代號(hào))和制備并收集干燥、純凈Cl2的裝置
          d
          d
          (填代號(hào)).
          可選用制備氣體的裝置:

          (4)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣,現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣
          134.4
          134.4
          m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況).(忽略可能存在的其他反應(yīng))
          某工廠(chǎng)生產(chǎn)硼砂過(guò)程中產(chǎn)生的固體廢料,主要含有MgCO3、MgSiO3、CaMg(CO32、Al2O3和Fe2O3等,回收其中鎂的工藝流程如下:

          沉淀物 Fe(OH)3 Al(OH)3 Mg(OH)2
          PH 3.2 5.2 12.4
          Ⅲ.部分陽(yáng)離子以氫氧化物形式完全沉淀時(shí)溶液的pH見(jiàn)上表,請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
          (1)“浸出”步驟中,為提高鎂的浸出率,可采取的措施有
          適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
          適當(dāng)提高反應(yīng)溫度、增加浸出時(shí)間
          (要求寫(xiě)出兩條).
          (2)濾渣I的主要成分是
          Fe(OH)3、Al(OH)3
          Fe(OH)3、Al(OH)3

          Mg(ClO32在農(nóng)業(yè)上可用作脫葉劑、催熟劑,可采用復(fù)分解反應(yīng)制備:
          MgCl2+2NaClO3→Mg(ClO32+2NaCl
          已知四種化合物的溶解度(S)隨溫度(T)變化曲線(xiàn)如圖所示:

          (3)將反應(yīng)物按化學(xué)反應(yīng)方程式計(jì)量數(shù)比混合制備Mg(ClO32.簡(jiǎn)述可制備Mg(ClO32的原因:
          在某一溫度時(shí),NaCl最先達(dá)到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別;
          在某一溫度時(shí),NaCl最先達(dá)到飽和析出;Mg(ClO32的溶解度隨溫度變化的最大,NaCl的溶解度與其他物質(zhì)的溶解度有一定的差別;

          (4)按題(3)中條件進(jìn)行制備實(shí)驗(yàn).在冷卻降溫析出Mg(ClO32過(guò)程中,常伴有NaCl析出,原因是:
          降溫前,溶液中NaCl已達(dá)飽和,降低過(guò)程中,NaCl溶解度會(huì)降低,會(huì)少量析出;
          降溫前,溶液中NaCl已達(dá)飽和,降低過(guò)程中,NaCl溶解度會(huì)降低,會(huì)少量析出;
          .除去產(chǎn)品中該雜質(zhì)的方法是:
          重結(jié)晶
          重結(jié)晶

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:

          實(shí)驗(yàn)室分別制備H2、NO2、CH4、NO、NH3氣體時(shí),只能用排水法收集的氣體是_______________,只能用排空氣法收集的氣體是__________________,既能用排水法又能用排空氣法收集的氣體是__________________。

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:濰坊模擬 題型:問(wèn)答題

          工業(yè)上電解飽和食鹽水能制取多種化工原料,其中部分原料可用于制備多晶硅.下圖1是離子交換膜法(允許鈉離子通過(guò),不允許氫氧根與氯離子通過(guò))電解飽和食鹽水,電解槽陽(yáng)極產(chǎn)生的氣體是______,NaOH溶液的出口為_(kāi)_____(填字母),精制飽和食鹽水的進(jìn)口為_(kāi)_____(填字母),干燥塔中應(yīng)使用的液體是______.

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          (1)多晶硅主要采用SiHC13還原工藝生產(chǎn),其副產(chǎn)物SiC14的綜合利用受到廣泛關(guān)注.SiC14可制氣相白炭黑(與光導(dǎo)纖維主要原料相同),方法為高溫下SiC14、H2、O2反應(yīng),產(chǎn)物有兩種,化學(xué)方程式為_(kāi)_____.SiC14可轉(zhuǎn)化為SiC13而循環(huán)使用.一定條件下,在20L恒容密閉容器中反應(yīng)3SiC14(g)+2H2(g)+Si(s)═4SiHC13(g)達(dá)平衡后,H2與SiHC13物質(zhì)的量濃度分別為0.140mol/L和0.020mol/L,若H2全部來(lái)源于離子交換膜法的電解產(chǎn)物,理論上需消耗NaC1的質(zhì)量為_(kāi)_____kg.
          (2)如圖2,實(shí)驗(yàn)室制備H2和Cl2通常采用下列反應(yīng):
          Zn+H2SO4?ZnSO4+H2↑,MnO2+4HC1(濃)
          .
          .
          MnC12+C12↑+2H2O

          據(jù)此,從下列所給儀器裝置中選擇制備并收集H2的裝置______(填代號(hào))和制備并收集干燥、純凈C12的裝置______(填代號(hào)).
          可選用制備氣體的裝置:
          (3)采用無(wú)膜電解槽電解飽和食鹽水,可制取氯酸鈉,同時(shí)生成氫氣.現(xiàn)制得氯酸鈉213.0kg,則生成氫氣______m3(標(biāo)準(zhǔn)狀況).(忽略可能存在的其他反應(yīng))

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