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        1. 2010年上海世博會將實現(xiàn)環(huán)保世博、生態(tài)世博目標(biāo),下列做法中不符合這一目標(biāo)的是(  )

          A.部分國家的展館使用可降解的建筑材料

          B.把世博會期間產(chǎn)生的垃圾焚燒或深埋處理

          C.某些館的外殼使用非晶硅薄膜,以充分利用太陽能

          D.停車場安裝了催化光解設(shè)施,用于處理汽車尾氣

           

          【答案】

          B

          【解析】考查化學(xué)與生活、生產(chǎn)及環(huán)境保護(hù)等。垃圾焚燒或深埋處理容易造成環(huán)境的污染,正確的做法應(yīng)該是分類回收,選項B不正確,其余都是正確的,答案選B。

           

          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、lnGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          [Ar]3d104s24p1
          [Ar]3d104s24p1

          (2)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
          4
          4
          ,與同一個鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體

          (3)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3
          . (用氫化物分子式表示)
          (4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

          (5)比較二者的第一電離能:As
          Ga(填“<”、“>”或“=”).
          (6)下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          (填字母).
          A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.GaP與GaAs互為等電子體
          C.電負(fù)性:As>Ga       D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          2010年上海世博會場館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.已知鎵是鋁同族下一周期的元素.砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          1s22s22p63d104s24p1
          1s22s22p63d104s24p1

          (2)比較二者的第一電離能:As
          Ga(填“<”、“>”或“=”).
          (3)砷化鎵晶胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
          4
          4
          ,與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體

          (4)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

          (5)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3
          .(用氫化物分子式表示)
          (6)下列說法正確的是
          BCD
          BCD
          (填字母).
          A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B.GaP與GaAs互為等電子體
          C.電負(fù)性:As>Ga                  D.砷化鎵晶體中含有配位鍵.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          2010年上海世博會主題是“城市,讓生活更美好”,下列有關(guān)世博會說法錯誤的是( 。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (2011?南京模擬)2010年上海世博會場館,大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED).目前市售LED品片,材質(zhì)基本以GaAs(砷化鎵)、AlGaInP(磷化鋁鎵銦)、InGaN(氮化銦鎵)為主.砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖.試回答:
          (1)鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1
          ls22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1

          (2)砷化鎵品胞中所包含的砷原子(白色球)個數(shù)為
          4
          4
          ,與同一個鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體

          (3)下列說法正確的是
          BCDE
          BCDE
          (填字母).
          A.砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
          B.第一電離能:As>Ga
          C.電負(fù)性:As>Ga
          D.砷化鎵晶體中含有配位鍵
          E.GaP與GaAs互為等電子體
          (4)N、P、As處于同一主族,其氫化物沸點由高到低的順序是
          NH3>AsH3>PH3
          NH3>AsH3>PH3

          (5)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃時制得.(CH33Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          (2011?石景山區(qū)一模)2010年上海世博會的主題是“城市,讓生活更美好”.下列敘述中不正確的是( 。

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