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				碳化硅（SiC）的晶體有類似金剛石的結(jié)構(gòu)，其中碳原子和硅原子的位置是交替的。它與晶體硅和金剛石相比較，正確的是（    ） 
          A.熔點(diǎn)：金剛石＞碳化硅＞晶體硅                 B.熔點(diǎn)：金剛石＞晶體硅＞碳化硅
          C.三種晶體中的單元都是正四面體結(jié)構(gòu)           D.三種晶體都是原子晶體且均為絕緣體
          			
          


			
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          2004年9月3日英國《自然》雜志報(bào)道，碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一，其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高，熔化及鍛制的過程相當(dāng)費(fèi)勁，而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵，如雜質(zhì)、氣泡等，這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流。因此，碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱，他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法，使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅（SiC）的有關(guān)說法錯(cuò)誤的是
          A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體
          B. 碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料
          C. 碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高
          D. 制取碳化硅的反應(yīng)：SiO2＋3CSiC＋2CO↑中，SiO2是氧化劑，C是還原劑
          

			
          

			
          
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