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          2010年上海世博會(huì)是一次清潔能源技術(shù)的集中展示，其一是世博會(huì)的主要建筑都安裝了太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)，系統(tǒng)引進(jìn)了最先進(jìn)的太陽(yáng)能半導(dǎo)體薄膜，儲(chǔ)藏陽(yáng)光并轉(zhuǎn)化為電能．下列敘述不正確的是（　　）
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：A．太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)無(wú)污染；
          B．光伏發(fā)電系統(tǒng)是將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔埽?br />C．太陽(yáng)能電池板的材料主要是硅；
          D．清潔能源是指在生產(chǎn)和使用過(guò)程、不產(chǎn)生有害物質(zhì)排放的能源．
          解答：解：A．太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)無(wú)污染，符合低碳、綠色、科技的世博理念，故A正確； 
          B．光伏發(fā)電系統(tǒng)是光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿难b置，故B正確；
          C．太陽(yáng)能電池板的材料主要是硅單質(zhì)，故C錯(cuò)誤；
          D．核能、水力、風(fēng)力、生物能（沼氣）、海潮能等無(wú)污染，都是清潔能源，故D正確．
          故選C．
          點(diǎn)評(píng)：本題考查新能源，難度不大，注意核能、水力、風(fēng)力、生物能（沼氣）、海潮能等都是清潔能源．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          [Ar]3d104s24p1
          [Ar]3d104s24p1
          ．
          （2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ． （用氫化物分子式表示）
          （4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （5）比較二者的第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
          （6）下列說(shuō)法正確的是
          BCD
          BCD
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
          C．電負(fù)性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED晶片材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          1s22s22p63d104s24p1
          1s22s22p63d104s24p1
          ．
          （2）比較二者的第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
          （3）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （5）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ．（用氫化物分子式表示）
          （6）下列說(shuō)法正確的是
          BCD
          BCD
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同       B．GaP與GaAs互為等電子體
          C．電負(fù)性：As＞Ga                  D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會(huì)主題是“城市，讓生活更美好”，下列有關(guān)世博會(huì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          （2011?南京模擬）2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、InGaN（氮化銦鎵）為主．砷化鎵的品胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
          ls22s22p63s23p63d104s24p1（或[Ar]3d104s24p1）
          ．
          （2）砷化鎵品胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （3）下列說(shuō)法正確的是
          BCDE
          BCDE
          （填字母）．
          A．砷化鎵品胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同
          B．第一電離能：As＞Ga
          C．電負(fù)性：As＞Ga
          D．砷化鎵晶體中含有配位鍵
          E．GaP與GaAs互為等電子體
          （4）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ．
          （5）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          （2011?石景山區(qū)一模）2010年上海世博會(huì)的主題是“城市，讓生活更美好”．下列敘述中不正確的是（　�。�
          

			
          

			
          
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