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          請(qǐng)參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
          

          

          (1)熔點(diǎn)：白磷________紅磷硬度：CCl4________硅晶體(填“＞”或“＜”)
          

          (2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷CCl4和SiCl4的熔點(diǎn)高低？________(填“能”或“不能”)，原因是________．
          

          (3)白磷與氧氣可發(fā)生反應(yīng)：P4(s)＋5O2(g)＝P4O10(s)，請(qǐng)根據(jù)圖示的分子結(jié)構(gòu)和有關(guān)數(shù)據(jù)計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H＝________kJ/mol
          

          

          

          			
          


			
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差．參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
          

          


          
化學(xué)鍵
Si-O
Si-Cl
H-H
H-Cl
Si-Si
Si-C
          

          
鍵能/kJ?mol-1
460
360
436
431
176
347
          （1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“＞”或“＜”）
          SiC
          ＞
          ＞
          Si； SiCl4
          ＜
          ＜
          SiO2
          （2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？
          不能
          不能
          （填“能”或“不能”），原因是
          物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來(lái)判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．
          物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多．因此不能都根據(jù)鍵能來(lái)判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低．

          （3）如圖立方體中心的“?”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“?”表示出與之緊鄰的碳原子

          （4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4（g）+2H2（g）
          高溫
           Si（s）+4HCl（g）計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為
          +236kJ/mol
          +236kJ/mol
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：2011-2012學(xué)年寧夏銀川一中高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（帶解析）
				題型：填空題
			
          

						
          （每空2分，共12分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
          化學(xué)鍵
          		Si—O
          		Si—Cl
          		H—H
          		H—Cl
          		Si—Si
          		Si—C
          鍵能/kJ·mol-1
          		460
          		     360
          		436
          		431
          		176
          		347
           
          （1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）
          SiC       Si； SiCl4      SiO2
          （2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？       （填“能”或“不能”），原因是                                                            。
          （3）如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子

          （4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4(g) + 2H2（g） 高溫   Si（s）+4HCl（g) 
          計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_(kāi)_________________。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：2013屆寧夏高二下學(xué)期期末考試化學(xué)試卷（解析版）
				題型：填空題
			
          

						
          （每空2分，共12分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
          


          
 
          
  
  
          化學(xué)鍵
          
            		
  
  
          Si—O
          
            		
  
  
          Si—Cl
          
            		
  
  
          H—H
          
            		
  
  
          H—Cl
          
            		
  
  
          Si—Si
          
            		
  
  
          Si—C
          
            		
 
          
 
          
  
  
          鍵能/kJ·mol-1
          
            		
  
  
          460
          
            		
  
  
                 360
          
            		
  
  
          436
          
            		
  
  
          431
          
            		
  
  
          176
          
            		
  
  
          347
          
            		
 
          

          


           
          


          （1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“>”或“<”）
          


          SiC       Si； SiCl4       SiO2
          


          （2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？       
（填“能”或“不能”），原因是                                                            
。 
          


          （3）如圖立方體中心的“· ”表示金剛石晶體中的一個(gè)原子，請(qǐng)?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“· ”表示出與之緊鄰的碳原子
          


          


          （4）工業(yè)上高純硅可通過(guò)下列反應(yīng)制�。篠iCl4(g) + 2H2（g）  高溫    Si（s）+4HCl（g) 
          


          計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為_(kāi)_________________。
          


           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：期中題
				題型：填空題
			
          

						
          請(qǐng)參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問(wèn)題：
          

          （1）熔點(diǎn)：白磷_________ 紅磷     硬度：CCl4 __________硅晶體（填“>”或“<”）
          （2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷CCl4和SiCl4的熔點(diǎn)高低？________（填“能”或“不能”），原因是  ______________。
          （3）白磷與氧氣可發(fā)生反應(yīng)：P4(s) + 5O2(g) = P4O10(s)，請(qǐng)根據(jù)圖示的分子結(jié)構(gòu)和有關(guān)數(shù)據(jù)計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱 H =____________kJ/mol 
          

          

			
          

			
          
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