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				電離能是指氣態(tài)原子或氣態(tài)離子失去一個(gè)電子所需要的最小能量，常用符號(hào)I表示．I1表示第一電離能，I2表示第二電離能，依此類推．現(xiàn)有5種元素，A、B、C、D、E，其中有三種金屬元素，一種稀有氣體元素，其I1～I(xiàn)3分別如下表．根據(jù)表中的數(shù)據(jù)判斷其中的金屬元素有
           
          ，稀有氣體元素有
           
          ，最活潑的金屬是
           
          ，顯二價(jià)的金屬是
           
          ．
          

          


          
元素
I1/eV
I2/eV
I3/eV
          

          
A
13.0
23.9
40.0
          

          
B
4.3
31.9
47.8
          

          
C
5.7
47.4
71.8
          

          
D
7.7
15.1
80.3
          

          
E
21.6
41.1
65.2
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          分析：根據(jù)電離能定義知，元素的金屬性越強(qiáng)，該元素的原子越容易失去電子，則其電離能越小，元素的非金屬性越強(qiáng)，原子得電子能力越強(qiáng)，其電離能越大，如果元素原子完全失去最外層電子后，該離子達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，要再失去電子就很困難，則其電離能就更大．
          解答：解：由題意知，電離能越小，失電子越容易，該元素金屬性越強(qiáng)，因?yàn)?B、C、D的電離能較小，所以B、C、D是金屬；
          E的第一、第二、第三電離能都比較大，所以是稀有氣體；
          第一電離能最小的是B，所以其金屬性最強(qiáng)；
          D元素的第一電離能和第二電離能差比第三電離能和第二電離能的差小很多，所以顯二價(jià)的金屬是D，
          故答案為：BCD；E；B；D．
          點(diǎn)評(píng)：本題考查了元素電離能與元素原子結(jié)構(gòu)、元素金屬性和非金屬性強(qiáng)弱的關(guān)系，明確電離能大小與元素金屬性和非金屬性強(qiáng)弱的關(guān)系是解本題關(guān)鍵，根據(jù)電離能大小判斷即可，注意化合價(jià)判斷的方法，為易錯(cuò)點(diǎn)．
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：閱讀理解
			
          

						
          【化學(xué)--選修3：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
          VA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
          （1）白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3
          ；
          （2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          N＞P＞As
          N＞P＞As
          ；
          （3）As原子序數(shù)為
          33
          33
          ，其核外M層和N層電子的排布式為
          3s23p63d104s24p3
          3s23p63d104s24p3
          ；
          （4）NH3的沸點(diǎn)比PH3
          高
          高
          （填“高”或“低”），原因是
          NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，而PH3分子間僅有較弱的范德華力
          NH3分子間存在較強(qiáng)的氫鍵，而PH3分子間僅有較弱的范德華力
          ．
          PO43-離子的立體構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體
          ；
          （5）H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13．硝酸完全電離，而亞硝酸K=5.1×10-4，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
          ①H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因
          第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
          第一步電離出的氫離子抑制第二步的電離
          ；
          ②硝酸比亞硝酸酸性強(qiáng)的原因
          硝酸中N呈+5價(jià)，N-O-H中O的電子更向N偏移，導(dǎo)致其越易電離出氫離子
          硝酸中N呈+5價(jià)，N-O-H中O的電子更向N偏移，導(dǎo)致其越易電離出氫離子
          ；
          （6）NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似，其晶胞的棱長(zhǎng)為a cm，則該晶體中距離最近的兩個(gè)陽(yáng)離子核間的距離為
          		2
          2
          a
          		2
          2
          a
          cm（用含有a的代數(shù)式表示）．
          在一定溫度下NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”（如圖），可以認(rèn)為氧離子作密致單層排列，鎳離子填充其中，列式并計(jì)算每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為
          1.83×10-3
          1.83×10-3
          g （氧離子的半徑為1.40×10-10m）
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：閱讀理解
			
          

						
          請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

          （1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3
          ．
          （2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量．Mg與Al原子的第一電離能大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          Al＞Mg
          Al＞Mg
          ；O與F電負(fù)性大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          F＞O
          F＞O
          ．（用＜或=或＞表示）
          （3）34號(hào)元素的價(jià)層電子的電子排布圖為
          1s22s22p63s23p63d104s24p4
          1s22s22p63s23p63d104s24p4
          ，在周期表位于
          第四周期第ⅥA族
          第四周期第ⅥA族
          區(qū)；Mn2+基態(tài)的電子排布式為
          1s22s22p63s23p63d5
          1s22s22p63s23p63d5
          ．
          （4）氣態(tài)SO2分子的立體構(gòu)型為
          V形
          V形
          ；SO32-離子的立體構(gòu)型為
          三角錐型
          三角錐型
          （均用文字描述）
          （5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，K2為1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋；
          ①H2SeO4和H2SeO3第一步電離程度大于第二部電離的原因：
          酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷，吸引H+，同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
          酸第一步電離產(chǎn)生的酸根陰離子帶有負(fù)電荷，吸引H+，同時(shí)產(chǎn)生的H+抑制第二步電離
          ；
          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：
          H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為（HO）2SeO2、（HO）2SeO，H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，后者Se原子吸電子能力強(qiáng)，導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
          H2SeO4和H2SeO3可以分別表示為（HO）2SeO2、（HO）2SeO，H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，后者Se原子吸電子能力強(qiáng)，導(dǎo)致羥基上氫原子更容易電離H+
          ；
          （6）向CuSO4溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu（OH）4]2-．不考慮空間構(gòu)型，[Cu（OH）4]2-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為
          ．
          （7）Cu元素的一種氯化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，該氯化物的化學(xué)式是
          CuCl
          CuCl
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：閱讀理解
			
          

						
          ⅥA族的氧、硫、硒（Se）、碲（Te）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含ⅥA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

          （1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式是S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如圖1所示，S原子采用的軌道雜化方式是
          sp3
          sp3
          ；
          （2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
          O＞S＞Se
          O＞S＞Se
          ；
          （3）Se的原子序數(shù)為
          34
          34
          ，其核外M層電子的排布式為
          3s23p63d10
          3s23p63d10
          ；
          （4）H2Se的酸性比 H2S
          強(qiáng)
          強(qiáng)
          （填“強(qiáng)”或“弱”）．氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型為
          平面三角形
          平面三角形
          ，
          SO
          2-
          3
          離子的立體構(gòu)型為
          三角錐形
          三角錐形
          ；
          （5）H2SeO3 的K1和K2分別是2.7×10-3和2.5×10-8，H2SeO4的第一步幾乎完全電離，K2是1.2×10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
          ①H2SeO3和H2SeO4的第一步電離程度大于第二步電離的原因：
          第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
          第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子
          ；
          ②H2SeO4比H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：
          H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
          H2SeO3和H2SeO4可表示為（HO）SeO和（HO）SeO2．H2SeO3中Se為+4價(jià)，而H2SeO4中Se為+6價(jià)，正電性更高．導(dǎo)致Se-O-H中的O原子更向Se偏移，越易電離出H+
          ．
          （6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛．立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0pm，密度為
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          4×(65+32)g?mol-1
          6.02×1023mol-1
          (540.0×10-10cm)3
          =4.1
          g?cm-3（列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為
          270.0
          		1-cos109°28′
          或
          135.0×
          		2
          sin
          109°28′
          2
          或135
          		3
          270.0
          		1-cos109°28′
          或
          135.0×
          		2
          sin
          109°28′
          2
          或135
          		3
          pm（列式表示）
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          VA族的氮、磷、砷（As）等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
          （1）白磷單質(zhì)的中P原子采用的軌道雜化方式是
           
          ；
          （2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，N、P、As原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
           
          ；
          （3）As原子序數(shù)為
           
          ，其核外M、N層電子的排布式為
           
          ；
          （4）NH3的沸點(diǎn)比PH3
           
          （填“高”或“低”），原因是
           
          ．PO43-離子的立體構(gòu)型為
           
          ；
          （5）H3PO4的K1、K2、K3分別為7.6×10-3、6.3×10-8、4.4×10-13．請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋，H3PO4的K1遠(yuǎn)大于K2的原因
           
          ．
          

			
          

			
          
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