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        1. 某電子層n,當(dāng)它作為最外電子層時(shí),容納電子數(shù)最多與n-1層相同;當(dāng)它作為原子的次外層時(shí),其電子數(shù)比n-1層最多能多10個(gè),則此電子層是( )

          AK            BM              CL          DN

           

          答案:B
          提示:

          n為最外電子層時(shí),最多容納8個(gè)電子,因與n-1層相同,則n-1層應(yīng)為第二層,顯然n為第三層即M層,若n為次外層,則最多容納18個(gè)電子,比n-1層,即第二層多10個(gè)電子,故選B。

           


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          某電子層n,當(dāng)它作為最外電子層時(shí),容納電子數(shù)最多與n-1層相同;當(dāng)它作為原子的次外層時(shí),其電子數(shù)比n-1層最多能多10個(gè),則此電子層是( )

          AK            BM              CL          DN

           

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          某電子層n,當(dāng)它作為最外電子層時(shí),容納的電子最多與n-1層相同;當(dāng)它作為原子的次外層時(shí),其容納電子比n+1層最多能多10個(gè),則此電子層是

          A.

          K層

          B.

          M層

          C.

          L層

          D.

          N層

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          某電子層n,當(dāng)它作為最外電子層時(shí),容納的電子最多與n-1層相同;當(dāng)它作為原子的次外層時(shí),其容納電子比n+1層最多能多10個(gè),則此電子層是(    )

          A.K層                B.M層                    C.L層                    D.N層

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          某電子層n,當(dāng)它作為最外電子層時(shí),容納的電子最多與n-1層相同;當(dāng)它作為原子的次外層時(shí),其容納電子比n+1層最多能多10個(gè),則此電子層是


          1. A.
            K層
          2. B.
            M層
          3. C.
            L層
          4. D.
            N層

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