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        1. 下列各離子化合物中,陽(yáng)離子與陰離子的半徑之比最小的是
          A.KClB.NaBrC.LiID.KF
          C
          根據(jù)同主族元素,陰、陽(yáng)離子半徑隨著原子序數(shù)的增大而增大,要使陽(yáng)離子與陰離子的半徑之比最小,即要求陽(yáng)離子半徑最小,陰離子半徑最大,而陽(yáng)離子半徑最小的是鋰離子,陰離子半徑最大的是碘離子,故選C.
          練習(xí)冊(cè)系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

           【化學(xué)――選修物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)
          有A、B、C、D、E五種元素。其相關(guān)信息如下:

          請(qǐng)回答下列問(wèn)題。
          (1) 寫(xiě)出E元素原子基態(tài)時(shí)的電子排布式__________________;
          (2) C元素的第一電離能比氧元索的第一電離能 ______ ______ (填“大”或“小”);
          (3) CA3分子中C原子的雜化軌道類(lèi)型是____________;
          (4) A、C、E三種元素可形成配離子,其中存在的化學(xué)鍵類(lèi)型有 ______ (填序號(hào));

          ①配位鍵 ②金屬鍵③極性共價(jià)鍵④非極性共價(jià)鍵⑤離子鍵 ⑥氫鍵
          具有對(duì)稱(chēng)的空間構(gòu)型,且當(dāng)中的兩個(gè)CA3被兩個(gè)Cl-取代時(shí),能得到兩種不同結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物,則的空間構(gòu)型為 ____________ (填序號(hào));
          a.平面正方形b.正四面體c.三角錐型  d. V型
          (5) B與D可形成離子化合物,其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示。其中D離子的配位數(shù)為_(kāi)____,若該晶體的密度為ag ? cm-3,則該晶胞的體積是______cm-3(寫(xiě)出表達(dá)式即可)。

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列說(shuō)法正確的是
          A.原子晶體中只存在非極性共價(jià)鍵
          B.稀有氣體形成的晶體屬于分子晶體
          C.干冰升華時(shí),分子內(nèi)共價(jià)鍵會(huì)發(fā)生斷裂
          D.分子晶體的熔點(diǎn)普遍都很高

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列化合物中,含有非極性鍵的離子化合物是
          A.Ba(OH)2B.H2SO4C.Na2O2D.CaCl2

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

          (12分) 諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)曾授予Henry Bragg和Lawrence Bragg,以表彰他們用X射線(xiàn)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的分析所作的貢獻(xiàn)。
          (1)在硼酸[B(OH)3]分子中,B原子與3個(gè)羥基相連,其晶體具有與石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)。
          則分子中B原子雜化軌道的類(lèi)型為  ▲     ,同層分子間的主要作用為  ▲     。
          (2)K3[Fe(CN)6]晶體中含有的化學(xué)鍵類(lèi)型為  ▲     ,F(xiàn)e3與CN之間能夠形成化學(xué)鍵的原因是    ▲    。
          (3)等物質(zhì)的量的氧化物MO與SiC的電子總數(shù)相等,則M2+離子的核外電子排布式為  ▲ 。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,晶體中與每個(gè)M2+等距離且最近的幾個(gè)O2-所圍成的空間幾何構(gòu)型為    ▲    。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,原因是  ▲                                  。

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是
          A.氯化鈉晶體中,每個(gè)晶胞中平均含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子
          B.在金剛石晶體中 ,1mol碳原子形成2mol碳碳共價(jià)鍵
          C.金屬Po的晶體堆積模型是簡(jiǎn)單立方堆積,其配位數(shù)是8
          D.在干冰晶體中,每一個(gè)二氧化碳分子周?chē)?2個(gè)二氧化碳分子緊密相鄰

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:填空題

          (10分)計(jì)算題:
          已知:晶體“二氧化硅”可由晶體“硅”衍生得到;下圖是晶體“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意圖:

          試回答:
          (1)請(qǐng)寫(xiě)出SiO2晶體的兩種主要用途:                                  (4分)
          (2)請(qǐng)寫(xiě)出與晶體SiO2化學(xué)鍵及晶體類(lèi)型完全相同的兩種物質(zhì)的名稱(chēng):           (2分)
          (3)已知:二氧化硅晶體的密度為ρg/cm3 , 試求二氧化硅晶體中最近的兩個(gè)Si原子之間的距離的表達(dá)式?(保留原表達(dá)式,不用化簡(jiǎn))(4分)

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          北京大學(xué)和中國(guó)科學(xué)院的化學(xué)工作者合作,已成功研制出堿金屬與C60形成的球碳鹽K3C60。實(shí)驗(yàn)測(cè)知該物質(zhì)屬于離子晶體,具有良好的超導(dǎo)性。下列關(guān)于K3C60的組成和結(jié)構(gòu)的分析中正確的是                     (   )
          A.K3C60中既有離子鍵,又有極性鍵
          B.1 molK3C60中含有的離子數(shù)目為63×6.02×1023
          C.該晶體在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電
          D.該物質(zhì)的化學(xué)式可寫(xiě)為KC20

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          科目:高中化學(xué) 來(lái)源:不詳 題型:單選題

          下列不是離子化合物的是
          A.H2OB.CaI2C.KOHD.NaNO3

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