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        1. 硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ).請回答下列問題:
          (1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為______,該能層具有的原子軌道數(shù)為______、電子數(shù)為______.
          (2)硅主要以硅酸鹽、______等化合物的形式存在于地殼中.
          (3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以______相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻______個原子.
          (4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為______.
          (5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:

          化學(xué)鍵C-CC-HC-OSi-SiSi-HSi-O
          鍵能/(kJ?mol-1356413336226318452

          ①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是______.
          ②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是______.
          (6)在硅酸鹽中,SiO數(shù)學(xué)公式四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式.圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為______,Si與O的原子數(shù)之比為______,化學(xué)式為______.

          解:(1)硅原子核外有14個電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2 ,對應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個能級,s能級有1個軌道,p能級有3個軌道,d能級有5個軌道,所以共有9個原子軌道,硅原子的M能層有4個電子(3s23p2);
          故答案為:M;9;4;
          (2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在,
          故答案為:二氧化硅
          (3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價鍵結(jié)合.在金剛石晶體的晶胞中,每個面心有一個碳原子(晶體硅類似結(jié)構(gòu)),則面心位置貢獻的原子為 6×=3個;
          故答案為:共價鍵;3;
          (4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2,方程式為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2,故答案為:Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2;
          (5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能,所以硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成,
          故答案為:C-C鍵和C-H鍵較強,所形成的烷烴穩(wěn)定,而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成;
          ②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向與形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵;
          故答案:C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵;
          (6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO)為正四面體結(jié)構(gòu),所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;
          故答案為:sp3 
          根據(jù)圖(b)的一個結(jié)構(gòu)單元中含有1個硅、3個氧原子,化學(xué)式為SiO32-;
          故答案為:1:3;SiO32-;
          分析:(1)硅原子核外有14個電子,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p2 ,對應(yīng)能層分別別為K、L、M,其中能量最高的是最外層M層,該能層有s、p、d三個能級,s能級有1個軌道,p能級有3個軌道,d能級有5個軌道,所以共有9個原子軌道,硅原子的M能層有4個電子(3s23p2);
          (2)硅元素在自然界中主要以化合態(tài)(二氧化硅和硅酸鹽)形式存在;
          (3)硅晶體和金剛石晶體類似都屬于原子晶體,硅原子之間以共價鍵結(jié)合.在金剛石晶體的晶胞中,每個面心有一個碳原子(晶體硅類似結(jié)構(gòu)),則面心位置貢獻的原子為 6×=3個;
          (4)Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4、NH3和MgCl2;
          (5)①烷烴中的C-C鍵和C-H鍵大于硅烷中的Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能;
          ②鍵能越大、物質(zhì)就越穩(wěn)定,C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,故C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定,而Si-H鍵的鍵能遠小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向與形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵;
          (6)硅酸鹽中的硅酸根(SiO)為正四面體結(jié)構(gòu),所以中心原子Si原子采取了sp3雜化方式;根據(jù)圖(b)的一個結(jié)構(gòu)單元中含有1個硅、3個氧原子,化學(xué)式為SiO32-;
          點評:本題主要考查了基態(tài)原子的核外電子排布、晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)方程式的書寫、雜化軌道、化學(xué)鍵等知識,難度中等.
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

          [化學(xué)-選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
          硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ).請回答下列問題:
          (1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
          M
          M
          ,該能層具有的原子軌道數(shù)為
          9
          9
          、電子數(shù)為
          4
          4

          (2)硅主要以硅酸鹽、
          二氧化硅
          二氧化硅
          等化合物的形式存在于地殼中.
          (3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以
          共價鍵
          共價鍵
          相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻
          3
          3
          個原子.
          (4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備.工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2
          Mg2Si+4NH4Cl=SiH4+4NH3+2MgCl2

          (5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:
          化學(xué)鍵 C-C C-H C-O Si-Si Si-H Si-O
          鍵能/(kJ?mol-1 356 413 336 226 318 452
          ①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是
          C-C鍵和C-H鍵較強,所形成的烷烴穩(wěn)定.而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成.
          C-C鍵和C-H鍵較強,所形成的烷烴穩(wěn)定.而硅烷中Si-Si鍵和Si-H鍵的鍵能較低,易斷裂,導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成.

          ②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是
          C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵
          C-H鍵的鍵能大于C-O鍵,C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定.而Si-H鍵的鍵能卻遠小于Si-O鍵,所以Si-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的Si-O鍵

          (6)在硅酸鹽中,SiO
           
          4-
          4
          四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式.圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為
          sp3
          sp3
          ,Si與O的原子數(shù)之比為
          1:3
          1:3
          ,化學(xué)式為
          SiO32-
          SiO32-

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          下列敘述中,不正確的是( 。

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

          下列敘述中,不正確的是(  )
          A、單質(zhì)硅是重要的半導(dǎo)體材料B、二氧化硅是制造光導(dǎo)纖維的材料C、硅酸鈉可以做木材防火劑D、二氧化硅溶于水生成硅酸

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          科目:高中化學(xué) 來源:2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試理科綜合能力測試化學(xué)(新課標Ⅰ卷帶解析) 題型:填空題

          [化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)
          硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題:
          (1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           。
          (2)硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。
          (3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以           相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻          個原子。
          (4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。
          (5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:

          化學(xué)鍵
          C—C
          C—H
          C—O
          Si—Si
          Si—H
          Si—O
          鍵能/(kJ?mol-1
          356
          413
          336
          226
          318
          452
           
          ①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是      
          ②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                           。
          (6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為      ,Si與O的原子數(shù)之比為         ,化學(xué)式為                  。

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          科目:高中化學(xué) 來源:2013年全國普通高等學(xué)校招生統(tǒng)一考試理科綜合能力測試化學(xué)(新課標Ⅰ卷解析版) 題型:填空題

          [化學(xué)—選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)](15分)

          硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)。請回答下列問題:

          (1)基態(tài)Si原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為       ,該能層具有的原子軌道數(shù)為        、電子數(shù)為           

          (2)硅主要以硅酸鹽、           等化合物的形式存在于地殼中。

          (3)單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類似的晶體,其中原子與原子之間以           相結(jié)合,其晶胞中共有8個原子,其中在面心位置貢獻          個原子。

          (4)單質(zhì)硅可通過甲硅烷(SiH4)分解反應(yīng)來制備。工業(yè)上采用Mg2Si和NH4Cl在液氨介質(zhì)中反應(yīng)制得SiH4,該反應(yīng)的化學(xué)方程式為                                     。

          (5)碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示,簡要分析和解釋下列有關(guān)事實:

          化學(xué)鍵

          C—C

          C—H

          C—O

          Si—Si

          Si—H

          Si—O

          鍵能/(kJ?mol-1

          356

          413

          336

          226

          318

          452

           

          ①硅與碳同族,也有系列氫化物,但硅烷在種類和數(shù)量上都遠不如烷烴多,原因是      。

          ②SiH4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物,原因是                           。

          (6)在硅酸鹽中,SiO4- 4四面體(如下圖(a))通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)型式。圖(b)為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為      ,Si與O的原子數(shù)之比為         ,化學(xué)式為                  。

           

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