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        1. 制備單質(zhì)硅的主要化學(xué)反應(yīng)如下:
          ①SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑  ②Si+2Cl2
           高溫 
          .
           
          SiCl4   ③SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
           Si+4HCl
          下列對上述三個反應(yīng)的敘述中,錯誤的是(  )
          A、①③為置換反應(yīng)
          B、①②③均為氧化還原反應(yīng)
          C、三個反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被氧化
          D、①是工業(yè)上制粗硅的反應(yīng),②③是粗硅提純的反應(yīng)
          分析:A、置換反應(yīng)是一種單質(zhì)和一種化合物反應(yīng)生成另一種單質(zhì)和化合物的反應(yīng),依據(jù)概念和反應(yīng)分析判斷;
          B、氧化還原反應(yīng)是反應(yīng)前后有元素化合價變化的反應(yīng);
          C、氧化還原反應(yīng)中元素化合價升高失去電子被氧化;
          D、根據(jù)發(fā)生的反應(yīng)分析.
          解答:解:A、①SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑;③SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          Si+4HCl;反應(yīng)符合置換反應(yīng)的概念,故A正確;
          B、①SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑,反應(yīng)前后有元素化合價變化; ②Si+2Cl2
           高溫 
          .
           
          SiCl4 反應(yīng)前后有化合價變化; ③SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          Si+4HCl,反應(yīng)前后有元素化合價變化;故B正確;
          C、①SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑反應(yīng)前后硅元素化合價降低被還原; ②Si+2Cl2
           高溫 
          .
           
          SiCl4 反應(yīng)前后硅元素化合價升高,被氧化; ③SiCl4+2H2
           高溫 
          .
           
          Si+4HCl,反應(yīng)前后硅元素化合價降低,被還原;故C錯誤;
          D、反應(yīng)①產(chǎn)物Si中含有雜質(zhì),是工業(yè)上制粗硅的反應(yīng),通過反應(yīng)②③可以提純硅,故D正確;
          故選C.
          點評:本題考查了氧化還原反應(yīng)的概念分析及特征應(yīng)用,硅及其化合物性質(zhì)的應(yīng)用,分析反應(yīng)中元素化合價的變化是解題關(guān)鍵,題目難度不大.
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

          晶體硅是一種重要的非金屬材料.制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl
           300℃ 
          .
           
          SiHCl3+H2
          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃.請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:
          分餾
          分餾

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
          ①裝置B中的試劑是
          濃硫酸
          濃硫酸
          ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化
          使滴入燒瓶中的SiHCl3氣化

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是
          高溫下,普通玻璃會軟化
          高溫下,普通玻璃會軟化
          ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl

          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
          先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡
          先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是
          bd
          bd

          a.碘水b.氯水c.NaOH溶液d.KSCN溶液e.Na2SO3溶液.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:閱讀理解

          晶體硅是一種重要的非金屬材料.請寫出晶體硅的二種用途:
          計算機(jī)芯片
          計算機(jī)芯片
          、
          太陽能電池
          太陽能電池
          .制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅.
          已知:
          Ⅰ.SiHCl3水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請寫出其水解的化學(xué)方程式:
          SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑
          SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑

          Ⅱ.SiHCl3 在空氣中自燃.請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑
          SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si+2CO↑

          (2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

          ①裝置B中的試劑是
          濃H2SO4
          濃H2SO4
          ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
          使SiHCl3氣化
          使SiHCl3氣化

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
          D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          D石英管的內(nèi)壁附有灰黑色晶體
          ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si+3HCl
          ;
          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及
          先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡
          先通一段時間H2,將裝置中的空氣排盡
          ;
          ④設(shè)計鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:
          取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.
          取少量產(chǎn)品于試管中加鹽酸溶解,再滴加氯水和KSCN(aq),若出現(xiàn)紅色說明含F(xiàn)e,若不出現(xiàn)紅色說明不含F(xiàn)e.

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          科目:高中化學(xué) 來源: 題型:

           晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
          ②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2。
          ③SiHCl3與過量的H2在1000~1100℃時反應(yīng)制得純硅。
          已知SiHCl3(沸點33.0℃)能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
          請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為____________________。
          (2)用SiHCl3與過量的H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置已略去):

          ①裝置B中的試劑是______________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_______________。
          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。
          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是_____________。
          a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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          科目:高中化學(xué) 來源:2013屆江西省南昌二中高三第一次考試化學(xué)試卷(帶解析) 題型:填空題

          (10分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。請寫出晶體硅的二種用途:______、______
          制備純硅的主要步驟如下:
          ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(常溫下為液態(tài),易揮發(fā))
          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。
          已知:Ⅰ.SiHCl3水解會生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物,請寫出其水解的化學(xué)方程式:___________。
          Ⅱ.SiHCl3在空氣中自燃。請回答下列問題:
          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 
          (2)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)

          ①裝置B中的試劑是    ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是______________,
          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是               _  
          裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為                  ___  ,
          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度
          以及                           _____________ 
          ④設(shè)計鑒定產(chǎn)品硅中是否含少量Fe單質(zhì)的方法:_________________________________。

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          科目:高中化學(xué) 來源:2013屆重慶市高二上學(xué)期期中考試化學(xué)試卷 題型:實驗題

          (18分)晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下:

           ①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

          ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl3:Si+3HCl    SiHCl3+H2

          ③SiHCl3與過量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。

          已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

          請回答下列問題:

          (1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為                 。

          (2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:            。

          (3)用SiHCl3與過量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

          ①裝置B中的試劑是        ,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:         

          ②反應(yīng)一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是       ,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是     ,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為               。

          ③為保證制備純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及    

          ④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫字母代號)是          

          a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液     d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

           

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