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				某離子晶體的晶胞如圖所示，X原子位于立方體的頂點(diǎn)，Y原子位于立方體的中心。 
          (1)該晶體的化學(xué)式為___________。
          (2)晶體中每個Y原子同時吸引著___________個X，每個X原子同時吸引著___________個Y原子。 
          (3)晶體中在每個X原子周圍與它最接近且距離相等的X原子共有___________個。
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				
          解析：(1)晶胞獨(dú)占位于立方體內(nèi)部的Y原子，完全占有的Y原子的個數(shù)為1。晶胞占有位于立方體頂點(diǎn)的X原子的，完全占有的X原子的個數(shù)為4×=0.5。綜合以上分析，可得該晶體的化學(xué)式為Y2X。 (2)觀察晶胞即可看出每個Y同時吸引著4個X。8個晶胞以立方體頂點(diǎn)某一X原子為中心能并置堆砌為上下兩層，選定的X原子吸引著上層的4個Y原子和下層的4個Y原子，總計同時吸引著8個Y原子。(3)將8個晶胞以立方體頂點(diǎn)某一X原子為中心能并置堆砌為上下兩層時，與選定的X原子最接近且距離相等的X原子有上、中、下三層，每一層都是4個X原子，總計12個X原子。
          答案：(1)Y2X　(2)4　8　(3)12
          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          （13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__     ___(請用相應(yīng)的編號填寫)
          （2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
          （3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
          （4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
           
              
          化學(xué)鍵
                      		    
          Si—Cl
                      		    
          H—H
                      		    
          H—Cl
                      		    
          Si—Si
                      		 
           
              
          鍵能/kJ·mol—1
                      		    
          360
                      		    
          436
                      		    
          431
                      		    
          176
                      		 
          已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：
          SiCl4(g) + 2H2(g)高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
          則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.
           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2010-2011學(xué)年湖北省孝感高中高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷
				題型：填空題
			
          

						
          （13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__    ___(請用相應(yīng)的編號填寫)

          （2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；

          （3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。

          （4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
          化學(xué)鍵
          		Si—Cl
          		H—H
          		H—Cl
          		Si—Si
          鍵能/kJ·mol—1
          		360
          		436
          		431
          		176
          已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�
          SiCl4(g) + 2H2(g) 高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
          則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2013屆吉林省四校高二下學(xué)期期中聯(lián)考化學(xué)試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          某離子化合物的晶胞如圖所示立體結(jié)構(gòu)，晶胞是整個晶體中最基本的重復(fù)單位。陽離子位于此晶胞的中心，陰離子位于8個頂點(diǎn)，該離子化合物中，陰、陽離子個數(shù)比是 (     )
          


          


          A. 1∶8           B. 1∶4      C. 1∶2          
D. 1∶1
          


           
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：2012屆湖北省高二下學(xué)期期中考試化學(xué)試卷
				題型：填空題
			
          

						
          （13分）（1）下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是__     ___(請用相應(yīng)的編號填寫)
          


          


          （2）一種離子晶體的晶胞如圖。其中陽離子A以表示，陰離子B以表示。則每個晶胞中含A離子的數(shù)目為________，含B離子數(shù)目為________。 若A的核外電子排布與Ar相同，B的核外電子排布與Ne相同，則該離子化合物的化學(xué)式是___________________；
          


          


          （3）下圖立方體中心的“●”表示硅晶體中的一個原子，請?jiān)诹⒎襟w的頂點(diǎn)用“●”表示出與之緊鄰的硅原子。
          


          


          （4）通常人們把拆開1 mol某化學(xué)鍵所吸收的能量看成該化學(xué)鍵的鍵能。鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（△H），化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。
          




          
 
          
  
  
          化學(xué)鍵
          
            		
  
  
          Si—Cl
          
            		
  
  
          H—H
          
            		
  
  
          H—Cl
          
            		
  
  
          Si—Si
          
            		
 
          
 
          
  
  
          鍵能/kJ·mol—1
          
            		
  
  
          360
          
            		
  
  
          436
          
            		
  
  
          431
          
            		
  
  
          176
          
            		
 
          

          




          已知:工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制取：
          


          SiCl4(g) + 2H2(g)
高溫 Si(s) + 4 HCl(g)
          


          則該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H =              kJ/mol.
          


           
          

			
          

			
          
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