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        1. 精英家教網 > 高中化學 > 題目詳情

          【題目】[化學--選修3:物質結構與性質]鍺(Ge)是典型的半導體元素,在電子、材料等領域應用廣泛.回答下列問題:
          (1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar] , 有個未成對電子.
          (2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵.從原子結構角度分析,原因是
          (3)比較下列鍺鹵化物的熔點和沸點,分析其變化規(guī)律及原因

          GeCl4

          GeBr4

          GeI4

          熔點/℃

          ﹣49.5

          26

          146

          沸點/℃

          83.1

          186

          約400


          (4)光催化還原CO2制備CH4反應中,帶狀納米Zn2GeO4是該反應的良好催化劑.Zn、Ge、O電負性由大至小的順序是
          (5)Ge單晶具有金剛石型結構,其中Ge原子的雜化方式為 , 微粒之間存在的作用力是
          (6)晶胞有兩個基本要素:①原子坐標參數,表示晶胞內部各原子的相對位置,如圖為Ge單晶的晶胞,其中原子坐標參數A為(0,0,0);B為( ,0, );C為( , ,0).則D原子的坐標參數為
          ②晶胞參數,描述晶胞的大小和形狀,已知Ge單晶的晶胞參數a=565.76pm,其密度為 gcm3(列出計算式即可).

          【答案】
          (1)4s24p2;2
          (2)Ge原子半徑大,難以通過“肩并肩”方式形成π鍵
          (3)GeCl4、GeBr4、GeI4都屬于分子晶體,相對分子質量GeCl4<GeBr4<GeI4 , 分子間作用力增強,熔沸點升高
          (4)O>Ge>Zn
          (5)sp3;共價鍵
          (6)( , , );
          【解析】(1)Ge是32號元素,位于第四周期第IVA族,基態(tài)Ge原子核外電子排布式為[Ar]4s24p2 , 在最外層的4s能級上2個電子為成對電子,4p軌道中2個電子分別處以不同的軌道內,有2軌道未成對電子,所以答案是:4s24p2;2;
          (2)Ge與C是同族元素,C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵,Ge原子半徑大,難以通過“肩并肩”方式形成π鍵,Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵,
          所以答案是:Ge原子半徑大,難以通過“肩并肩”方式形成π鍵;(3)鍺的鹵化物都是分子晶體,分子間通過分子間作用力結合,對于組成與結構相似的分子晶體,相對分子質量越大,分子間作用力越強,熔沸點越高,由于相對分子質量:GeCl4<GeBr4<GeI4 , 故沸點:GeCl4<GeBr4<GeI4 ,
          所以答案是:GeCl4、GeBr4、GeI4都屬于分子晶體,相對分子質量GeCl4<GeBr4<GeI4 , 分子間作用力增強,熔沸點升高,
          (4)元素非金屬性:Zn<Ge<O,元素的非金屬性越強,吸引電子的能力越強,元素的電負性越大,故電負性:O>Ge>Zn,
          所以答案是:O>Ge>Zn;(5)Ge單晶具有金剛石型結構,Ge原子與周圍4個Ge原子形成正四面體結構,向空間延伸的立體網狀結構,屬于原子晶體,Ge原子之間形成共價鍵,Ge原子雜化軌道數目為4,采取sp3雜化,所以答案是:sp3;共價鍵;
          (6)①D與周圍4個原子形成正四面體結構,D與頂點A的連線處于晶胞體對角線上,過面心B、C及上底面面心原子的平面且平行側面將晶胞2等分,同理過D原子的且平衡側面的平面將半個晶胞2等等份,可知D處于到各個面的 處,所以答案是:( , );②晶胞中Ge原子數目為4+8× +6× =8,結合阿伏伽德羅常數,可知出晶胞的質量為 ,晶胞參數a=565.76pm,其密度為 ÷(565.76×1010 cm)3 , 所以答案是:

          練習冊系列答案
          相關習題

          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】設NA為阿伏加德羅常數值.下列有關敘述正確的是( )
          A.14g乙烯和丙烯混合氣體中的氫原子數為2NA
          B.1mol N2與4mol H2反應生成的NH3分子數為2NA
          C.1mol Fe溶于過量硝酸,電子轉移數為2NA
          D.標準狀況下,2.24L CCl4含有的共價鍵數為0.4NA

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】向20mL某物質的量濃度的AlCl3溶液中滴入2mol/L NaOH溶液時,得到的Al(OH)3沉淀的質量與所滴加的NaOH溶液的體積(mL)關系如圖所示,試回答下列問題:
          (1)圖中A點表示的意義是;
          (2)圖中B點表示的意義是;
          (3)假如溶液中生成了沉淀0.39g,則此時用去NaOH溶液的體積最少是 . (寫出計算過程)

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】如圖方框中的每一字母各代表一種物質或溶液,它們在一定條件下發(fā)生反應的關系如圖1(圖中略去了一些物質).已知A、D是兩種常見的金屬,B是紅棕色金屬氧化物,C是一種熔點很高的金屬氧化物.
          根據示意圖回答下列問題:
          (1)寫出下列物質的化學式:B , K;
          (2)寫出H→G的離子方程式;
          (3)寫出N→M化學方程式;
          (4)實驗室在配制H的溶液時,往往要加入少量的D,其作用是
          (5)檢驗G中的陽離子的常用方法和現象是
          (6)取圖1中一定量F溶液,向其中逐滴加入NaOH溶液直至過量.如圖2所示示意圖能表示實驗過程中沉淀的質量隨NaOH溶液體積變化的是(填序號)

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】能正確表示下列反應的離子方程式的是(
          A.用惰性電極電解MgCl2溶液:2Cl+2H2O ?Cl2↑+H2↑+2OH
          B.向石灰水中滴加少量Ca(HCO32溶液:Ca2++2HCO3+2OH=CaCO3↓+CO32+2H2O
          C.過氧化鈉與水反應:2O22+2H2O=4OH+O2
          D.一定量明礬溶液中滴加Ba(OH)2溶液至沉淀的質量最大時:2Ba2++4OH+Al3++2SO42=2BaSO4↓+AlO2+2H2O

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】二氧化氯(ClO2)是一種在水處理等方面有廣泛應用的高效安全消毒劑.而且與氯氣(Cl2)相比不會產生對人體有潛在危害的有機氯化物.下列兩種方法可制備ClO2:方法一:2NaClO3+H2O2+H2SO4═2ClO2↑+O2↑+Na2SO4+2H2O
          方法二:2NaClO3+4HCl═2ClO2↑+Cl2↑+2NaCl+2H2O
          (1)關于方法一的下列說法中正確的是(填序號).
          A.H2SO4是氧化劑
          B.NaClO3被還原
          C.H2O2是還原劑
          D.ClO2中的Cl為+2價
          (2)方法二中被還原物質與被氧化物質的量之比是 , 若反應中產生的ClO2氣體在標準狀況下的體積為3.36L,則電子轉移為mol.
          (3)某溫度下,將Cl2通入NaOH溶液中,反應得到NaCl、NaClO、NaClO3的混合液,經測定Cl 的物質的量濃度之比為9:1,則所得溶液c( ):c(ClO)=

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】向蔗糖中加入濃硫酸,現象如圖所示.關于該實驗的說法中不正確的是(
          A.蔗糖變黑體現了濃硫酸的脫水性
          B.蔗糖體積膨脹變成疏松多孔的海綿狀物質炭
          C.實驗中有大量氣體產生體現了濃硫酸的強酸性
          D.將產生的氣體通入品紅溶液,溶液會褪色

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】我們飲用的水是由源水凈化所得。已知,明礬能將水中的懸浮物凝聚而沉淀,氯氣可殺菌。家庭飲用水的凈化過程正確的是 (  )。

          A.源水→過濾→加氯氣→加明礬→沉淀→凈水

          B.源水→加氯氣→過濾→加明礬→沉淀→凈水

          C.源水→加明礬→加氯氣→過濾→沉淀→凈水

          D.源水→加明礬→沉淀→過濾→加氯氣→凈水

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          科目:高中化學 來源: 題型:

          【題目】【化學-選修3:物質結構與性質】砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導體材料,可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等.回答下列問題:
          (1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式
          (2)根據元素周期律,原子半徑GaAs,第一電離能GaAs.(填“大于”或“小于”)
          (3)AsCl3分子的立體構型為 , 其中As的雜化軌道類型為
          (4)GaF3的熔點高于1000℃,GaCl3的熔點為77.9℃,其原因是
          (5)GaAs的熔點為1238℃,密度為ρ gcm3 , 其晶胞結構如圖所示.
          該晶體的類型為 , Ga與As以鍵鍵合.Ga和As的摩爾質量分別為MGa gmol1和MAs gmol1 , 原子半徑分別為rGa pm和rAs pm,阿伏伽德羅常數值為NA , 則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為

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