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          （8分）已知NiXO晶體晶胞結(jié)構(gòu)為NaCl型（見19題圖），由于晶體缺陷，x值于小于1。測知NiXO晶體密度ρ為5. 71g·cm－3，晶胞邊長為4.28×10－10m（Ni的相對原子質(zhì)量為58.7，O的相對原子質(zhì)量為16）。求：（已知：4.283="78.4 " =1.4）
          （1）晶胞中兩個(gè)Ni原子之間的最短距離___________（精確至0.01）。
          （2）與O2－距離最近且等距離的Ni離子圍成的幾何體形狀_______
          （3）求NiXO中x值為_________（精確至0.01）。
          （4）晶體中的Ni分別為Ni2﹢、Ni3﹢，求此晶體的化學(xué)式_________。
          			
          


			
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)，性質(zhì)體現(xiàn)結(jié)構(gòu)。對結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的研究是學(xué)好化學(xué)的基礎(chǔ)。
          （1）下列4種物質(zhì)熔點(diǎn)沸點(diǎn)由高到低排列為______________（填序號）
          ①金剛石（C—C）  ②晶體硅（Si—Si）   ③金剛砂（Si—C）
          （2）某晶體的晶胞如圖所示，X位于體心，Y位于４個(gè)面心，Z位于８個(gè)
          頂點(diǎn)，該晶體中 X、Y、Z的粒子個(gè)數(shù)比為______________；

          （3）按所示格式填寫下表有序號的表格：
          原子序數(shù)
          		原子價(jià)層電子排布
          		周期
          		族
          17
          		①
          		第三
          		②
          ③
          		3d54s1
          		④
          		ⅥB
          （4）某元素的激發(fā)態(tài)原子的電子排布式為1s2s2p3s3p4s，則該元素基態(tài)原子的電子排布式為             ；其最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物的化學(xué)式是       。
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列有關(guān)物質(zhì)的熔點(diǎn)的比較中，不正確的是
          A．晶體Si < 金剛石B．CO2 < SiO2
          		C． NaCl < NaBrD． PH3 < NH3
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          在超高壓下，科學(xué)家用激光器將CO2加熱到1800K，成功制得了類似石英的CO2原子晶體。下列關(guān)于CO2原子晶體的敘述中不正確的是
          A．晶體中C、O原子個(gè)數(shù)比為1∶2          B．該晶體的熔沸點(diǎn)、硬度都高于石英
          C．晶體中含有“CO4”的結(jié)構(gòu)單元         D．晶體中最小的原子環(huán)為六元環(huán)
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          某物質(zhì)的晶體內(nèi)部一個(gè)截面上原子的排布情況如右圖
           
           
          所示，則該晶體的化學(xué)式可表示為

           A．AB             B． A2B 　　
           C．AB2             D．A3B
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：填空題
			
          

						
          晶體硅是信息科學(xué)和能源科學(xué)的一種重要材料，可用作制芯片和太陽能電池等。下列流程圖是工業(yè)上制取純硅的一種方法：

          請回答下列問題：（各元素用相應(yīng)的元素符號表示）
          （1）在上述生產(chǎn)過程中，屬于置換反應(yīng)的有（填反應(yīng)的代號“I~IV”）
          （2）A、B、C三種氣體，在上述生產(chǎn)過程中可循環(huán)利用的是      ；在“節(jié)能減排”中作為減排目標(biāo)的一種氣體是              。
          （3）化合物甲的用途很廣，有些已應(yīng)用于高、精、尖科技領(lǐng)域。通�？勺鹘ㄖI(yè)和造紙工業(yè)上的黏合劑，可作肥皂的填料，是天然水的軟化劑。將石英砂和純堿按一定比例混合加熱至1373~1623K反應(yīng)生成化合物甲，其化學(xué)方程式為                     。
          （4）利用反應(yīng)III能制得純硅的原因是                            。
          （5）已知反應(yīng)IV中產(chǎn)物的總能量比反應(yīng)物的總能量低，則在密閉容器內(nèi)反應(yīng)IV建立平衡，改變下列的一個(gè)條件，氣體B的物質(zhì)的量增大的是           。
           a．縮小容器的容積
          b．降低反應(yīng)體系的溫度
          c．加入少量NaOH固體（生成物在此溫度下不分解）
          d．加入少量催化性能更好的催化劑
          （6）金屬鎳（Ni）與氣體A能形成常溫下為液態(tài)的Ni（A）4、利用Ni（A）4的生成與分解可以制得純度很高的納米鎳，寫出Ni（A）4在423K分解的化學(xué)方程式            
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列物質(zhì)按沸點(diǎn)降低順序的一組是
          A．CI4、CBr4、CCl4、CF4B．O、S、Se、Te
          C．HF、HCl、HBr、HID．H2Te、H2Se、H2S、H2O
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列離子化合物中，陰、陽離子個(gè)數(shù)比與其他化合物不同的是
          A．Na2O2B．Na2OC．Na2SD．NH4HSO4
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來源：不詳
				題型：單選題
			
          

						
          下列敘述中正確的是                                                                                     （   ）
          A．陽離子不一定是金屬離子，含陽離子的物質(zhì)一定含陰離子
          B．陰、陽離子相互作用不一定形成離子化合物
          C．離子化合物均屬于強(qiáng)電解質(zhì)，都易溶于水
          D．由某金屬元素的陽離子和某非金屬元素陰離子組成的物質(zhì)一定是純凈物
          

			
          

			
          
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