Question

【題目】銅、硼、硅、砷等元素的化合物是制造新型激光武器和新型太陽能電池的重要材料�；卮鹣铝袉栴}：

（1）基態(tài)硅原子電子占據(jù)的最高能層符號是_____，其中能量最高的電子所占據(jù)能級的原子軌道有_____個伸展方向，原子軌道呈_____形。

（2）在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣，小心蒸發(fā)，最終得到深藍色的[Cu(NH3)4]SO4晶體，晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有____________。

（3）硒為第四周期元素，相鄰的元素有砷和溴，則三種元素的第一電離能從大到小的順序為________（用元素符號表示）。H2SeO3的酸性_______H2SeO4（填“強于”或“弱于”），原因是___________（從分子結構的角度回答）。

（4）氮化硼(BN)晶體有多種相結構。六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結構，可作高溫潤滑劑。它的晶體結構如右圖所示。六方相氮化硼______π鍵（填“含有”或“不含”），其質地軟的原因是_________。NaBH4是一種重要的儲氫載體，陰離子的的立體結構_________。

Answer 1

【答案】M 3 啞鈴 離子鍵、配位鍵 Br＞As＞Se 弱于 H2SeO4中非羥基氧原子數(shù)目越多，中心硒原子價態(tài)越多，導致Se-O-H中的氧原子更向Se偏移，更容易電離出H+，酸性越強 不含 層間作用力小，質地軟 正四面體

【解析】

（1）基態(tài)硅原子核外共有三個電子層，越往外層能量最高，能量最高的電子是3p軌道上的電子。

（2）[Cu(NH3)4]SO4晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有陰、陽離子間的離子鍵，中心離子與配體間的配位鍵。

（3）砷的4P軌道上半充滿電子，第一電離能出現(xiàn)反常。H2SeO3為弱酸，H2SeO4為強酸，原因可從中心原子與氧原子間的共用電子對分析。

（4）六方相氮化硼中，B的最外層只有3個電子，全部用于形成共價鍵；層與層之間只有范德華力，所以質地軟。NaBH4是一種重要的儲氫載體，陰離子BH4-滿足AB4型結構。

（1）基態(tài)硅原子核外電子占據(jù)的最高能層，是原子核外的第三層，符號是M，其中能量最高的電子所占據(jù)能級的原子軌道為P軌道，有3個伸展方向，原子軌道呈啞鈴形。答案為：M；3；啞鈴；

（2）[Cu(NH3)4]SO4晶體中含有的化學鍵除普通共價鍵外，還有陰、陽離子間的離子鍵，中心離子與配體間的配位鍵。答案為：離子鍵、配位鍵；

（3）砷的4P軌道上半充滿電子，第一電離能出現(xiàn)反常，則三種元素的第一電離能從大到小的順序為Br＞As＞Se。H2SeO3的酸性弱于H2SeO4，原因是H2SeO4中非羥基氧原子數(shù)目越多，中心硒原子價態(tài)越多，導致Se-O-H中的氧原子更向Se偏移，更容易電離出H+，酸性越強。答案為：Br＞As＞Se；弱于；H2SeO4中非羥基氧原子數(shù)目越多，中心硒原子價態(tài)越多，導致Se-O-H中的氧原子更向Se偏移，更容易電離出H+，酸性越強；

（4）六方相氮化硼中，B的最外層只有3個電子，全部用于形成共價鍵，所以六方相氮化硼不含π鍵；層與層之間只有范德華力，所以質地軟。NaBH4是一種重要的儲氫載體，陰離子BH4-滿足AB4型結構，陰離子的的立體結構為正四面體。答案為：不含；層間作用力小，質地軟；正四面體。