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        1. 第三主族元素包括B、Al、Ga、In、Tl。
          (1)在硼酸B(OH)3分子中,B原子與3個(gè)羥基相連,其晶體為層狀結(jié)構(gòu)。則分子中B原子雜化軌道的類型為        ,同層分子間的主要作用為          
          (2)氯化鋁在氣態(tài)中常以二聚分子Al2Cl6形式存在,在Al2Cl6分子中存在的化學(xué)鍵的類型有          、       。
          (3)砷化鎵屬于第三代半導(dǎo)體,它能直接將電能轉(zhuǎn)化為光能,其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示。

          ①Ga的基態(tài)原子的核外電子排布式為        
          ②在砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)中,鎵原子的配位數(shù)為____ 。
          ③在砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)中,與同一砷原子相連的鎵原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為         
          (1)SP2  氫鍵    (2)極性共價(jià)鍵、配位鍵
          (3)①1S22S22P63P63d104s24p1     ②4     ③正四面體
          練習(xí)冊系列答案
          相關(guān)習(xí)題

          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          關(guān)于下列幾種離子晶體,說法不正確的是(   )
          A.由于NaCl 晶體和CsCl晶體中正負(fù)離子半徑比不相等,所以兩晶體中離子的配位數(shù)不相等
          B.CaF2晶體中,Ca2+配位數(shù)為8,F(xiàn)-配位數(shù)為4不相等,主要是由于F-、Ca2+電荷(絕對(duì)值)不相同
          C.MgO的熔點(diǎn)比MgCl2高主要是因?yàn)镸gO的晶體能比MgCl2
          D.MCO3中M2+半徑越大,MCO3熱分解溫度越低

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列說法正確的是
          A.原子晶體中只存在非極性共價(jià)鍵
          B.稀有氣體形成的晶體屬于分子晶體
          C.干冰升華時(shí),分子內(nèi)共價(jià)鍵會(huì)發(fā)生斷裂
          D.分子晶體的熔點(diǎn)普遍都很高

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          (12分) 諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)曾授予Henry Bragg和Lawrence Bragg,以表彰他們用X射線對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的分析所作的貢獻(xiàn)。
          (1)在硼酸[B(OH)3]分子中,B原子與3個(gè)羥基相連,其晶體具有與石墨相似的層狀結(jié)構(gòu)。
          則分子中B原子雜化軌道的類型為  ▲     ,同層分子間的主要作用為  ▲     。
          (2)K3[Fe(CN)6]晶體中含有的化學(xué)鍵類型為  ▲     ,F(xiàn)e3與CN之間能夠形成化學(xué)鍵的原因是    ▲    。
          (3)等物質(zhì)的量的氧化物MO與SiC的電子總數(shù)相等,則M2+離子的核外電子排布式為  ▲ 。MO是優(yōu)良的耐高溫材料,其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似,晶體中與每個(gè)M2+等距離且最近的幾個(gè)O2-所圍成的空間幾何構(gòu)型為    ▲    。MO的熔點(diǎn)比CaO的高,原因是  ▲                                  。

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列有關(guān)說法不正確的是
          A.氯化鈉晶體中,每個(gè)晶胞中平均含有4個(gè)鈉離子和4個(gè)氯離子
          B.在金剛石晶體中 ,1mol碳原子形成2mol碳碳共價(jià)鍵
          C.金屬Po的晶體堆積模型是簡單立方堆積,其配位數(shù)是8
          D.在干冰晶體中,每一個(gè)二氧化碳分子周圍有12個(gè)二氧化碳分子緊密相鄰

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列說法錯(cuò)誤的是
          A.金屬鎂形成的晶體中,每個(gè)原子周圍與其距離最近的原子有12個(gè)
          B.含有離子鍵的化合物形成的晶體一定是離子晶體
          C.原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合
          D.某氣態(tài)團(tuán)簇分子結(jié)構(gòu)如圖所示,該氣態(tài)團(tuán)簇分子的分子式為EF或FE

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          (10分)計(jì)算題:
          已知:晶體“二氧化硅”可由晶體“硅”衍生得到;下圖是晶體“硅”及“二氧化硅”的晶胞示意圖:

          試回答:
          (1)請寫出SiO2晶體的兩種主要用途:                                  (4分)
          (2)請寫出與晶體SiO2化學(xué)鍵及晶體類型完全相同的兩種物質(zhì)的名稱:           (2分)
          (3)已知:二氧化硅晶體的密度為ρg/cm3 , 試求二氧化硅晶體中最近的兩個(gè)Si原子之間的距離的表達(dá)式?(保留原表達(dá)式,不用化簡)(4分)

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

          下列物質(zhì)的熔點(diǎn)高低順序,正確的是
          A.金剛石>晶體硅>碳化硅B.K>Na>Li
          C.NaF<NaCl<NaBrD.CI4>CBr4>CCl4>CH4

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          科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

          (15分)
          Ⅰ. 砷化鎵為第三代半導(dǎo)體,以其為材料制造的燈泡壽命長.耗能少。已知砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。請回答下列問題:

          (1)下列說法正確的是__________(填序號(hào))
          A.砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B.第一電離能 As>Ga
          C.電負(fù)性 As>GaD.原子半徑 As>Ga
          (2)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3在700℃下反應(yīng)制得,反應(yīng)的方程式為__________;
          (3)AsH3空間形狀為___________;已知(CH33Ga為非極性分子,則其中鎵原子的雜化方式為____________;
          Ⅱ.金屬銅的導(dǎo)電性僅次于銀,居金屬中的第二位,大量用于電氣工業(yè)。
          (4)請解釋金屬銅能導(dǎo)電的原因                     , Cu2+的核外電子排布式為__________________________。
          (5)在硫酸銅溶液中通入過量的氨氣,小心蒸發(fā),最終得到深藍(lán)色的[Cu(NH34]SO4晶體,晶體中含有的化學(xué)鍵除普通共價(jià)鍵外,還有                。

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