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          同一個(gè)原子的下列電子層中，能量最低的是
          

          

          [　　]
          

          A．
          		

          K層
          

          

          B．
          		

          L層
          

          

          C．
          		

          M層
          

          

          D．
          		

          N層
          

          

          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				答案：A
          解析：
          		

          核外電子是分層排布的，電子一般總是盡量先排布在能量最低的電子層里，即先排滿K層，再排L層，……，所以K層能量最低．
          


          				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊(cè)系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          2010年上海世博會(huì)場(chǎng)館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管（LED）．目前市售LED品片，材質(zhì)基本以GaAs（砷化鎵）、AlGaInP（磷化鋁鎵銦）、lnGaN（氮化銦鎵）為主．已知鎵是鋁同族下一周期的元素．砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖．試回答：
          （1）鎵的基態(tài)原子的電子排布式是
          [Ar]3d104s24p1
          [Ar]3d104s24p1
          ．
          （2）砷化鎵晶胞中所包含的砷原子（白色球）個(gè)數(shù)為
          4
          4
          ，與同一個(gè)鎵原子相連的砷原子成的空間構(gòu)型為
          正四面體
          正四面體
          ．
          （3）N、P、As處于同一主族，其氫化物沸點(diǎn)由高到低的順序是
          NH3＞AsH3＞PH3
          NH3＞AsH3＞PH3
          ． （用氫化物分子式表示）
          （4）砷化鎵可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃時(shí)制得．（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為
          sp2
          sp2
          ．
          （5）比較二者的第一電離能：As
          ＞
          ＞
          Ga（填“＜”、“＞”或“=”）．
          （6）下列說(shuō)法正確的是
          BCD
          BCD
          （填字母）．
          A．砷化鎵晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同B．GaP與GaAs互為等電子體
          C．電負(fù)性：As＞Ga       D．砷化鎵晶體中含有配位鍵．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          （1）下列是部分金屬元素的電離能
          

          


          

X
Y
Z
          

          
第一電離能（kJ/mol）
520.2
495.8
418.8
          ①已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?!--BA-->
          ZCl＜YCl＜XCl
          ZCl＜YCl＜XCl
          ．
          ②RCl用作有機(jī)合成催化劑，并用于顏料、防腐等工業(yè)．R+中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與Cl-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖1所示．R的元素符號(hào)是
          Cu
          Cu
          ，與同一個(gè)Cl-相連的R+有
          4
          4
          個(gè)．
          （2）納米技術(shù)制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應(yīng)用到社會(huì)生活和高科技領(lǐng)域．A和B的單質(zhì)單位質(zhì)量的燃燒熱大，可用作燃料．已知A和B為短周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：
          

          


          
電離能（kJ/mol）
I1
I2
I3
I4
          

          
A
932
1821
15390
21771
          

          
B
738
1451
7733
10540
          ①某同學(xué)根據(jù)上述信息，推斷B的核外電子排布如圖2所示，所畫的電子排布圖違背了
          能量最低原理
          能量最低原理
          ．
          ②A和氯元素形成的簡(jiǎn)單分子為
          非極性分子
          非極性分子
          （填“極性分子”或“非極性分子”）．
          （3）氫氣作為一種清潔能源，必須解決它的儲(chǔ)存問(wèn)題，C60可用作儲(chǔ)氫材料．
          已知金剛石中的C-C的鍵長(zhǎng)為154.45pm，C60中C-C鍵長(zhǎng)為145～140pm，有同學(xué)據(jù)此認(rèn)為C60的熔點(diǎn)高于金剛石，你認(rèn)為是否正確
          否
          否
          （填“是”或“否”），并闡述理由
          因?yàn)榻饎偸窃泳w，而C60是分子晶體
          因?yàn)榻饎偸窃泳w，而C60是分子晶體
          ．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          下列是部分金屬元素的電離能
          

          


          

X
Y
Z
          

          
第一電離能（kJ/mol）
520.2
495.8
418.8
          （1）已知X、Y、Z的價(jià)層電子構(gòu)型為ns1，則三種金屬的氯化物（RCl）的熔點(diǎn)由低到高的順序?yàn)?!--BA-->
          ZCl＜YCl＜XCl
          ZCl＜YCl＜XCl
          ．
          （2）CuCl用作有機(jī)合成催化劑，并用于顏料，防腐等工業(yè)．CuCl的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示．元素Cu基態(tài)原子的電子排布式
          [Ar]3d104s1
          [Ar]3d104s1
          ，與同一個(gè)Cl-相連的 Cu+有
          4
          4
          個(gè)．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：
				題型：
			
          

						
          如表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素．
          精英家教網(wǎng)
          試回答下列問(wèn)題：
          精英家教網(wǎng)
          （1）請(qǐng)寫出元素O的基態(tài)原子電子排布式
           
          ．
          （2）c元素的一種同素異形體與熔融的n單質(zhì)形成石墨間隙化合物，比較常見(jiàn)的石墨間隙化合物是青銅色的化合物，其化學(xué)式可寫作CxK，其平面圖形見(jiàn)圖1，則x值為
           
          ．
          （3）第三周期8種元素按單質(zhì)熔點(diǎn)高低的順序如圖2，其中序號(hào)“8”代表
           
          （填元素符號(hào)）；其中電負(fù)性最大的是
           
          （填右圖中的序號(hào)）．
          （4）由i原子跟d原子以1：1相互交替結(jié)合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．則i與d形成的晶體中一個(gè)晶胞中含有4個(gè)i原子；與同一個(gè)i原子相連的d原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為
           
          ，d原子的雜化類型為
           
          ．
          （5）i單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖3甲所示，其晶胞特征如圖3乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖3丙所示．若已知i的原子半徑為dcm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)，i的相對(duì)原子質(zhì)量為M，則該晶體的密度為
           
          _g/cm3  （用字母表示）．
          

			
          

			
          
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				科目：高中化學(xué)
				來(lái)源：2011-2012學(xué)年四川省南充高中高二第一次月考化學(xué)試卷
				題型：填空題
			
          

						
          (20分)(1)在同一個(gè)原子中，離核越近、n越小的能層中的電子能量越      。理論研究證明，多電子原子中，同一能層的電子，能量也可能不同，還可以把它們分成能級(jí)，第三能層有3個(gè)能級(jí)，分別為3s、3p和     �，F(xiàn)代物質(zhì)結(jié)構(gòu)理論證實(shí)，原子的電子排布遵循構(gòu)造原理能使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài)，處于最低能量的原子叫做      原子。
          (2)寫出下列基態(tài)原子的簡(jiǎn)化電子排布式：
          ①14Si　　　　　           　；②26Fe                          。 
          (3)按所示格式填寫下表中的空格：
          原子序數(shù)
          		原子的價(jià)電子排布式
          		周期
          		族
          17
          		 
          		第三
          		 
           
          		3d54s1
          		 
          		ⅥB
          (4)N≡N的鍵能為942kJ·mol－1，N—N單鍵的鍵能為247kJ·mol－1，計(jì)算說(shuō)明N2中的
                鍵更穩(wěn)定(填“σ”或“π”)。
          (5)在配離子[Fe(SCN)]2+中，提供空軌道接受孤電子對(duì)的微粒是     ，配離子 [Cu(NH3)4]2+的配體是              。
          (6)根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷：
          ①NH3分子中，中心原子上的σ鍵電子對(duì)數(shù)為       ，孤電子對(duì)數(shù)為      ，價(jià)層電子對(duì)數(shù)為       ，中心原子的雜化方式為    雜化，VSEPR構(gòu)型為           ，分子的立體構(gòu)型為           。
          ②BF3分子中，中心原子的雜化方式為       雜化，分子的立體構(gòu)型為           。
          

			
          

			
          
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