Question

【題目】工業(yè)上可用粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì))與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3：Si+3HCl=SiHCl3+H2，SiHCl3與過(guò)量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅。

有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見(jiàn)下表：

物質(zhì)	SiCl4	BCl3	AlCl3	FeCl3	SiHCl3	PCl5
沸點(diǎn)/℃	57.7	12.8	—	315	33.0	—
熔點(diǎn)/℃	-70.0	-107.2	—	—	-126.5	—
升華溫度/℃	—	—	180	300		162

（1）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3中含有少量SiCl4，提純SiHCl3可采用

___________的方法

（2）實(shí)驗(yàn)室也可用SiHCl3與過(guò)量干燥的H2反應(yīng)制取純硅，裝置如下圖所示（加熱和夾持裝置略去）：

①裝置B中的試劑是___________，裝置C需水浴加熱，目的是 ____________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中可觀察到有晶體硅生成，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_____________。

Answer 1

【答案】 蒸餾 濃硫酸 使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng) SiHCl3與過(guò)量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化

【解析】(1)根據(jù)題示的數(shù)據(jù)可知，可以利用沸點(diǎn)的不同提純SiHCl3，操作為蒸餾，故答案為：蒸餾；

(2)①生成的氫氣中含有水蒸氣，進(jìn)入裝置D之前需要干燥，裝置B中的試劑可以干燥氫氣，濃硫酸是常用的干燥劑，因此裝置B中的試劑是濃硫酸，裝置C需水浴加熱，目的是使SiHCl3汽化，在D中與氫氣反應(yīng)，故答案為：濃硫酸；使SiHCl3氣化，與氫氣反應(yīng)；

②SiHCl3與過(guò)量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化，故答案為：SiHCl3與過(guò)量的H2在1000℃～1100℃反應(yīng)制得純硅，溫度太高，普通玻璃管易熔化。