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        1. 質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所示.離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場(chǎng)(加速電場(chǎng)極板間的距離為d、電勢(shì)差為U)加速,然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),最后到達(dá)記錄它的照相底片P上.設(shè)離子在P上的位置與入口處S1之間的距離為x。
          (1)求該離子的荷質(zhì)比
          (2)若離子源產(chǎn)生的是帶電量為q、質(zhì)量為m1和m2的同位素離子(m1> m2),它們分別到達(dá)照相底片上的P1、P2位置(圖中末畫出),求P1、P2間的距離△x。
          (3)若第(2)小題中兩同位素離子同時(shí)進(jìn)入加速電場(chǎng),求它們到達(dá)照相底片上的時(shí)間差△t(磁場(chǎng)邊界與靠近磁場(chǎng)邊界的極板間的距離忽略不計(jì)).

          (1) (2) 
          (3)解析:
          (1)離子在電場(chǎng)中加速,由動(dòng)能定理得 ①(1分)
          離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由牛頓第二定律得: ②(1分)
           ③(1分)
          由①②③式可得: ④(2分)
          (2)由①②式可得粒子m1在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)半徑是r1,則: ⑤(1分)
          對(duì)離子m2,同理得 ⑥ (1分)
          ∴照相底片上P1、P2間的距離 ⑦(2分)
          (3)離子m1在電場(chǎng)中加速:⑧(2分)
          對(duì)離子m2,同理得:⑨(2分)
          ∴離子ml、m2到達(dá)照相底片上的時(shí)間差
          ⑩(3分)
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