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				芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（ ）
          A．①②③屬于同一基本反應(yīng)類型
          B．②③的目的是將粗硅提純
          C．生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用
          D．上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進行
          			
          


			
          

		
          
		
		
	
          
		
          
			
          
				
          
				【答案】分析：A、①②③都是置換反應(yīng)；
          B、通過②③可以將粗硅提純；
          C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用；
          D、上述反應(yīng)需在干燥、耐高溫的設(shè)備中進行．
          解答：解：A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型．正確；
          B、②③的目的是將粗硅提純．正確；
          C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用．正確；
          D、用于反應(yīng)的設(shè)備需要耐高溫．錯誤．
          故選D．
          點評：可以從化學(xué)方程式中的反應(yīng)物和生成物的種類、條件方面進行分析、判斷，從而得出正確的結(jié)論．				
          
							
          
			
          
			
          
			
			
          
		
          
	
          

		
          

		





			
          
		
          
		
				
          
				練習(xí)冊系列答案
		
          
		
				
			

					
          
				相關(guān)習(xí)題
			
          
						
		
          
			
          
				科目：初中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C
           高溫 
          .
           
          Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl
           加熱 
          .
           
          SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2
           高溫 
          .
           
          Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（　�。�
          
                
          A、①②③屬于同一基本反應(yīng)類型
          B、②③的目的是將粗硅提純
          C、生產(chǎn)過程中HCl可以循環(huán)使用
          D、上述反應(yīng)只需在干燥的設(shè)備中進行
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來源：
				題型：
			
          

						
          （2012?玄武區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（　�。�
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來源：玄武區(qū)一模
				題型：單選題
			
          

						
          芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（　�。�
          A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
          B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
          C．②③的目的是將粗硅提純
          D．上述反應(yīng)進行中不能有O2存在
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來源：2012年江蘇省南京市玄武區(qū)中考化學(xué)一模試卷（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2C=Si（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HCl=SiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2=Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（ ）
          A．反應(yīng)①中，CO是還原劑
          B．①②③屬于同一反應(yīng)類型
          C．②③的目的是將粗硅提純
          D．上述反應(yīng)進行中不能有O2存在
          

			
          

			
          
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				科目：初中化學(xué)
				來源：2011年山東省濟南市中考化學(xué)模擬試卷（四）（解析版）
				題型：選擇題
			
          

						
          （2011?西城區(qū)一模）芯片是“智能家電”的核心部件，它是以高純度單質(zhì)硅為材料制成的．制取高純硅的化學(xué)方程式為：①SiO2+2CSi（粗）+2CO↑  ②Si（粗）+3HClSiHCl3+H2 ③SiHCl3+H2Si（純）+3HCl．下列說法錯誤的是（ ）
          

			
          

			
          
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